[分享]OptiFDTD应用：用于光纤入波导耦合的硅纳米锥 [复制链接]

介绍 mC$y*G  
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要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间） B+mxM/U[c  
  为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。 k sXQ}BE  
光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 elQjPvb  
注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果 "lLh#W1d  
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图片:1-1P914121Z0N9.png

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[1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014) s1[&WDedM  
[2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003); af %w|M  
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3D FDTD仿真 kLF`6ZXtd  
M\a{2f7'n  
要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间） Yj/o17  
  为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。 yF?O+9R A  
光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。 PfRA\  
注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果 @uCi0Pt  
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图片:1-1P914121541415.png

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仿真结果 \<*F#3U1  
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图片:1-1P9141220433D.png

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顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。 |+W{c`KL  
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底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um） R6od{#5H$  
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图片:1-1P914122120A0.png

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（来源：讯技光电）

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很好，学到了很多东西。。受益匪浅