介绍 <;?&<qMo,P
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要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间） /_,} o7@t~
为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。 BhMHT : m
光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 bnWKfz5
注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果 4cO||OsMU
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[1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) i>M*ubWE4@
[2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); -}ebn*7i\
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3D FDTD仿真 <IF\;,. c
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要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间） $j~oB:3n7
为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。 7{vnhl(Z
光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 mQ9%[U,
注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果 j=^b' dyL
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仿真结果 qdn\8Pn
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顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 35Jno<TP'
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底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um） x*#F|N4~',
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（来源：讯技光电）
