介绍
1L`V{\_0s * K$ U[$s 要
模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
w<~[ad} 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
X0L \Ewm 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
0=&S?J#! 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
U`[viH>K #|T"6jJ aQ 
zHKP$k8 1Xi>&;], [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
jOCV)V9} [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
m=n79]b:N @(c^u; 3D FDTD仿真
E q4tc Z Rk5#5R n 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
I:t ?# )wl 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
XZN@hXc9:v 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
Ep(xl HTv 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
? <F([( )*_G/<N) | 
>N PK;Vu WZ`i\s1# 
U B+~K/ i%!<9D~n 仿真结果
4"|3 pMr <#8}
)o:sDj`b] &bq1n _ 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
R<f F
^^ dfAw\7v/ 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
$S' TW3 '+Jy//5? 
|11vm# Pm#/j; （来源：讯技
光电）
