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    [广告]CP、FT、WAT芯片测试常用词科普 [复制链接]

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    离线探针台
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 07-18
    ;$ot,mH?T  
    CP、FT、WAT l\vvM>#S  
    CP是把坏的Die挑出来,可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把坏的chip挑出来;检验封装的良率。 现在对于一般的wafer工艺,很多公司多把CP给省了;减少成本。 CP对整片Wafer的每个Die来测试 而FT则对封装好的Chip来测试。 CP Pass 才会去封装。 ?[[K6v}q{  
    然后FT,确保封装后也Pass。 p1dqDgF*  
    WAT是Wafer Acceptance Test,对专门的测试图形(test key)的测试,通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定; CP是wafer level的chip probing,是整个wafer工艺,包括backgrinding和backmetal(if need),对一些基本器件参数的测试,如vt(阈值电压),Rdson(导通电阻),BVdss(源漏击穿电压),Igss(栅源漏电流),Idss(漏源漏电流)等,一般测试机台的电压和功率不会很高; FT是packaged chip level的Final Test,主要是对于这个(CP passed)IC或Device芯片应用方面的测试,有些甚至是待机测试; 8vN}v3HV&  
    Pass FP还不够,还需要做process qual 和product qual CP 测试对Memory来说还有一个非常重要的作用,那就是通过MRA计算出chip level 的Repair address,通过Laser Repair将CP测试中的Repairable die 修补回来,这样保证了yield和reliability两方面的提升。 Y0kDHG  
    CP是对wafer进行测试,检查fab厂制造的工艺水平 FT是对package进行测试,检查封装厂制造的工艺水平 对于测试项来说,有些测试项在CP时会进行测试,在FT时就不用再次进行测试了,节省了FT测试时间;但是有些测试项必须在FT时才进行测试(不同的设计公司会有不同的要求) 一般来说,CP测试的项目比较多,比较全;FT测的项目比较少,但都是关键项目,条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP(如果FT和封装yield高的话,CP就失去意义了)。 在测试方面,CP比较难的是探针卡的制作,并行测试的干扰问题。 N9W\>hKaeh  
    FT相对来说简单一点。还有一点,memory测试的CP会更难,因为要做redundancy analysis,写程序很麻烦。 W]8tp@  
    CP在整个制程中算是半成品测试,目的有2个,1个是监控前道工艺良率,另一个是降低后道成本(避免封装过多的坏芯片),其能够测试的项比FT要少些。最简单的一个例子,碰到大电流测试项CP肯定是不测的(探针容许的电流有限),这项只能在封装后的FT测。不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了(可以提高效率),所以有时会觉得FT的测试项比CP少很多。 应该说WAT的测试项和CP/FT是不同的。 5W0'r'{  
    CP不是制造(FAB)测的! 而CP的项目是从属于FT的(也就是说CP测的只会比FT少),项目完全一样的;不同的是卡的SPEC而已;因为封装都会导致参数漂移,所以CP测试SPEC收的要比FT更紧以确保最终成品FT良率。还有相当多的DH把wafer做成几个系列通用的die,在CP是通过trimming来定向确定做成其系列中的某一款,这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案;所以除非你公司的wafer封装成device是唯一的,且WAT良率在99%左右,才会盲封的。 p[Z'Fl  
    据我所知盲封的DH很少很少,风险实在太大,不容易受控。 Ov vM)?^#  
    WAT:wafer level 的管芯或结构测试 !P Cw-&  
    CP:wafer level 的电路测试含功能 Jm%hb ,  
    FT:device level 的电路测试含功能 CP=chip probing FT=Final Test CP 一般是在测试晶圆,封装之前看,封装后都要FT的。不过bump wafer是在装上锡球,probing后就没有FT FT是在封装之后,也叫“终测”。意思是说测试完这道就直接卖去做application。 yIS.'mK  
    CP用prober,probe card。FT是handler,socket CP比较常见的是room temperature=25度,FT可能一般就是75或90度 CP没有QA buy-off(质量认证、验收),FT有 CP两方面 l:!4^>SC  
    1.    监控工艺,所以呢,觉得probe实际属于FAB范畴 $,vZX u|Qw  
    2.    控制成本。Financial fate。我们知道FT封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分,所以把次品在probe中reject掉或者修复,最有利于控制成本 8[\(*E}d!X  
    FT: 终测通常是测试项最多的测试了,有些客户还要求3温测试,成本也最大。 至于测试项呢, 0:W*_w0Ge  
    1.    如果测试时间很长,CP和FT又都可以测,像trim项,加在probe能显著降低时间成本,当然也要看客户要求。 !Ua74C  
    2.    关于大电流测试呢,FT多些,但是我在probe也测过十几安培的功率mosfet,一个PAD上十多个needle。 ~=t, g S  
    3.    有些PAD会封装到device内部,在FT是看不到的,所以有些测试项只能在CP直接测,像功率管的GATE端漏电流测试Igss CP测试主要是挑坏die,修补die,然后保证die在基本的spec内,function well。 FT测试主要是package完成后,保证die在严格的spec内能够function。 CP的难点在于,如何在最短的时间内挑出坏die,修补die。 FT的难点在于,如何在最短的时间内,保证出厂的Unit能够完成全部的Function。
     
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