光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 >y%$]0F1  
luLm:NWUM  
:NS;y-{^^y  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： QTK\"  
yq\)8Fe  
g#5g0UP)V  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 NfS0yQPx  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） f{
WJM>$:  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） &RpQ2*4n  
    高损伤阈值 mMu3B2nke=  
    可精确控制相位延迟 Xp
._B4g  
j08|zUe  
)d0&iE`@  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 )^g}'V=vIr  
BP*
gnXj  
e+4p__TmZ  
duV|'ntr  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 7Dom[f  
u\&oiwSIP  
G:A~nv9  
9j$ OU@N 8  
应用举例： (!DH'2I[  
CG$S?  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf v?n`kw  
|PDuvv!.f  
:a#]"z0  
fZxZ):7i  
!z58,hv  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： 7:{4'Wr@6|  
T?^AllUZQR  
aSXoYG0\  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 q;tsA"l  
/2Y Nu*v  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 N, ;'oL+  
"p2 $R*ie  
k$k
(g  
)0fQ(3oOg  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 k[y{&f,  
-H'_%~OV(  
wC'KI8-  
\TC&/'7}  
TABLE 1 qJ#?=ITE  
   Q3wD6!'&m  
   #e+%;5\  
~=Er= 0  
SPECTRAL REGION u)R>ozER  
SERIES NVeb,Pf  
MATERIAL I)_072^O  
vlp]!7v  
Vacuum UV, UV .eK1xwhJ  
I #x)G2T'?  
Lithium Fluoride `
Ft`8=(  
)8st  
Vacuum UV to mid-IR Rj+}L ~"  
I,II "g>uNtt~  
Calcium Fluoride MvL%*("4b  
ElqHZ$a?  
Vacuum UV to near-IR W4|1wd}.t  
I,II 8Tt2T} Y  
Fused Silica OA4NXl'  
{BY`Wu:w  
Mid-visible to mid-IR @<W"$_r-  
II dH#S69>  
Zinc Selenide "&Q-'L!M'/  
'[`.&-;  
Near- to mid-IR Vy16Co  
II iWGgt]RJ  
Silicon JNuo+Pq  
+g7Iu! cA  
j)'V_@  
W(~G^Xu  
vb{&T<  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 $J=9$.4"  
HR.S.(t[_  
XMa(XOnX  
oel3H5Nz  
|cWW5\/  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 <W|{zAyv  
I;uZ/cZ|/  
RTHdL  
T>kJB.V:oQ  
fnL!@WF  
.fUqsq  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） N#Qby4w >  
"aB]?4  
a!Z,~ V8  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 wV W+~DJ  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 ;vQ7[Pv.j  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 B%^B_s  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 VskyRxfdW3  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH csH1X/3ha\  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 2ZNTg@o  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds Ga N4In[d  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 NZi5rXN  
n KDX=73  
,5t.0XqS  
S%mN6b~{  
基本指标 uAK-%Uu?  
YOP=gvZq  
&q``CCOF&  
Model 5W 5\*L  
Optical Material jVi''#F?f  
Nominal Yt0 l'B%[u  
Z-Bw?_e_K  
Frequency 3::DURkjf  
Retardation Range )-2OraUm<  
Useful c6E@+xU  
.~ZNlI {K  
Aperture1 mBQ6qmK   
ldI;DoE#U1  
Quarter Wave 4K[U*-\"  
Half Wave Ct$e`H!;  
Ks8S^77  
I/FS50 {hZ_f3o  
Fused Silica QmT]~
4PqS  
50 kHz -UUPhGC  
170nm - 2μm Maf!,/U4  
170nm - 1μm N}>`Xm5'  
16mm )Qp?N<&'  
\qNj?;B  
I/FS20 Y;xVB" (  
Fused Silica {xr4CDP  
20 KHz #RlI([f|&  
170nm - 2μm v)o
kVyv  
170nm - 1μm 3MNo&0M9  
22mm .OX.z~":y  
42ttmN1F  
I/CF50 i/-Xpj]Zf  
Calcium Fluoride 7=Ew[MOmM  
50 kHz `<b 3e(A  
130nm - 2μm M:Xswwq  
130nm - 1μm #f\U
3p  
16mm \96?OCdr  
~O 65=8  
II/FS20A EAj2uV  
Fused Silica wrac\.  
20 kHz iW.8+?Xq&  
170nm - 2μm [fxAj]  
170nm - 1μm qZ6P(5X  
56mm o*'J8El\y^  
@m1vB!  
II/FS20B H2E!A2\m  
Fused Silica |XLx6E2F  
20 kHz 5?kF'yksR  
1.6μm - 2.6μm zw7=:<z=  
800nm - 2.5μm V78QV3  
56mm C8-4 m68"  
Do=*bZ;A  
II/FS42A 4g$mz:vo  
Fused Silica )$#ov-]  
42 kHz bF|j%If%  
170nm - 2μm f|1y?w?I  
170nm - 1μm `~(KbH=]  
27mm w2@ `0  
~Q0jz/#c  
II/FS42B ^ :6v- Yx  
Fused Silica VkRvmKYl  
42 kHz UF|v=|*{#  
1.6μm - 2.6μm eH(
8T  
800nm - 2.5μm iVFHr<zk  
27mm  Ae<v  
++5W_Ooep  
II/FS47A Pi40w+/  
Fused Silica .B6$U>>NS^  
47 kHz g(;t,Vy,I  
170nm - 2μm YaFQy0t%/5  
170nm - 1μm ,CA,7Mu:  
24mm %K\_gR}V  
PHyS^J`  
z<m,X
j4w  
&b iBm  
II/FS47B rk-}@vp  
Fused Silica 9V0iV5?(P  
47 kHz /H:'(W_b;  
1.6μm - 2.6μm QG4#E$c  
800nm - 2.5μm =L 7scv%i  
24mm /IxMRi=  
"6gu6f  
II/FS84 H8`K?SXU  
Fused Silica V+nqQ~pJ&  
84 kHz R1!{,*Gy  
800nm - 2.5μm V2u^sy  
400nm - 2.5μm :eo2t>zF-<  
13mm :cnH@:  
ZcYxH|Gn  
II/IS42B (=j]fnH?  
Fused Silica $f7#p4;}(  
42 kHz 3R !Mfz*  
1.6μm - 3.5μm Vv
B
%,_\  
800nm - 2.5μm #W @6@Mv  
27mm &s_[~g<  
PxM]3Aoa  
II/IS84 THi*'D/  
Fused Silica !}9k @=[  
84 kHz {-PD3 [f"  
800nm - 3.5μm g|9'Lk  
400nm - 1.8μm pa~.[cBI  
27mm 1Yo9Wf;vP  
?>*i8*  
II/CF57 ^+Ie   
Calcium Fluoride G[)Ll=  
57 kHz Q$iYhR  
2μm - 8.5μm 'ZgrN14  
1μm - 5.5μm 7i`@`0   
23mm l`:M/z6"  
Q0Y0Zt,h  
II/ZS37 u%Bk"noCa  
Zinc Selenide ~gNa<t
g"1  
37 kHz [>A%%  
2μm - 18μm WtN o@e'  
1μm - 9μm c_s=>z  
19mm V2W)%c'  
@SF*Kvb&  
II/ZS50 : P>Wd3m  
Zinc Selenide ?\L@Pr|=Dr  
50 kHz w^s|YF=c  
2μm - 18μm @/@#,+  
1μm - 10μm y Rr,+>W  
14mm T\eOrWt/  
h2#G  
II/SI40 X-|Lg.s  
Silicon oyZ}JTl(Q  
40 kHz Ob$|IH8.  
FIR - THz 3R1v0  
FIR - THz Kr3L~4>  
36mm dE=4tqv-r  
d/vF^v*o0X  
II/SI50 +Em+W#i%?  
Silicon nsQx\Tnhx  
50 KHz eGwrSF#a)  
FIR - THz R=yn4>I  
FIR - THz HP}d`C5<R  
29mm 6nV]Ec~3[  
&k*sxW'