介绍
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模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
%7(kP}y* 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
`Ge +(1x 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
C7jc 6(> m 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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`z?KL(rI orB8 Q\p' [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
X@yr$3vC [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
o/dMm:TF W3jXZ> 3D FDTD仿真
oxMUW<gYd !O F?xW 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
U50s!Z t45 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
`s>UU- 9 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
ib(>vp$V 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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e'~-`Z9-) ol$2sI=.s 仿真结果
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':!3jZP"m A[^qq U L' 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
J7'f@X~nM n%0]V Xx# 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
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+9CEC1-l <$ i"zb （来源：讯技
光电）
