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半导体激光器的设计和工艺 ZmR[5 mv@  
黄永箴 /4wm}g9  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 /v|68x6  
集成光电子国家重点实验室 %0y3/W  
Xdp`Z'g  
一. 半导体激光器的基本结构 hVt+%tmNy  
1.半导体双异质结构 ]y)R
C-N  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) .9[8H:Fe  
3. 侧模控制(基侧模) @88
z{  
4.横模控制 2gC&R1H  
5. 动态单模半导体激光器 "k_n+cH%  
6. 波长可调谐半导体激光器 _sf0{/< )  
7.长波长VCSEL的进展 71n uTE%!  
8.微腔激光器和光子晶体 Z%HEn$t  
9.半导体激光器材料的选择 -$]DO5fY  
LPm# 3U  
二.半导体光波导 7&;jje[ <g  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 }5Tyz
i(  
2. 光限制因子和模式增益 ^hYR5SX  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 :x*|lz[  
4. 半导体激光器镜面反射系数 =ZJ?xA8  
5. DFB激光器的藕合模理论 KiRt'  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 /K<GN7vN  
7. 等效折射率近似 T~ q'y~9o  
8. 数值模拟 NE>JtTF<  
{;(g[H=q;  
三.半导体中的光跃迁和增益 rEpKX  
1. 费米分布函数及跃迁速率 .T$9Q Ar5  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 .Zo9^0`C  
3.简约态密度及增益谱 H7XxME  
4.模式的自发辐射速率 d&R\7)0  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 m$y$wo<K[7  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 RKJWLofX&  
7.增益谱峰值的近似表达式 A`U2HC   
/$4?.qtu  
四. 速率方程和动态效应 s8I77._s  
1．单模速率方程及基本物理量 Z a y'/b  
2．稳态输出 "YvBb:Z>  
3. 共振频率和3dB带宽 Ko1?jPE  
4. 载流子输运效应对带宽影响 pS)X\Xyw  
5. 开启延迟时间 z^GGJu%vjr  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 laL4ez  
7. 自发辐射引起的噪声 2iINQK$  
8. 相对强度噪声 E2/U']R  
9. 模式线宽 W)P_t"'@L  
10. 多模速率方程 op{(
mn  
3Eux-C!t  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 `2~Ea_Z  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 (Jr;:[4XC  
3.激光器寿命 Rl!WH%;c[X  
4.激光器阈值电流的温度特性 SmEd'YD!J  
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X  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。