[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ,"PwNv  
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一. 半导体激光器的基本结构 ja~b5Tf9  
•1.半导体双异质结构 +D4Nu+~BSN  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) /-$`GT?l  
•3. 侧模控制(基侧模) .c"UlOZ&w^  
•4.横模控制 `q eL$`  
•5. 动态单模半导体激光器 ~`hI|i<]  
•6. 波长可调谐半导体激光器 V#!ypX]AB[  
•7.长波长VCSEL的进展 rK~362|mo  
•8.微腔激光器和光子晶体 AnPm5i.  
•9.半导体激光器材料的选择 5vYh~|  
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二.半导体光波导 a-Cp"pKlVY  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 e=Kv[R'(M  
•2. 光限制因子和模式增益 > Q@*o  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 da!N0\.1T  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Rv q_Zsm  
•5. DFB激光器的藕合模理论 c ~YD|l  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 S M987Y!B  
•7. 等效折射率近似 z.Y7u3K.8  
•8. 数值模拟 Njq#@*>[p  
Xk]5*C]6<  
三.半导体中的光跃迁和增益 wXZ.D}d  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 GQ|kcY=  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 :M|c,SQK  
•3.简约态密度及增益谱 gKb4n Nt  
•4.模式的自发辐射速率 (L|SE4  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 2I?HBz1v  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 4,s: G.g  
•7.增益谱峰值的近似表达式 )\^o<x2S  
U]hQ#a+  
四. 速率方程和动态效应 /l+x&xYD  
•1．单模速率方程及基本物理量 V.Xz n  
•2．稳态输出 K^{`8E&A  
•3. 共振频率和3dB带宽 S;ulJ*qv  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 <?qmB}Y  
•5. 开启延迟时间 D{'Na5(  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 dhK$XG  
•7. 自发辐射引起的噪声 s^V8FH  
•8. 相对强度噪声 K!I]/0L  
•9. 模式线宽 ^#3$C?d  
•10. 多模速率方程 4N$svA  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 ).oqlA!  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Rdt8jY6F
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3.激光器寿命 7U.g4x|<  
4.激光器阈值电流的温度特性 6^{ hY^Z  
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