漏电定位EMMI

主要用途 /PP\L]
(  
TBfX1v|Z)  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 bYr;~ ^  
F^5<o  
~|j:xM(i  
性能参数 ,/.U'{  
A#s`!SNv  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素；
NLe+  
Sz\"*W;>  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm T[w]w  
+k!Y]_&(:f  
c)像素尺寸：30um x 30um j8@Eqh  
hcQvL>  
d)曝光时间 20ms - 400s JHY0J &4s  
8:Yha4<Bv7  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x Ua.7_Em  
fvajNP  
f)Back side EMMI Oeo:
V"  
)" H$1  
A>"v1W
k  
应用范围 U D9&k^  
ILt95l  
　1.P-N接面漏电 c#qOK  
stnyJ9  
　2.饱和区晶体管的热电子 *}9i@DP1,  
yVThbL_YJ  
　3.P-N接面崩溃 oE+s8Q  
Mis t,H7  
　4.闩锁效应 =<-tD<  
|Rr^K5hmD  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发