介绍
#R.- KUW: P)MDPI+~ 要
模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
elFtBnL' 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
Bb}fj28 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
S7L=#+Z 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
p~,]*y:XT K3x.RQQ- 
~ ?FpU Ou1J IxZ)| [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
li 6%) [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
7TDy.] Wu_kx2h 3D FDTD仿真
?`#/ 8PN UM6(s@ $ 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
w$`5g 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
nw<&3k(g} 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
@p NNq 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
dRaNzK)M FcYFovS 
2g>SHS@1> Oms. e 
o17ekM L -cSP _1 仿真结果
j(k:
@ km1~yQ"bH 
p n.T~ "% S& \L-@ 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
K?zH3 5f$ qAS qscO 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
$a"n1ou XoCC / 
yA.4 G_|I 9=V:&.L （来源：讯技
光电）
