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半导体激光器的设计和工艺 ;,e2egC'  
黄永箴 7Hu3>4<  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 3sZ\0P}   
集成光电子国家重点实验室 r]36zX v  
z2>lI9D4V  
一. 半导体激光器的基本结构 Thit  
1.半导体双异质结构 jo@J}`\Zt  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) N ZSSg2TX#  
3. 侧模控制(基侧模) Xla~Yg  
4.横模控制 8)I^ t81
 
5. 动态单模半导体激光器 GR32S=\  
6. 波长可调谐半导体激光器 0{R=9wcc  
7.长波长VCSEL的进展 Ma"]PoP  
8.微腔激光器和光子晶体 lHX72s|V  
9.半导体激光器材料的选择 i~J'%a<Qp  
Q]>.b%s[  
二.半导体光波导 N]sAji*  
1. 平板波导的模式，TE和TM模
A3@6N(  
2. 光限制因子和模式增益 czd~8WgOa  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 D}/vLw:v  
4. 半导体激光器镜面反射系数 J-hbh  
5. DFB激光器的藕合模理论 4{`{WI{  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 5XBH$&Td  
7. 等效折射率近似 MFk5K  
8. 数值模拟 @;RXLq/8  
gB'6`'  
三.半导体中的光跃迁和增益 8X|-rM{  
1. 费米分布函数及跃迁速率 vRO _Q?  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 XOS[No~  
3.简约态密度及增益谱 =C.$ UX  
4.模式的自发辐射速率 `W*U4?M  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 C~iL3Cb  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 S^\Vgi(  
7.增益谱峰值的近似表达式 kPLxEwl  
<e</m)j  
四. 速率方程和动态效应 @I!0-OjL  
1．单模速率方程及基本物理量 FJP-y5  
2．稳态输出 S|`o]?nc>  
3. 共振频率和3dB带宽 e**qF=HCw  
4. 载流子输运效应对带宽影响 [u*5z.^  
5. 开启延迟时间 s!
7y  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Npy:!  
7. 自发辐射引起的噪声 QMbOuw  
8. 相对强度噪声 C>*u()q>4h  
9. 模式线宽 *bA.zmzM  
10. 多模速率方程 O@C@eW#  
;;N9>M?b  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 NHZz _a=  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 JnM["Q=`  
3.激光器寿命 V33T+P~j  
4.激光器阈值电流的温度特性 j#q-^
h3H  
0Z{ZO*rK  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。