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半导体激光器的设计和工艺 fAi113q!  
黄永箴 N4pA3~P  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 J(]nPwm=.-  
集成光电子国家重点实验室 &3efJ?8  
 '}=M~
 
一. 半导体激光器的基本结构 *W
l{2&  
1.半导体双异质结构 L.'N'-BV  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) zc#`qa:0  
3. 侧模控制(基侧模) kW9STN  
4.横模控制 P:+:Cm<  
5. 动态单模半导体激光器 uQlVzN.?  
6. 波长可调谐半导体激光器 xN]bRr  
7.长波长VCSEL的进展 o/xE O=AW  
8.微腔激光器和光子晶体 53c6dl  
9.半导体激光器材料的选择 Fei$94a  
L[^e<I  
二.半导体光波导 3ba"[C|  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 (~~=<0S  
2. 光限制因子和模式增益 N'StT$(  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 4^r}&9C~  
4. 半导体激光器镜面反射系数 h?b{{  
5. DFB激光器的藕合模理论 ,3K?=e2  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 sq%f%?(V  
7. 等效折射率近似 Fpb1.Iz  
8. 数值模拟 6ZE]7~X  
B4?P"
|  
三.半导体中的光跃迁和增益 /i<g>*82  
1. 费米分布函数及跃迁速率 l6~eb=u;9g  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 qr*/}F6  
3.简约态密度及增益谱 Wd7*sa3T  
4.模式的自发辐射速率 Z-:`{dns/  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 l[xwH 9'  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 7Vi[I< *  
7.增益谱峰值的近似表达式 AQ&;y&+QR  
B0:O]Ax6.^  
四. 速率方程和动态效应 $_y"P  
1．单模速率方程及基本物理量 \,WPFV  
2．稳态输出 Je/R'QP^8  
3. 共振频率和3dB带宽 A[oRi}=  
4. 载流子输运效应对带宽影响 IpWl;i`__  
5. 开启延迟时间 b#b#r  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 j<c_*^/'9  
7. 自发辐射引起的噪声 ("{'],>  
8. 相对强度噪声 x
n-n{U"  
9. 模式线宽 B
\Uj  
10. 多模速率方程 ~Oq(JM $M  
]k hY8it  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ~[C m#c  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 uJ[
dO}  
3.激光器寿命 Ne=D$o  
4.激光器阈值电流的温度特性 -6?5|\  
oyUf/Sl  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。