[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 d--y  
qo)?8kx>l  
一. 半导体激光器的基本结构 yT{8d.Rh  
•1.半导体双异质结构 ~x{.jn  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) -T6(hT\  
•3. 侧模控制(基侧模) LJX-AO.4  
•4.横模控制 ~.%K/=wK@  
•5. 动态单模半导体激光器 =66Nw(E.  
•6. 波长可调谐半导体激光器 "m{
,~'x  
•7.长波长VCSEL的进展 !L5jj#0  
•8.微腔激光器和光子晶体 @H!$[m3  
•9.半导体激光器材料的选择 rQTr8DYH  
C0=9K@FCb  
二.半导体光波导
mVtXcP4b  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 4h6k`ie!$  
•2. 光限制因子和模式增益 Y-ux7F{=z  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 6.t',LTB  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 _md=Q$9!m  
•5. DFB激光器的藕合模理论 7^}Ll@  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 )m3q2W  
•7. 等效折射率近似 `P
Xz  
•8. 数值模拟 {%w!@-  
*M7E#bQ5B  
三.半导体中的光跃迁和增益 2/,0iwj-  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 $ _8g8r}  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ,wwZI`>-  
•3.简约态密度及增益谱 O7']  
•4.模式的自发辐射速率 ch5s<x#CE  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 `"vZ);i<  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果  TIy&&_p  
•7.增益谱峰值的近似表达式 bg|!'1bD`5  
-{h
  
四. 速率方程和动态效应 c41: !u^  
•1．单模速率方程及基本物理量 NGYyn`Lx  
•2．稳态输出 QbhW!9(,  
•3. 共振频率和3dB带宽 \EoX8b}$b0  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ctQbp~-  
•5. 开启延迟时间 _eLWQ|6Fx  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 fpM#XFj  
•7. 自发辐射引起的噪声 ~Lfcg*  
•8. 相对强度噪声 '+<(;2Z vL  
•9. 模式线宽 F=G{)*Ih  
•10. 多模速率方程 <(@Syv)  
\(I6_a_{  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 4^c-D  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性
QzGV.Mt2  
3.激光器寿命 IL7`0cN(  
4.激光器阈值电流的温度特性 Z.&\=qiY  
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