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奔跑的小骏马:既然是折射率差异,那就直接按照两台机各自的折射率重新设计一下膜系不就好了么;如果要变更速率,那折射率不也一样跟着变了,变量不就多了么。 (2018-03-23 11:51) Y}PI{PN
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ouyuu:看起来像是折射率问题。 V.?N29CA| 你这边用离子源辅助吗? <b!nI N 如果有,就改变一下离子源参数 -^yb[b, 如果没有,就改一下电子枪速率看看。 (2018-03-15 23:35) L|A}A[ P
dcfcwdx:镀TiO2单层来比较是,较差的机台的波峰低,波谷高,也就是峰谷差小,还有,改善充氧就是改变APC压力吗? (2018-03-13 20:40) $FR1^|P/G
ouyuu:是什么差异呢?整体向上偏移?还是波峰更高,波谷更低? r}>q*yx: 如果是吸收,那就改善充氧。 V eD<1< 如果是折射率差异,那就改变蒸发速率。 MJyz0.9 c (2018-03-06 13:05) (9!/bX<
dcfcwdx:[表情]单层的PEAK对比过,确实是有差异的,关键是怎样调节折射率和吸收呢? (2018-03-03 22:41) :}n\ r/i
ouyuu:怀疑是排气能力差异。 rfwX:R6,g 开镀真空一样吗?都开充氧了吗?充氧压力多少? (2018-02-02 09:16) -q6d&D'B+
ouyuu:如果有空的话,两台机各镀一下单层,然后测一下PEAK比对一下。 R3,O;9i 一般SiO2折射率比较稳定,既然有充氧,吸收也不太会有问题。 ugT;NB 问题很可能出在TiO2上。TiO2的折射率和吸收不太稳定。 zv>3Tc0R (2018-02-03 18:13) m?4L>'