介绍
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模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
J]v%q," 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
e^d 0zl{ 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
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]M+/sl 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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DSC$i| ;-9=RI0 [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
U mNa[ s [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
1xD=ffM>8N 5V6G=H 3D FDTD仿真
D&/kCi= R h?r p|uPQ 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
_(Sa4Vb=Q6 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
Du`JaJI 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
I Y2)?"A 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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.Si,dc\ %70~M_ 
FuVnk~gq =+ytTQc*ot 仿真结果
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2Or'c`| <Fi%iA 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
{ XNREjhm gg[WlRQK4A 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
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lp<g \ *RXbc~
H （来源：讯技
光电）
