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半导体激光器的设计和工艺 u!`oKe;  
黄永箴 h3Kv0^{  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 zB`)\
 
集成光电子国家重点实验室 lSU&Yqx  
4SSq5Ve<  
一. 半导体激光器的基本结构 j;@7
V4'  
1.半导体双异质结构 Iu`eQG  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) R06q~>  
3. 侧模控制(基侧模) TZL)jfhj  
4.横模控制 #|`/K[.xd%  
5. 动态单模半导体激光器 `~Nd4EA)2  
6. 波长可调谐半导体激光器 !Ziq^o.  
7.长波长VCSEL的进展 Z[:fqvXQ  
8.微腔激光器和光子晶体 E`%Ewt$Z  
9.半导体激光器材料的选择 .n]P6t  
ma.yI};
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二.半导体光波导 -~T?xs0_  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 JK
0L&t<  
2. 光限制因子和模式增益 u1d{|fF  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 sI
pq  
4. 半导体激光器镜面反射系数 DPR=Xls  
5. DFB激光器的藕合模理论 bJ8G5QU  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 }wzU<(Rx  
7. 等效折射率近似 TIlBT{A<  
8. 数值模拟 H@Dj$U  
FRpTYLA2  
三.半导体中的光跃迁和增益 Qk?;nF  
1. 费米分布函数及跃迁速率 * bx%hX  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ._JM3o}F  
3.简约态密度及增益谱 A`2l;MW  
4.模式的自发辐射速率 F<y$Q0Z}  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 GGHe{l  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 PK^{WF}L;  
7.增益谱峰值的近似表达式 }|>mR];  
>(+g:p  
四. 速率方程和动态效应 _ Js& _d  
1．单模速率方程及基本物理量 }ybveZxv5A  
2．稳态输出 xe5|pBT  
3. 共振频率和3dB带宽 8d.5D&  
4. 载流子输运效应对带宽影响 Wi]Mp7b  
5. 开启延迟时间 $8#zPJR&  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 7@"J&><w!  
7. 自发辐射引起的噪声 CbTYt6DC  
8. 相对强度噪声 @Q~Oc_z  
9. 模式线宽 ,&$=2<Dx  
10. 多模速率方程 w]Z*"B&h  
 J5PXmL  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 iDej{95  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 tEP~`$9  
3.激光器寿命 *ZP
$dQ  
4.激光器阈值电流的温度特性 _/0vmgQ&  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。