介绍
b {5 |2&= IMZKlU3 要
模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
_D9=-^ 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
M9K).P= 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
o^?{j*)g 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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mTfMuPPs[ mSfhl(<L [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
q UnFEg [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
4m*(D5Y=| EV FfXv^ 3D FDTD仿真
{yHfE, k%g xY% 0 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
Idx To Mr 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
2M?lgh4" 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
~@D%qbN 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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GZEonCk[& `tG _O 仿真结果
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!&O/7ywe LG# w/).^ 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
C|\^uR0 ^Nw]'e3 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
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0>=) $`{q[ { （来源：讯技
光电）
