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半导体激光器的设计和工艺 x8[8z^BV?e 黄永箴 SL*(ZEn" 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 bZ)Jgz 集成光电子国家重点实验室 #R$!| _F9
c.BH 一. 半导体 激光器的基本结构 sx;1V{|g 1.半导体双异质结构 %PpB$ 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) PuWF:'w r 3. 侧模控制(基侧模) YL]x>7T~4t 4.横模控制 1 <*-, f 5. 动态单模半导体激光器 z|Xl%8 6. 波长可调谐半导体激光器 (+@H !>r$$ 7.长波长VCSEL的进展 j<[<qU: 8.微腔激光器和光子 晶体 /T?['#:r-) 9.半导体激光器材料的选择 AbB%osz}Ed |<E% hf 二.半导体光波导 KM6r}CDHs 1. 平板波导的模式，TE和TM模 Lt)t}0 2. 光限制因子和模式增益 s<myZ T$ 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 |cH\w"DcXw 4. 半导体激光器镜面反射系数 MkQSq
MU= 5. DFB激光器的藕合模理论 WVVqH_ 6. DFB半导体激光器的一维模拟 b |EZ;,i 7. 等效折射率近似 ^vzNs>eJ 8. 数值模拟 3Cpix,Dc 3E#acnqn* 三.半导体中的光跃迁和增益 SpkD 1. 费米分布函数及跃迁速率 h
/on 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 n[<V j1n 3.简约态密度及增益谱 qYE -z( i 4.模式的自发辐射速率 (t <Um
Vd 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 1:-$mt_* 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 %P?W^mI 7.增益谱峰值的近似表达式 %FwLFo^v #JVcl $0Y 四. 速率方程和动态效应 yCwQ0| 1．单模速率方程及基本物理量 I) 6)~[:' 2．稳态输出 JI.ad_IR 3. 共振频率和3dB带宽 e|`&K"fnq 4. 载流子输运效应对带宽影响 }hGbF"clqg 5. 开启延迟时间 L%!jj7,9- 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 qh=l F_%uj 7. 自发辐射引起的噪声 ZI1[jM{4^F 8. 相对强度噪声 D.RHvo~6 9. 模式线宽 *p
VKMmU 10. 多模速率方程 A w83@U wsM5T B 五.半导体激光器的基本工艺和特性 Zf|f $1- 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 z*:^*, 3.激光器寿命 JIK;/1 4.激光器阈值电流的温度特性 SwQb" BH=vI <D 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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