[求助]高反膜机差问题 [复制链接]

求助大神，LED芯片背镀DBR高反膜，同样的膜系，不同的光驰新旧机台作业后亮度有差异，到底是什么造成的？？

现在膜系成熟了没有？？

奔跑的小骏马:既然是折射率差异，那就直接按照两台机各自的折射率重新设计一下膜系不就好了么；如果要变更速率，那折射率不也一样跟着变了，变量不就多了么。 (2018-03-23 11:51)   3PUyua'  

J^gElp  
一般不建议改膜系，膜系不一致会带来更多问题。 PC)aVr?@@  
而且随着设备使用，说不定折射率还会变的，你就不停改膜系？ UAEu.AT  
折射率则简单很多，找到影响折射率的因素这才是关键。 ~]V}wZt>h  
chakp!S=  
其实也不叫变更速率，水晶设置有一项叫TOOLING，这个TOOLING值改变一下就相当于改了速率。

@/W~lJ!e  
机台不一样，折射率是有差异的，这个差异在镀膜厚是就明显

ouyuu:看起来像是折射率问题。 Y94S!TbB  
你这边用离子源辅助吗？ G!+Mu2  
如果有，就改变一下离子源参数 &dG^M2g-F  
如果没有，就改一下电子枪速率看看。 (2018-03-15 23:35)  _FxeZ4\  

&y&HxV  
既然是折射率差异，那就直接按照两台机各自的折射率重新设计一下膜系不就好了么；如果要变更速率，那折射率不也一样跟着变了，变量不就多了么。

dcfcwdx:镀TiO2单层来比较是，较差的机台的波峰低，波谷高，也就是峰谷差小，还有，改善充氧就是改变APC压力吗？ (2018-03-13 20:40)  ({Pjz;xM  

x FWh
r#5,  
看起来像是折射率问题。 8NiR3*1  
你这边用离子源辅助吗？ h[&"KA  
如果有，就改变一下离子源参数 #qh ,  
如果没有，就改一下电子枪速率看看。

ouyuu:是什么差异呢？整体向上偏移？还是波峰更高，波谷更低？ pA6KiY&  
如果是吸收，那就改善充氧。 eHuJFM  
如果是折射率差异，那就改变蒸发速率。 a:fP  
 (2018-03-06 13:05)  l6ym <V(1p  

%bAQ>E2;m  
镀TiO2单层来比较是，较差的机台的波峰低，波谷高，也就是峰谷差小，还有，改善充氧就是改变APC压力吗？

dcfcwdx:[表情]单层的PEAK对比过，确实是有差异的，关键是怎样调节折射率和吸收呢？ (2018-03-03 22:41)  #ibwD:{  

U?*zb  
是什么差异呢？整体向上偏移？还是波峰更高，波谷更低？ 3iCe5VF  
如果是吸收，那就改善充氧。 H9mNnZ_k  
如果是折射率差异，那就改变蒸发速率。 S6<o?X9,
I  

ouyuu:怀疑是排气能力差异。 g0 Q,]\~  
开镀真空一样吗？都开充氧了吗？充氧压力多少？ (2018-02-02 09:16)  ,zjz "7'  

Yup#aeXY/  
开镀真空一样，都是2E-3Pa，都开充氧了，目前最主要问题是稳定性不好，有些Run次镀出来是OK的，有些就不好，不知道是哪里造成的稳定性差

ouyuu:如果有空的话，两台机各镀一下单层，然后测一下PEAK比对一下。 d %FLk=]  
一般SiO2折射率比较稳定，既然有充氧，吸收也不太会有问题。 r=37Q14v  
问题很可能出在TiO2上。TiO2的折射率和吸收不太稳定。 %Cj_z  
 (2018-02-03 18:13)  *N: $,x
f  

k&L/JzzI  
单层的PEAK对比过，确实是有差异的，关键是怎样调节折射率和吸收呢？