漏电定位EMMI

主要用途 LT+QW  
3+:F2sjt  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 jimWLF5Q5"  
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性能参数 ULT,>S6r  
Xg<R+o  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； Go;fQ yG  
Ec2?'*s  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm ~;)H |R5kV  
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1Q  
c)像素尺寸：30um x 30um {KQ]"a 6  
#!yW)RG  
d)曝光时间 20ms - 400s uv#."_Va  
 =&8Cg  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x Kg8n3pLAX  
*OM+d$l!  
f)Back side EMMI >^!)G^B  
5EX Ghc'  
`J l/@bE=  
应用范围 1r9.JS  
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　1.P-N接面漏电 >U7{EfUJdx  
5Z]]xR[  
　2.饱和区晶体管的热电子 Ns2<wl-  
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　3.P-N接面崩溃 MP6Py@J45  
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　4.闩锁效应 i:/Ws1=q  
c9/&A  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发