漏电定位EMMI

主要用途 >XM]UdP  
9v8^uPA  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 I6@"y0I  
x_C0=Q|K3  
Jm< uE]9  
性能参数 F>X<=YO0  
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a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； B/!/2x  
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm KU]o=\ak%  
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c)像素尺寸：30um x 30um p7r/`_'|  
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d)曝光时间 20ms - 400s o?a3hD  
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e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x b&LAk-}[  
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f)Back side EMMI HXZ,"S  
U)aftH *Pk  
/5j5\F:33  
应用范围 %*Uc,V  
{0-rnSjC  
　1.P-N接面漏电 >V]9<*c  
1Ax;|.KQH  
　2.饱和区晶体管的热电子 GCfVH?Vx  
/m 7~-~$V  
　3.P-N接面崩溃 be5N{lPT@;  
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　4.闩锁效应
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!7MRHI/0C  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发