光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 ]v?@g:iE  
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光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： LY+@o<>  
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M+-*QyCFK  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 4M^=nae  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） ke!?BZx  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） BIH-"vTy  
    高损伤阈值 SbcS]H5Sk  
    可精确控制相位延迟 Lk
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'"`IC\N^  
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PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 Yh7rU?Gj  
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u+dLaVlLJ  
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需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 =-tw5], L  
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应用举例： "WlZ)wyF%  
P=qa::A  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf 1v#%Ei$6`t  
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G`+T+  
K~uXO  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： {baq+  
\-L&5x"x  
.GbX]?dN  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 +2(I1  
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Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 6e(Qwt  
Cmu@4j&  
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Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 z__EYh  
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TABLE 1 UMv.{iEj  
   ]E7F/O/.  
   p5Z"|\  
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SPECTRAL REGION WJ$bf(X*  
SERIES 2iHUZzz\  
MATERIAL r`=+L-!  
f< ia(
d  
Vacuum UV, UV I?]ohG K  
I *lYVY)L  
Lithium Fluoride )(A]Ln4  
w2;eh]k  
Vacuum UV to mid-IR u6?Q3 bvI  
I,II )5rb&M}  
Calcium Fluoride t

G:25T0  
26e]`]!SU  
Vacuum UV to near-IR [O$Wa:< 0x  
I,II .I$qCb|FP  
Fused Silica dFRsm0T  
?e`^P  
Mid-visible to mid-IR FFl!\y*0z  
II 1=r#d-\tR  
Zinc Selenide ?TM,Q  
H[{F'c[e  
Near- to mid-IR @V(*65b2  
II aL*&r~`&e'  
Silicon W~6
EEyD%  
"76]u)  
` w=>I  
2-&k^Gl!:  
6,o~\8ia  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 " f <Z=c  
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c*(bO3
b  
l-fi%Z7C  
]}*R|1  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 %;cddLQ\xY  
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} bQ  
yGI;ye'U  
qJ;jfh!  
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可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） .Fs7z7?Y  
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@"hb) 8ng  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 qT,Te  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 Vdtry@Q  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 .GV;+8HzS  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 j:<n+:HC  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH )n+Lo&C<  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 5}:-h>  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds U}&
2k  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 .)RzT9sg  
%+f>2U4I  
]*vdSr-J  
34z"Pm  
基本指标 YHkn2]^#A  
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Model Vc_'hz]Z  
Optical Material 'w!Cn>  
Nominal ,X#2\r<|  
M}d
_I+  
Frequency `2'#!-  
Retardation Range j!_;1++q  
Useful 5Ec6),+&  
.>CPRVuVI  
Aperture1 LwrUQ)  
)+l\w3^6  
Quarter Wave lU
@]@_<  
Half Wave mZk]l5Lc  
lH#u  
I/FS50 >[MX:Yh  
Fused Silica +Fuqchjq  
50 kHz P=7zs;k  
170nm - 2μm os,* 3WO  
170nm - 1μm >XK PTC5H  
16mm ;hYS6  
Rd2qe /  
I/FS20 `Zf^E >)  
Fused Silica |y&*MTfV4L  
20 KHz 6""G,"B  
170nm - 2μm e91aK  
170nm - 1μm PRr2F-!P  
22mm (0j}-iaQEZ  
TFH\K{DM  
I/CF50 9XPo3;  
Calcium Fluoride xGu r  
50 kHz ?,p;O  
130nm - 2μm 5Y.vJz  
130nm - 1μm EKA#|^Q:NX  
16mm 2HpHxVJ  
t?q@H8  
II/FS20A s8-<m,*  
Fused Silica m5L-67[sB  
20 kHz .l>77zM6  
170nm - 2μm KB%"bqB|  
170nm - 1μm n1JRDw"e$$  
56mm d p2F  
.Si,dc\  
II/FS20B %70~M_  
Fused Silica H$@`,{M629  
20 kHz N03HQ
p)g  
1.6μm - 2.6μm f47Od-\-  
800nm - 2.5μm =4[v3Qx  
56mm )>.&N[
v  
,$+lFv3LE  
II/FS42A xgpi-l  
Fused Silica vI2^tX9  
42 kHz crqpV F]1]  
170nm - 2μm :|_'f
Nd+!  
170nm - 1μm \Kl+ 5%L  
27mm &{>cZh}\  
/e7O$L)   
II/FS42B 7B
b9t  
Fused Silica 1y-y6q  
42 kHz K<pV  
1.6μm - 2.6μm `&KwtvkdI  
800nm - 2.5μm t *1u[~=  
27mm N$h{Yvbn  
$UgA0]qn  
II/FS47A o=21|z  
Fused Silica j<u@j+V  
47 kHz 
TR<<+  
170nm - 2μm 99}(~B  
170nm - 1μm Qk\A c  
24mm KHgBo}6  
7]9 a<  
?mWw@6G,  
ZkAU17f  
II/FS47B V\u>"3BQw  
Fused Silica Cg&e(  
47 kHz RT)d]u  
1.6μm - 2.6μm o>/YAX:.!T  
800nm - 2.5μm Cz72?[6  
24mm /x5rf  
zRq-b`<7V  
II/FS84 >+
]_5qc  
Fused Silica *8#i$w11M  
84 kHz ROk5]b.  
800nm - 2.5μm 3T"j)R_=l  
400nm - 2.5μm !X"K=zt"  
13mm @r#v[I  
Z2TL#@  
II/IS42B R$[#+X!  
Fused Silica x
/;buW-  
42 kHz cJ1#ge%4  
1.6μm - 3.5μm y>72{  
800nm - 2.5μm tcLnN:  
27mm W6"v)Jc>_  
/RHo1  
II/IS84 |`lzfe  
Fused Silica c3:,Ab|  
84 kHz J]&y$?C  
800nm - 3.5μm G`\f  
400nm - 1.8μm EX?MA6U  
27mm }z\_;\7  
QAvir%Y9Q  
II/CF57 VJdIHsI  
Calcium Fluoride A-4h  
57 kHz 4g :>[q  
2μm - 8.5μm COW}o~3-4  
1μm - 5.5μm Y}uCP1v  
23mm FI3)i>CnW  
0%m)@ukb  
II/ZS37 +m8!U=Zi  
Zinc Selenide G8r``{C!  
37 kHz zipS ]YD  
2μm - 18μm (N&lHLy  
1μm - 9μm 'Y56+P\u  
19mm <^z
HE=h"  
yqi^>Ce0  
II/ZS50 jBU4F~1y  
Zinc Selenide H63,bNS s  
50 kHz Z\HX~*,6  
2μm - 18μm 'bo~%WA]n  
1μm - 10μm ]3g?hM6  
14mm 9'{}!-(xR  
+"8,Mh  
II/SI40 UN zlN  
Silicon b|+wc6   
40 kHz )hk   
FIR - THz ~-PjW#J%  
FIR - THz \'9PZ6q{  
36mm gFHTG  
0#ClWynjRO  
II/SI50 yQ^($#Yk  
Silicon e46/{4F,  
50 KHz 6IWxPt~  
FIR - THz OtGb<v<_H  
FIR - THz I_xXDr  
29mm |\U5),m  
'Er:a?88l