介绍
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模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间)
2A3;#v 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。
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.7? 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
yjvH)t/!. 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果
l ' ]d& 9GnNL I{ 5qco4@8 NLDmZra [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
4 !lbwqo [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
RVN"lDGA fFXG;Q8& 3D FDTD仿真
IY|;}mIF &J|3uY,'j 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间)
Kb0OauW 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。
<i'4EnO 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
gF%lwq 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果
/'1UfjW> ie$QKoE fys@%PZq b?-%Uzp< +MC>?rr_u *IzcW6 [9 仿真结果
W|=?- HzB&+c?Z R!xs;|] 9bjjo;A 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
\()\pp~4 ?8Cxt|o> 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um)
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(!d3M 7\^b+* gcr,?rE< (来源:讯技
光电)