介绍
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模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间)
7Ru0>4B 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。
~f@<] 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
RU{}qPs? 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果
t[Q^Xp TM"-X\e~{ `2@-'/$\I| mD=?C [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
C$tSsw?A [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
hV,3xrm?P t
=*K?'ly 3D FDTD仿真
FdSa Ood8 cYp}$ 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导(160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度,250 nm高度),它埋在二氧化硅波导中(注意:使用的尺寸减小了(1.5 umx1.5 umx105 um),以便达到更快的模拟时间)
.H>Rqikj 为了精确模拟线性锥形硅波导,锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些,因此在这种情况下使用不均匀的网格。
K&X'^|en 光源在时域中设置为CW(λ= 1.55 um),在空间域上设置为高斯横向分布,并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
I}q-J~s 注意:模拟时间应足够长,以确保稳态结果
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UF cr/|dc' 仿真结果
T+[e6/| <N*>9S,} tS9m8(Hr%Q $`oA$E3 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
srSTQ\l4 1]<!Xuk^f 底部视图显示了不同位置的模式转换(左:25 um,中间:65 um,右:103 um)
B.WJ6.DkS {c1qC zM4 [a`i{(! G8&'*7Bb (来源:讯技
光电)