漏电定位EMMI

主要用途 DVp5hR_$  
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当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 Z|m`7xeCy  
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性能参数 9U_ks[Qa  
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a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； 7}o/:  
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm C*kK)6v`  
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c)像素尺寸：30um x 30um #2p#VQh  
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d)曝光时间 20ms - 400s [AzO:A  
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e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x LDj<?'  
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f)Back side EMMI %j,iAUE<  
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应用范围 hvV_xD8|  
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　1.P-N接面漏电 L=!of{4Z(}  
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　2.饱和区晶体管的热电子 #KpY6M-H  
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　3.P-N接面崩溃 S -&)p@4  
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　4.闩锁效应 HTjkR*E  
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　5.氧化层漏电流产生的光子激发