讯技光电SimuLase(TM)半导体建模软件

SimuLase™是第一款允许用户在最新半导体中建模的软件工具，这是一个潜能全微观主体模型，允许确定/预测必要的电光特性，如增益/吸收折射率，自发辐射（发光图像），由于辐射导致的载波损耗和Auger损耗等，删除fir-parameter后可以达到前所有未有的精度。 _3A$zA  
!6<2JNf  
基于微观计算属性的工具也可以计算宏观特性，例如横向和纵向场光模式，反射和光传输谱，表面-PL光谱等，通过修改无损耗材料PL参数，考虑其腔效应，阈值电流或V(E)CSEL结构操作特性。Simulase也允许将实验结果与和理论值进行简单的比较，潜能微观主体模型的突破性特点已在大量的同行评议期刊中有证明。 .&r] ?O  
seAkOIc  
e;rs!I!Yw  
BAoqO Xv  
SimuLase™提供： %l:%c  
,vg8iRa  
 正确的基本输入，在开启任何可信赖设备时，需要设定其初始输入点，这个数据可以很容易地导入到其他商业软件工具中，作进一步调研； cY\-e?`=4  
 易操作的GUI，可以确定很多结构的基本特性，而不需要任何实验反馈； ?/dz!{JC  
CoJaVLl  
 实验验证模型，在过去的二十年间，实验证实的模型已经在同行评审期刊上发布了五十多篇文章； {j:{wW.  
zK
fb  
 即便您不是微观行业的专家，也可以充分利用这个工具的优势。SimuLase™在自动设计结构时，可以显示所有参数，并充分利用微观模型的fit-parameter优势，允许更改计算参数或使用简化的模型。 *WMcE$w/D  
*%Gy-5hM  
SimuLase™工具： kf"cd1  
>@H:+0h-  
 SimuLase_Designer™ Mqw&%dz'_  
'^Sa|WXq  
 SimuLase_Analyzer™是SimuLase的用户界面（GUI），允许显示和分析SimuLase建立结构的增益分布数据，或从NLCSTR中购买作为咨询协议的一部分。 y"@~5e477$  
d9Rj-e1x  
 SimuLase™允许： HLk}E*.mC  
m} Yf6:cr  
 在不关闭任何信息的情况下，自己设置GainDatabases； IHxX:a/iv  
P.;B V",  
 用集成的SimuLase_Analyzer™分析数据； fVf.u'
.8  
!EpP-bq'*  
 以前所未有的精度和易用性设计、分析和优化设备； C?hw$^w7T  
$ P#k|A
 
 你可以在这里下载一个免费的SimuLase™试用版以及它的使用手册或快速入门指南。 qx_+mCZ  
uY
"88|  
 SimuLase™对下列材料组是有现成的： #exE~@fy-  
DeXnE$XH  
   AlInGaAsP，包括： GaAs, AlAs, InAs, GaP, AlP, InP, AlxGa1-xAs, InxGa1-xAs, InxAl1-xAs, AlxGayIn1-x-yAs, InxGa1-xP, GaAsxP1-x, InAsxP1-x, AlxGa1-xP, InxGa1-xAsyP1-y, AlxGa1-xAsyP1-y, In1-x(AlyGa1-y)xP mGL%<4R,  
w:N\]=Vh  
 (x, y在0.0和1.0之间).   Y;#P"-yH  
f0wQn09  
 AlInGaNAs,  (dillute Nitride) 包括：GaAs, AlAs, InAs, AlxGa1-xAs, InxGa1-xAs, InxAl1-xAs, AlxGayIn1-x-yAs, GaNzAs1-z, InxGa1-xNzAs1-z Hk6Dwe[y  
zhN'@Wj'_  
 (x, y在0.0 和 1.0之间，z 在0.0和0.2之间).   hrcR"OZ~X  
i$og v2J  
 即将推出： Y/@4|9!  
R_@yj]%H=  
 AlInGaN.   <7TpC@"/g  
M5%u>$2  
 所有的版本包含金属层(现在是Ti, Cr和Au)和介电层 (目前是Si3N4, Al2O3, SiO2, Ta2O5, TiO2,和Y2O3). 其它金属和膜层在索取时可以纳入进来(不需要额外费用)。你可以订购SimuLase™之前提到的材料组以外的材料或自定义的混合物。