漏电定位EMMI

主要用途 ?
,[$8V  
#sbW^Q'I  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 H$ :BJ$x@  
n-<`Z NMU  
RL/5o"  
性能参数 [DTe
  
L[Wi[S6=)g  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； WW7E*kc  
]2|KG3t  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm <UGM/+aO  
\rS-}DG  
c)像素尺寸：30um x 30um XZ3M~cDq  
)]m4FC:  
d)曝光时间 20ms - 400s #ZHKq7  
7&L8zl|K  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x ?;w\CS^Qu  
Dr}elR>~G=  
f)Back side EMMI Cwji,*  
(@O,U  
[:A">eYI  
应用范围 4r7aZDVA\  
8*uaI7;*  
　1.P-N接面漏电 X3ZKN
;  
yV&]i-ey  
　2.饱和区晶体管的热电子 eV0eMDY5  
&@PAv5iNf  
　3.P-N接面崩溃 F0k
Q/x  
bPl'?3  
　4.闩锁效应 Ct3+ga$  
1D~B\=LL}  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发