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半导体激光器的设计和工艺 O<6!?1|KP  
黄永箴 w0$l3^}z  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 SLI358]$<  
集成光电子国家重点实验室 k0!D9tk  
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u1FJ{n  
一. 半导体激光器的基本结构 bL18G(5  
1.半导体双异质结构 kNTxYJ  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) T|lyjX$Q]9  
3. 侧模控制(基侧模) sK`pV8&xq  
4.横模控制 &\s>PvnquX  
5. 动态单模半导体激光器 {t&+abY
 
6. 波长可调谐半导体激光器 2[$` ]{U  
7.长波长VCSEL的进展 MA5BTq<&  
8.微腔激光器和光子晶体 ;/<J&#2.  
9.半导体激光器材料的选择 vxx7aPjC  
>,%7bq=T!  
二.半导体光波导 z3p#`  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 U0%m*i  
2. 光限制因子和模式增益 `(?x@Y>.Ht  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 [P"R+$"   
4. 半导体激光器镜面反射系数 |p{FSS  
5. DFB激光器的藕合模理论 bLi>jE.%.  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 ~`x<;Ts  
7. 等效折射率近似 @^93q  
8. 数值模拟 BFyVq  
+{S^A)  
三.半导体中的光跃迁和增益 _Vxk4KjP5  
1. 费米分布函数及跃迁速率 rJl'+Ae9N|  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 )t$|'c}  
3.简约态密度及增益谱 )x*pkE**c  
4.模式的自发辐射速率 YKs^aQm#  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 rC!~4xj-  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 SgocHpyg  
7.增益谱峰值的近似表达式 Oy/+uw^  
0q ^dpM  
四. 速率方程和动态效应 <sq@[\l}a  
1．单模速率方程及基本物理量 9K F`9Y  
2．稳态输出 1p9+c~4l:  
3. 共振频率和3dB带宽 |);-{=.OdQ  
4. 载流子输运效应对带宽影响 p6'wg#15  
5. 开启延迟时间 p%6j2;D  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Z*(lg$A9M  
7. 自发辐射引起的噪声 &D 4Ci_6k  
8. 相对强度噪声 &Kgl\;}  
9. 模式线宽 >HXmpu.O  
10. 多模速率方程 `Dco!ih  
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%)Nn^a;T  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 v/yt C/WH"  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 =K2mR}n\;  
3.激光器寿命 JH0L^p  
4.激光器阈值电流的温度特性 &% \`Lwh  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。