介绍
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模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
S&Hgr_/}c 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
ITz+O=I4R] 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
sy6[%8D $ 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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z 1.vnGP z .tN<P 7 [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
\GK]6VW [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
P\@efq@! 3 k/X;:,. 3D FDTD仿真
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j) /U0,% 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
=t. T9'{ 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
ih : XC 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
^#4< ~zU 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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( yB]$ HY (XI u 仿真结果
( Dx p .F/s ( 
0=" wxB p ^)3p5w 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
x X.{(er J"XZnb)E= 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
1=PTiDMJ<* j?\z5i""f 
/?V- Q9&H/]"v （来源：讯技
光电）
