UID:308208
UID:313651
UID:295883
奔跑的小骏马:既然是折射率差异,那就直接按照两台机各自的折射率重新设计一下膜系不就好了么;如果要变更速率,那折射率不也一样跟着变了,变量不就多了么。 (2018-03-23 11:51) ecZT|X4u
UID:311705
UID:309792
ouyuu:看起来像是折射率问题。 o|tq&&! < 你这边用离子源辅助吗? Mdj?;'Yv 如果有,就改变一下离子源参数 "&_$%#HUv 如果没有,就改一下电子枪速率看看。 (2018-03-15 23:35) (.CEEWj%{
dcfcwdx:镀TiO2单层来比较是,较差的机台的波峰低,波谷高,也就是峰谷差小,还有,改善充氧就是改变APC压力吗? (2018-03-13 20:40) F*0rpQ,*
ouyuu:是什么差异呢?整体向上偏移?还是波峰更高,波谷更低? *%(BE*C} 如果是吸收,那就改善充氧。 M?nYplC 如果是折射率差异,那就改变蒸发速率。 X`+8rO[ (2018-03-06 13:05) c:@lR/oe"
dcfcwdx:[表情]单层的PEAK对比过,确实是有差异的,关键是怎样调节折射率和吸收呢? (2018-03-03 22:41) wfJ[" q
ouyuu:怀疑是排气能力差异。 Q6r!=yOEY 开镀真空一样吗?都开充氧了吗?充氧压力多少? (2018-02-02 09:16) <f'2dT@6
ouyuu:如果有空的话,两台机各镀一下单层,然后测一下PEAK比对一下。 1$q>\ 一般SiO2折射率比较稳定,既然有充氧,吸收也不太会有问题。 pr|P#mc"J 问题很可能出在TiO2上。TiO2的折射率和吸收不太稳定。 )V^J^1 (2018-02-03 18:13) FTy`#*7Ul