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    [讨论]冷却水对晶控的影响 [复制链接]

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    离线liyungang
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2014-02-10
    各位,冷却水对晶控有多大影响,讨论下。
     
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    离线morningtech
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    只看该作者 1楼 发表于: 2014-02-13
    对于AT切割晶振片,冷却水温度一般在20几度。 i#Z#(D `m  
    正常流量情况下, di~ [Ivw  
    冷却水温度过低, 则晶振片上膜层应力大,不利于镀厚膜。 p3cb_  
    冷却水温度过高,虽可镀膜厚增加,但晶振片温度高,导致进入较大的温度频率效应区域,厚度精度将下降。 7@!3.u1B  
    yO J|t#  
    上海膜林科技有限公司的XDM-3K晶控仪能实时监测晶振片的损耗,膜层应力对此值影响较大。 uVZX53 ,g  
    另一方面,XDM-3K有额外付费的厚度补偿功能,正是为了补偿温度效应带来的厚度计算偏差。 ])Z p|?Y  
    离线sgh920
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    只看该作者 2楼 发表于: 2014-02-18
    回 morningtech 的帖子
    morningtech:对于AT切割晶振片,冷却水温度一般在20几度。 RtF!(gd  
    正常流量情况下, )S|&3\  
    冷却水温度过低, 则晶振片上膜层应力大,不利于镀厚膜。 lLNI5C  
    冷却水温度过高,虽可镀膜厚增加,但晶振片温度高,导致进入较大的温度频率效应区域,厚度精度将下降。
    ....... (2014-02-13 18:59)  9mB] \{^  
    E&> 2=$~  
    请问多少度以下是温度过低
    离线morningtech
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    只看该作者 3楼 发表于: 2014-02-19
    回 sgh920 的帖子
    sgh920:请问多少度以下是温度过低 (2014-02-18 12:58)  UX)QdT45Mh  
    "2`/mt Mon  
    没有绝对的过低温度,大概20度以下吧,还跟工艺有关。 G:Nwi=vN  
    例如,镀金属,本身应力不成问题,低水温的影响就小些。 cxnEcX\   
    镀应力大的介质膜,水温可适当高一点点。有人做过试验,将水温提高到30度以上,晶振片的可使用寿命延长一倍。 pB,l t6  
    但正如前面所说,此时可能会带来较大的频率温度效应,导致厚度准确度有所下降。 k(_^Lq f-  
    7h\U}!  
    XDM-3K晶控仪本身在晶振片的可使用寿命上来说,相同条件下,比常见的3x0系列要长一倍以上。操作上简单得多就不用提了,呵呵。 q5>!.v   
    XDM-3K对频率温度效应产生的厚度误差可进行补偿,这是申请了国家发明专利的。当然此补偿功能额外付费,对担负国家项目的高校和研究所另论,呵呵。 h{CyYsQ  
    morningtech.cn,有对该晶控仪稍详细介绍。 Dos';9Uq  
    离线liyungang
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    只看该作者 4楼 发表于: 2014-02-19
    回 morningtech 的帖子
    morningtech:没有绝对的过低温度,大概20度以下吧,还跟工艺有关。 W";Po)YC  
    例如,镀金属,本身应力不成问题,低水温的影响就小些。 GD#W=O  
    镀应力大的介质膜,水温可适当高一点点。有人做过试验,将水温提高到30度以上,晶振片的可使用寿命延长一倍。 ` NWmwmWB"  
    但正如前面所说,此时可能会带来较大的频率温度效应,导 .. (2014-02-19 09:47)  !-q)9K?  
    hr/|Fn+kA  
    我们的设备就是怀疑水温有影响,厂家也说有这种可能。 iI!g1  
    可有个奇怪的现象,我先镀低折射率材料再镀高折射率的材料,晶控显示的和稳定;但如果我先镀高折射率在镀低折射率交叉膜层的时候,显示的就不稳定,这该怎么解释、?
    离线morningtech
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    只看该作者 5楼 发表于: 2014-02-19
    回 liyungang 的帖子
    liyungang:我们的设备就是怀疑水温有影响,厂家也说有这种可能。 mbZ g2TTy  
    可有个奇怪的现象,我先镀低折射率材料再镀高折射率的材料,晶控显示的和稳定;但如果我先镀高折射率在镀低折射率交叉膜层的时候,显示的就不稳定,这该怎么解释、? (2014-02-19 11:23)  =lS@nRH  
    rcG-V f@  
    镀金之前通常要打底,解决的是牢固度的问题。 ~Ec@hz]js  
    你问题中可能的原因是二者附着牢固度不同,你的低折射率相当于打底了。 mNr<=Z%b  
    f'B#h;`  
    前面所谓有效的使用寿命,从晶振片的稳定性上来分的。 UJGmaE  
    稳定性,反应的是晶振片谐振时的能量损耗。损耗越大,稳定性越差。 dV+GWJNNE  
    能量损耗牵涉到了膜层的结构及应力问题。附着不良,声波传递中损耗大,稳定性是会差一些。
    离线liyungang
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    只看该作者 6楼 发表于: 2014-02-20
    回 morningtech 的帖子
    morningtech:镀金之前通常要打底,解决的是牢固度的问题。 h;sdm/  
    你问题中可能的原因是二者附着牢固度不同,你的低折射率相当于打底了。
    前面所谓有效的使用寿命,从晶振片的稳定性上来分的。 }9ZcO\M  
    ....... (2014-02-19 17:04)  R^F\2yth-  
    sy.U] QG  
    使用的药品是氧化钽和氧化硅,应该氧化硅和晶振片的附着力会更好吧,现在就是第一层镀氧化硅就会调频
    离线morningtech
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    只看该作者 7楼 发表于: 2014-02-23
    回 liyungang 的帖子
    liyungang:使用的药品是氧化钽和氧化硅,应该氧化硅和晶振片的附着力会更好吧,现在就是第一层镀氧化硅就会调频 (2014-02-20 17:37)  CS*wvn;.  
    Fhn=}7|4q  
    "第一层镀氧化硅就会调频。"  什么意思? 前面你说先镀低折射率会好些。 {~"6/L  
    ?Q)z5i'g#  
    根据你的工艺来,实践中哪样更好就哪样吧。 ^3L6mOoA  
    Bld$<uU  
    附着力、应力 与工艺参数关系之间 理论分析比较难。  牵涉到膜裂和形变就更搞不定了。而后两者对晶振片的稳定性影响可能更大。
    离线liyungang
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    只看该作者 8楼 发表于: 2014-02-24
    是我写错了,先镀氧化硅后不会跳频。 >k?/'R  
    最经我把装晶控片的槽认真清理下,效果好一些。
    离线morningtech
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    只看该作者 9楼 发表于: 2014-02-24
    嗯,装晶振片的 Holder 清洁,特别留意那个台阶,那里是接触晶振片电极的地方。另外,Holder与外部接触的双方也要清洁。 弹片周边稍清洁,让两极之间不短路。 ~R]E=/m|  
    ~O)Uz|  
    上海膜林科技有限公司的XDM-3K晶控仪有个申请了发明专利的晶振片损耗值,如果晶振片不良、安装不良或接触不良,反应在损耗值上就是增大。 很容易在安装时就能辨别出来。