光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 FGanxv@15  
zlf}.  
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光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括：  46,j9x  
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%=[
},JQ  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 Q~,YbZ-7  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°）  <!'M} s  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） mJ  
    高损伤阈值 Dy9\O77>  
    可精确控制相位延迟 Ewo~9 4{  
cCdX0@hY  
4zc<GL3[  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 -|_ir-j  
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OkH\^  
F9Z@x)  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 ?&c:q3_-Z  
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应用举例： |!*Xl) ]  
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光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf <n0{7#PDqw  

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KS<Jv;  
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T{Zwm!s  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： 6`e@$(dfA  
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gRgog*z  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 }STYG`  
< K%j  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 ]> G&jd7  
tL(BpL'  
2C "=!'  
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Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 iS: #o>  
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QZYU0; VF  
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TABLE 1 (4+1lOd  
   Q< *8<Oo4g  
   >P(`MSc  
M?@pN<|  
SPECTRAL REGION y\PxR708  
SERIES :L$4*8@`+  
MATERIAL =!0I_L/  
c@du2ICUc  
Vacuum UV, UV :c8^db`"  
I *HlDS22  
Lithium Fluoride +=fKT,-*G!  
2
CLB
1  
Vacuum UV to mid-IR \"^%90F  
I,II 'gTmH[be  
Calcium Fluoride %$mjJw<|&  
%xlpB75N4N  
Vacuum UV to near-IR vXcy#  
I,II AU{:;%.g  
Fused Silica Yp5L+~J[  
Wmz`&nsn[  
Mid-visible to mid-IR AK/:I>M  
II zhsx&  
Zinc Selenide ME+em
1ZH  
'044Vm;/  
Near- to mid-IR #Z9L_gDp  
II r"_Y3SxxL  
Silicon p@I9<^"
 
Cvn$]bt/s  
9([6d.`~  
b9("DZW;  
2*OxA%QELM  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 T\sNtdF`:  
'}{?AUDx  
km 5E)_]  
\ TL82H@D  
uHvaZMu  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 >FFVY{F  
m,6he
e  
T33|';k  
pj|X]4?wdI  
-!dQ)UEP  
,"G\f1  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） uMiyq<  
a$}6:E  
eyB_l
.U7  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 nNR:cGfG  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 Ay$>(;  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 n|KKby.$
  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 0dt"ZSm  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH J(9=T<%T  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 *cNk>y  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds '
JZ_  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 r{ @
`o@q  
KH}t:m+h  
!S,pR
S+  
_*`q(dYcf  
基本指标 A{`]&K1u  
JDhwN<0R  
Xb<)LHA~3  
Model %b<%w   
Optical Material [.3sE  
Nominal yq6LH  
g:i*O^c@  
Frequency ^ f{qJ[,  
Retardation Range 9dYOH)f  
Useful t2.juoI(  
eH[y[~r  
Aperture1 FsY`nWwg  
b|wWHNEdb,  
Quarter Wave gKQ@!UU8  
Half Wave z7q%,yw3N  
:?#cDyW)  
I/FS50 gA+YtU{z  
Fused Silica Cyf]`*  
50 kHz S7#0*2#[o  
170nm - 2μm NDo^B7R-  
170nm - 1μm 0UjyMEiK  
16mm R=8
6w_  
C->[$HcRa  
I/FS20 UJwq n"Q^  
Fused Silica Y[,U_GX/R  
20 KHz 8;.` {'r  
170nm - 2μm !F,s"  
170nm - 1μm +V89J!7  
22mm C~_q^fXJt  
05g?jV  
I/CF50 >I:9'"`  
Calcium Fluoride @`2ozi~lO  
50 kHz cJV!>0ua  
130nm - 2μm 4ioNA/E  
130nm - 1μm .m'N7`VB  
16mm ]E..43  
KM@`YV
_"g  
II/FS20A |{!Ns+'  
Fused Silica q8tug=c  
20 kHz >rRjm+vg  
170nm - 2μm NIL^UN}  
170nm - 1μm N$*>suQ,  
56mm T/Ez*iQW  
Y?e3Bx7*b  
II/FS20B uTUa4^]*  
Fused Silica nu(eLUU  
20 kHz wEv*1y4  
1.6μm - 2.6μm DW4MA<UQ  
800nm - 2.5μm i&5!9m`Cw  
56mm ~Gwas0eNa  
*<;&>w8  
II/FS42A '9Qd.q7s|b  
Fused Silica GMyoSe%1/  
42 kHz GMt)}Hz  
170nm - 2μm a1_o.A  
170nm - 1μm H8x:D3C0  
27mm +Hi{/{k0N  
iiQ||P}5  
II/FS42B X.:
_"+I;  
Fused Silica P[6dTZ!\s  
42 kHz Q0_M-^~WT  
1.6μm - 2.6μm YU*46 hA1B  
800nm - 2.5μm = c/3^e  
27mm 
yqC+P  
.v$ue`  
II/FS47A }.w#X  
Fused Silica ^JiaR)#r  
47 kHz EgCp:L{  
170nm - 2μm mp muziH  
170nm - 1μm _TV2)  
24mm vl>_e  
n,1NJKX  
1\=pPys)  
R,fMZHAG  
II/FS47B d#RF0,Y9  
Fused Silica lS>=y#i3Xv  
47 kHz iRkOH]+K  
1.6μm - 2.6μm DKf}47y  
800nm - 2.5μm Y^T-A}?`  
24mm Y!Usce  

XtnIK  
II/FS84 x Q@&W
;  
Fused Silica mw2rSUI{  
84 kHz *_}IeNc  
800nm - 2.5μm ^Osd/g  
400nm - 2.5μm kJVM3F%  
13mm 1nw$B[  
~Q3WBOjn  
II/IS42B N8u_=b{X  
Fused Silica e_;%F`  
42 kHz }39M_4a&  
1.6μm - 3.5μm ghE?8&@ iq  
800nm - 2.5μm 4Xa.r6T_N=  
27mm v3iDh8.__  
,APGPE}I[  
II/IS84 z{7,.S u  
Fused Silica 7"h=MB_  
84 kHz UEx(~>  
800nm - 3.5μm >'BU*  
400nm - 1.8μm bdNY7|j`  
27mm \= )[  
x`/m>~_  
II/CF57 ,.1&Ff
)S  
Calcium Fluoride 38zR\@'j]4  
57 kHz 6x`\ J2x  
2μm - 8.5μm Q{(,/}kA-  
1μm - 5.5μm t*ri`}a{v  
23mm ?eYchVq  
i2\\!s  
II/ZS37 [:/7OM  
Zinc Selenide 2J>A;x_?  
37 kHz kV]%Q3t  
2μm - 18μm Vj9`[1}1Z  
1μm - 9μm U?+30{hb  
19mm ; HR\R  
s%0[
DO3NV  
II/ZS50 $! fz~  
Zinc Selenide hx2!YNx !  
50 kHz 3P<Zzt%eT  
2μm - 18μm 7csl1|U  
1μm - 10μm yE!7`c.[u  
14mm J$eZLj  
ocDVCCkxg  
II/SI40 =~(LJ
Po6  
Silicon ijR*5#5h  
40 kHz } SWA|x  
FIR - THz "pKGUM  
FIR - THz ]h`E4B  
36mm &6~ncQWu  
tjc5>T[Es8  
II/SI50 t9=|* =;9)  
Silicon cl9;2D"Zm!  
50 KHz AyI}LQm]u  
FIR - THz !:!@dC%8_  
FIR - THz BGk<NEzH  
29mm R'$ T6FB5  
z;z
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