瑞士科学家研制出兼容硅芯片的锗锡半导体激光器

瑞士科学家已经成功研制出了首个仅以碳族元素(第四族)所组成的“锗锡半导体激光器”，这意味着它可以与该族的其它元素相兼容，比如硅和铅。说得再通俗一点，这项研究成果等于是打开了在芯片内使用激光进行通信的大门（不仅比铜布线速度更快、而且也更加节能）。尽管此前有展示过使用了锗激光技术的芯片，但尤里希研究中心的这套方案却更容易实现——因为它可以直接嵌入芯片。 %'"#X?jk1  
(WR&Vt4Rh  
cE/
7B'cR  
来自尤里希旗下“皮特格林贝格研究所”(PGI-9)和“保罗谢勒研究所”(Paul Scherrer Institute)的科学家们已经用锗和锡制成了实验用的附件，并且在硅晶片上进行了测试。 b(_PCVC  
699z@>$}
 
保罗谢勒研究所在测定之后发现，锗锡化合物可以同时产生和放大激光信号，而且锡元素对这种新设备的光学性能显得非常重要。 " _jIqj6C  
^6#FqK+{u  
PGI-9博士生Stephen Wirths补充道：“高含锡量决定了它的光学性能，这是我们首次在晶格中掺入了超过10%的锡而没有损失其光学品质”。 rhMsZ={M  
Sh=E.!  
6b9Ddb*  
目前电子系统中所使用的半导体激光器，主要由元素周期表中的第三族或第五族元素所组成，比如砷化镓。 N)lzX X  
}C/u>89%q  
也正因为如此，由这些材料制成的激光器无法与其它硅基半导体装置直接兼容(不仅困难，而且费力)。此外，由于其连接材料拥有不同的系数，装置的使用寿命也会有所降低。 %Xh/16X${  
_Hl[Fit<j1  
PGI-9博士Dan Buca表示：“这款激光装置可以在有史以来的最低温下工作(零下183摄氏度/零下297.4华氏度)”。相信这款测试系统在优化之后，还会带来更加优异的性能表现。 @SDsd^N{2P  
xM9EO(u  
此外，同步电路的时钟信号可使用高达30%的能量，这样可以在光传输过程中节省大量能量。有关这项研究的全文，可以移步至《自然光子学》(Nature Photonics)杂志上观看。 S+R<wv,6  
Vs]+MAL  
（编译自：Gizmag，来源：Forschungszentrum Jülich）