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半导体激光器的设计和工艺 L9Gxqw  
黄永箴 jhN]1t/\X  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 `?H yDny  
集成光电子国家重点实验室 M-Tjp'=*  
b?~%u+'3  
一. 半导体激光器的基本结构 }{(dG7G+  
1.半导体双异质结构 fA k]]PU  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) PqOPRf  
3. 侧模控制(基侧模) v9t26>{~  
4.横模控制 y]veqa  
5. 动态单模半导体激光器 <+tSTc4>r  
6. 波长可调谐半导体激光器 5/ee&sJR  
7.长波长VCSEL的进展 ,+gU^dc|hq  
8.微腔激光器和光子晶体 TfbB1  
9.半导体激光器材料的选择 /
7)l22<  
(pl|RmmDz  
二.半导体光波导 nX|f?5 O  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 $z>L $,c>  
2. 光限制因子和模式增益 5ZXP$.  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 VT;Vm3\  
4. 半导体激光器镜面反射系数 nSM8o<)H  
5. DFB激光器的藕合模理论 v%=@_`Ht  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 zB?} {@  
7. 等效折射率近似 `|Wu\X  
8. 数值模拟 
B3j   
41S.&-u  
三.半导体中的光跃迁和增益 l=*60Ag\J~  
1. 费米分布函数及跃迁速率 );]9M~$  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 nI_43rG:Uf  
3.简约态密度及增益谱 QQnpy.`:/  
4.模式的自发辐射速率 =u5a'bp0;;  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 (2o
P=9m  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 lD%Fk3  
7.增益谱峰值的近似表达式 GbLuXU  
;!ICLkc$  
四. 速率方程和动态效应 j0XS12eM  
1．单模速率方程及基本物理量 8K]5fkC|  
2．稳态输出 3($cBC  
3. 共振频率和3dB带宽 O)$rC  
4. 载流子输运效应对带宽影响 TspuZR@2  
5. 开启延迟时间 iE~][_%U  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 *u i!|;  
7. 自发辐射引起的噪声 JjXuy7XQ  
8. 相对强度噪声 [%);N\o2Y  
9. 模式线宽 =Ts3O0"[  
10. 多模速率方程 hLqRF4>L  
Tke3X\|  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 G<2OL#Y-  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 f6I$d<  
3.激光器寿命 [dQL6k";b  
4.激光器阈值电流的温度特性 e|t@"MxvC  
kkyi`_ZKn  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。