光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 g=e~YM85  
:!L>_ f  
3XcFBFE  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： n+D93d9LP  
!0X/^Xv@=  
o?/fObV@(  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 ,A[NcFdCB  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） mGh8/Xt  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） UTVqoCHA  
    高损伤阈值 ]N{jF$  
    可精确控制相位延迟 eOZ"kw"uHu  
"@UyU
L  
'.*`PN5mDq  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 TT^L)d  
&0RKNpwg  
Vc!'=&*  
8fA8@O}  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 ?/}-&A"  
85vyt/.,k  
?X@uR5
?{  
mbXW$E-&R2  
应用举例： =)f5JwZPG  
4P?R "Lk  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf <lP5}F87  
O #5`mo  
hVW1l&s  
Sz-TarTF  
+Uxtxl'  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： ?*:BgaR_  
^?S 
lM  
n!h952"  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 4^7*R  
#B5-3CwB  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 o!zo%#0;#)  
I[KAW"  
G8lTIs4u;  
<])kO`
+G  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 ]%Lk#BA@A  
x.>&|Ej  
-IS$1  
>6:UWvV1  
TABLE 1 LCMn9I  
   ?OC&=}  
   +,UuJ6[n  
x,Z:12H0  
SPECTRAL REGION ,'byJlw_pv  
SERIES \RmU6(;IQ  
MATERIAL 3j\Py'};  
&H/3@A3  
Vacuum UV, UV rTzXRMv@o  
I D 4<,YBvV  
Lithium Fluoride I@ D<rjR  
Z9zsvg  
Vacuum UV to mid-IR /;WFRp.  
I,II EO\- J-nM  
Calcium Fluoride 6c*QBzNL  
e?<$H\  
Vacuum UV to near-IR LRPdA "Z
 
I,II ?3do-tTp  
Fused Silica s:JQV  
8*EqG5OP  
Mid-visible to mid-IR ?tkd5kE  
II 9,$ n6t;  
Zinc Selenide -932[+  
KP CZiu7  
Near- to mid-IR +@MG$*}Oz  
II /U=?D(>x  
Silicon 86W.z6  
6A-nhvDP  
"LM[WcDX  
iz2;xa*  
LDdgI  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 J )UCy;Y  
7o9[cq w  
A[H"(E#k  
WnQ+  
$|K-wN[  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。  )OZ  
V-lp';bD  
.`^wRpa2M  
DYTC2  
\1oN't.  
/e7BW0$1  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） .s>.O6(^%  
&'c&B0j  
Q
\aC:68  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 5 &s<&h  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 XyD*V;.E  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 A5,(P$@k  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 :</KgR0I  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH M! uE#|  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 B dxV [SF  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds B1 xlWdm  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 dyt.(2  
,Ofou8C6  
Cg]S`R-  
&W N R{  
基本指标 `Lr|KuFN  
}M &hcw<  
Y"E*#1/  
Model a t%qowt  
Optical Material c4M]q4]F  
Nominal <'vtnz  
<4%PT2R  
Frequency Q`BB@E  
Retardation Range R?}<CjI  
Useful -{Fy@$!  
K4^mG  
Aperture1 c6LPqPcN  
2Y%E.){  
Quarter Wave zJG=9C?  
Half Wave ig4mj47wJ  
&\<?7Qj3U|  
I/FS50 z`Xc] cPi  
Fused Silica 3'[ g2JR  
50 kHz 1qhSN#s{_  
170nm - 2μm /qweozW_+  
170nm - 1μm [+b&)jN*2  
16mm :6W* ;<o  
y@\J7 h:  
I/FS20 t8t+wi!  
Fused Silica 9~}.f1z  
20 KHz n4 J*04K  
170nm - 2μm Fy^MI*}BZ  
170nm - 1μm t#=FFQOt  
22mm ]Yt,|CPe2  
?xtP\~  
I/CF50 |%fM*F^7/  
Calcium Fluoride DTCOhUIV  
50 kHz <[tU.nh  
130nm - 2μm -qJO6OM  
130nm - 1μm {Zf 9} !qF  
16mm ihopQb+k^m  
|\SwZTr  
II/FS20A _[S<Cb*1  
Fused Silica DQ= /J
r~  
20 kHz I5w>*F  
170nm - 2μm L*1yK*  
170nm - 1μm U$j?2|v-x  
56mm n<Z1i)  
m]'P3^<{P  
II/FS20B '~[JV>5  
Fused Silica w7yz4_:x^  
20 kHz $'Qv {  
1.6μm - 2.6μm xRm~a-rp  
800nm - 2.5μm a fUOIM  
56mm F+?g0w['  
4_h?E:sBb  
II/FS42A `r*bG=  
Fused Silica "[\),7&03  
42 kHz OLyl.#J  
170nm - 2μm v)rQ4 wD:  
170nm - 1μm "j?\Ze*  
27mm X&cm)o%5Fe  
'
"J``=  
II/FS42B 2q%vd
=T  
Fused Silica br4 %(w(d  
42 kHz &\AW}xp  
1.6μm - 2.6μm ,=`iQl3(y/  
800nm - 2.5μm wak'L5GQE  
27mm P6u%-#  
zAO|{m<A2  
II/FS47A ++Fk8R/$U[  
Fused Silica Oq*=oz^~1  
47 kHz tz/NR/[  
170nm - 2μm gR@,"6b3  
170nm - 1μm `8G {-_  
24mm 3Jw}MFFV  
c_FnJ_++f  
K1m'20U  
YQ7tZl;:t  
II/FS47B oE'Flc.  
Fused Silica Qi\"b  
47 kHz KN"<f:u  
1.6μm - 2.6μm u]s}@(+.  
800nm - 2.5μm n_Bi HMIU'  
24mm c^`(5}39v  
=;y(b~  
II/FS84 Z'o'd_g>I+  
Fused Silica Fm
C [u  
84 kHz {V5eHn9/Q'  
800nm - 2.5μm >IE`, fe  
400nm - 2.5μm C^nTLw;K  
13mm \wxLt}T-Q  
l$3YJ.n|s~  
II/IS42B 9O
\N K:2  
Fused Silica b]@@
x;v$@  
42 kHz f%Vdao[  
1.6μm - 3.5μm Vl%jpjqP  
800nm - 2.5μm CC.ri3+.  
27mm c<]~q1  
x`VA3nE9  
II/IS84 d^ZrI\AJ  
Fused Silica Kld#C51X f  
84 kHz zM!2JC  
800nm - 3.5μm 0:qR,NW^#  
400nm - 1.8μm c,_??8  
27mm W;!)Sj4<T!  
vDcYz,  
II/CF57 Jj,fdP#\  
Calcium Fluoride 9y(491"o  
57 kHz {q|Om?@  
2μm - 8.5μm R&9Q#n-  
1μm - 5.5μm xBg.QV  
23mm M*7:-Tb]C  
@szr '&\%A  
II/ZS37 >j_N6B!  
Zinc Selenide )|j?aVqZ  
37 kHz hLF;MH@  
2μm - 18μm jC_m0Iwc  
1μm - 9μm klSAY  
19mm ?"L ^0%  
*g!7P
zJ'  
II/ZS50 )l[bu6bM  
Zinc Selenide 5Za%EaW%G  
50 kHz .l +yK-BZ  
2μm - 18μm l{4rK
qtX  
1μm - 10μm p@iU9K\,  
14mm sG8G}f  
JpC_au7CX  
II/SI40 2tI,`pSU  
Silicon jCp`woV  
40 kHz S0mz
DLgE  
FIR - THz Ji7<UJ30x  
FIR - THz p^*A&7d:P  
36mm  95l)w
 
yrQfPR  
II/SI50 K410.o/=-  
Silicon _q=ua;I&  
50 KHz YG J)_y  
FIR - THz R(on[g_1  
FIR - THz -)Of\4kx  
29mm @~8*  
5`p>BJ+n