[分享]OptiFDTD应用：用于光纤入波导耦合的硅纳米锥 [复制链接]

介绍 T9A5L"-6T  
d?n~9_9e  
要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间） vI@8DWs  
  为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。 ->(B:Cz  
光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 S0`*  
注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果 5Fl|=G+3@g  
y(A"g3^=  
r[~$  
5`Bb0=j  
[1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) p:jrqjLp  
[2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);  ^8iy(  
h! <8=V(  
3D FDTD仿真 T$e_
ao|  
K2QD&!4/T2  
要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间） .(-3L9T}  
  为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。 5tL6R3  
光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 vKe
K]  
注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果 "`k[4C  
4/4IZfznX  
c LJCLKJ  
f8lww)^,v  
`t -3(>P  
Z6p>R;9n  
仿真结果 !FO)||'[  

_!CH  
cW RY[{v  
3]i1M%'i  
顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 g;pFT  
1^COR+>L  
底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um） -Da_#_F  
/%)J+K)  
};*5+XY^  
19S,>  
（来源：讯技光电）

XxIUB(.QI  
6Z$T&Ul{  
很好，学到了很多东西。。受益匪浅