漏电定位EMMI

主要用途 dD 6
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$P #KL//  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。
M@pF[J/  
|uM=pm;H  
=[TXH^.0  
性能参数 >@Na6BH5v  
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R@3H  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； (r1"!~d@  
\~C/  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm G2=dq  
,OkI0[  
c)像素尺寸：30um x 30um  \5HVX/  
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d)曝光时间 20ms - 400s PFbkkQKsT  
{Q^ -  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x qzu(4*Gk6  
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f)Back side EMMI M2qor.d  
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应用范围 1_@vxi~aW_  
|A=~aQot  
　1.P-N接面漏电 5VGZ5,+<<  
|Fx~M,Pzg  
　2.饱和区晶体管的热电子 vU#>3[aC  
}fhGofN$e  
　3.P-N接面崩溃 K8v@)  
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　4.闩锁效应 @~i :8  
Ou|kb61zg  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发