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半导体激光器的设计和工艺 B33$
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黄永箴 ivDGZI9  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 w}Uhd,  
集成光电子国家重点实验室 Mj[f~  
HK|ynBAo  
一. 半导体激光器的基本结构 &nBa
=Enf  
1.半导体双异质结构 %NL^WG:  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) D?XM,l+  
3. 侧模控制(基侧模) [ i#zP  
4.横模控制 [(1c<b2r  
5. 动态单模半导体激光器 0cK{  
6. 波长可调谐半导体激光器 {pM?5"MMJ  
7.长波长VCSEL的进展 ?T+q/lt4  
8.微腔激光器和光子晶体 7i&:DePM'q  
9.半导体激光器材料的选择
y6]vl=^L  
Y%`xDI  
二.半导体光波导 \+aC"#+0  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 ys 5&PZg*  
2. 光限制因子和模式增益 UfS%71l.$  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ]?*I9  
4. 半导体激光器镜面反射系数 9]q:[zm^  
5. DFB激光器的藕合模理论
.t
D
*2  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 a!O0,
y  
7. 等效折射率近似 g=I8@m  
8. 数值模拟 4:gRr   
`ZC<W]WYX/  
三.半导体中的光跃迁和增益 {nLjY|*  
1. 费米分布函数及跃迁速率 zOQ>d|p?X  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 q$=#A7H>3)  
3.简约态密度及增益谱 8#vc(04(  
4.模式的自发辐射速率 C*P7-oE2rh  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 L|p Z$HB  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 O{#=d  
7.增益谱峰值的近似表达式 g)-bW+]q  
}iuWAFZbGS  
四. 速率方程和动态效应 iX)%Q  
1．单模速率方程及基本物理量
hP15qKy  
2．稳态输出 812$`5l  
3. 共振频率和3dB带宽 ght$9>'n  
4. 载流子输运效应对带宽影响 thhwN A  
5. 开启延迟时间 -\C!I
 
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 jYKor7KTqT  
7. 自发辐射引起的噪声 1YH+d0UGn  
8. 相对强度噪声 .0es3Rj  
9. 模式线宽 U*)8G  
10. 多模速率方程 9Q"'"b*?z  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 <~WsD)=$  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 {E@Lft-  
3.激光器寿命 AB4(+S*LA  
4.激光器阈值电流的温度特性 =uS9JU^E  
^0 -:G6H  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。