介绍
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要
模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
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为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
sNZPv^c 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
ih;TQ!c+b 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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RI*%\~6t? 9(P Fd% [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
C9 iG`? [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
``z ="oD kg@J. 3D FDTD仿真
p-6.:y HZ}'W<N 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
u A,{C%? 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
He*L"VpWv 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
u J y@ 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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1M{#"t{6 `&6]P :_qp 仿真结果
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;lEiOF+d 18HHEW{ 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
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m- 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
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&ivIv[LV n 3]y$wK （来源：讯技
光电）
