金鉴检测双束FIB提供TEM制样、FIB切割、Pt沉积和三维重构的服务

聚焦离子束(FIB)与扫描电子显微镜(SEM)耦合成为FIB-SEM双束系统后，通过结合相应的气体沉积装置，纳米操纵仪，各种探测器及可控的样品台等附件成为一个集微区成像、加工、分析、操纵于一体的分析仪器。其应用范围也已经从半导体行业拓展至材料科学、生命科学和地质学等众多领域。为方便客户对材料进行深入的失效分析及研究，金鉴检测现推出Dual Beam FIB-SEM制样业务，并介绍Dual Beam FIB-SEM在材料科学领域的一些典型应用，包括透射电镜( TEM)样品制备，材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积以及材料三维成像及分析。 >5.zk1&H  
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1. 设备参数 F99A;M8(  
ZEISSAuriga Compact   8 }-7{  
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1.场发射扫描电镜（SEM）：各种材料形貌观察和分析，如金属、半导体、陶瓷、高分子材料、有机聚合物等，放大率：12×～1000,000×；分辨率1.0nm@ 15kV；1.9 nm @ 1kV； M|k&TTV  
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2.X射线能谱分析仪（EDS）：材料微区成分分析；MnKa峰的半高宽优于127eV；CKa峰的版高宽优于56Ev;FKa峰的半高宽优于64eV；元素Be4-U92； )A"jVQjI%w  
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3.聚焦离子束系统（FIB）：材料微纳结构的样品制备，包括：SEM在线观察下制备TEM样品、材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积等，放大率：300×～500,000×；分辨率2.5nm@ 30kV。   *Rq`*D>:U}  
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4.背散射电子探头（BSD）：基于不同元素衬度不同，BSD探头除了观察样品形貌衬度，同时能够实现对样品成分衬度的观察。   80}4/8  
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5.纳米操纵手：用于超薄样品（纳米级）固定转移及精细加工。 HyEa_9  
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6.气相沉积系统（GIS）：FIB加工前为材料提供保护层，或用于材料精加工。 z?kd'j`FG  
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Dual BeamFIB-SEM制样： Z(HZB
  
FIB主要用于材料微纳结构的样品制备，包括：TEM样品制备、材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积等。 &:No}6  
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1.TEM样品制备 -2 xE#r  
对比与传统的电解双喷，离子减薄方式制备TEM样品，FIB可实现快速定点制样，获得高质量TEM样品。 &2{]hRM  
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案例一： 4)^vMG&  
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使用Dual BeamFIB-SEM系统制备高质量TEM样品。   P>wZ~Hjk  
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a、FIB粗加工 GJ`UO  
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b、纳米手转移 @6b[GekZ<  
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c、FIB精细加工完成制样 M"(6&M=?  
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2.材料微观截面截取 fhRjYYGI  
SEM仅能观察材料表面信息，聚焦离子束的加入可以对材料纵向加工观察材料内部形貌，通过对膜层内部厚度监控以及对缺陷失效分析改善产品工艺，从根部解决产品失效问题。 3ji:O T  
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案例二： H&bh<KPMh  
针对膜层内部缺陷通过FIB精细加工至缺陷根源处，同时结合前段生产工艺找出缺陷产生点，通过调整工艺解决产品缺陷。 o/1JO_41  
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案例三： 8l23%iWxe  
产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。 QNArZ6UQ  
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3.气相沉积（GIS） =}R~0|^  
FIBGIS系统搭载Pt气体，其作用除了对样品表面起到保护作用，还能根据其导电特性对样品进行加工。FIB加工前为材料提供保护层，或用于材料精加工。 $.:3$et@/  
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案例四： nxQ}&n  
纳米材料电阻无法直接进行测量，通过FIBGIS系统对其沉积Pt，将其连接到电极上进行四探针法测电阻。 !SF^a6jT  
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4.三维重构 M#a&\cqC  
FIB-SEM三维重构系统是通过FIB连续切出多个截面再通过软件将一系列2D图像转换为3D图像。 (Es{la G  
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