介绍
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模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
$kxP{0u 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
tjbI*Pw7( 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
b 2XUZ5 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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gJ?Vk<hp ;fZ9:WB [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
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TT>p# [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
MXrh[QCU) HBcL1wfS 3D FDTD仿真
1Ts$kd O />dYk Iv 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
"w:?W S 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
C]NL9 Gq` 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
,7ZV;f 81 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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Y1 *8& xT X*e<g= 仿真结果
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!EB[Lut m %>E M ^Z 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
?VR:e7|tU M7\yEi"* 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
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_!E)a aW(H n[}^ （来源：讯技
光电）
