光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 g4eEkG`XTS  
\C{Dui)F  
7lLh4__;`6  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： >Bw<THx  
ol[sX=5 *  
Etj0k} A  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 h+\+9^l6|  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） g36:OK"  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） Q1 t-Z;X  
    高损伤阈值 zh.^> `   
    可精确控制相位延迟 (&Kv]
--  
lRk
)  
kVmRv.zZ  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 2uCw[iZM  
Z
XJ]==  
Hto RN^9  
_YK66cS3E/  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 *XU2%"Sc  
04j]W]8#  
@sr~&YhA  
21T#NYfew  
应用举例： 2@Nt6r  
VxP cC+  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf K]{x0A  
+GYO<N7  
IgmCZ?l&0  
LJ8 t@ui  
,<CFjtelO  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： /!i`K{  
YAdk3y~pL  
k4E2OyCFoJ  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 3>'TYXs-  
?~:4O}5Ax  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 mG*ER^Y@D  
IDY2X+C#U  
6(1S_b=a  
^\f1zg9I  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 o#Viz:  
u*S-Pji,x  
U[R[VY7  
6uTFgSqZ  
TABLE 1 /prR;'ks  
   j[RY  
   &}rmDx  
0'ge}2^  
SPECTRAL REGION v;sWI"Fv!  
SERIES _2a)b(<tF  
MATERIAL (&KBYiwr  
@kPe/j/[1  
Vacuum UV, UV aN;c.1TY  
I P!yOA_)as  
Lithium Fluoride m S4N%Q  
OQJ#>*?  
Vacuum UV to mid-IR nZX`y -AZ  
I,II ri1;i= W  
Calcium Fluoride ]~@
uStHn  
u_=^Bd  
Vacuum UV to near-IR i*)BF
V_-  
I,II pt%*Y.)az  
Fused Silica m7|S'{+!  
D=jtXQF  
Mid-visible to mid-IR vNQ|tmn  
II RgD%pNhI  
Zinc Selenide )B9/P>c  
>H,5MM!  
Near- to mid-IR .Q!pQ"5  
II 5|A"Yz
Y#  
Silicon XE$;Z'Qhjm  
lyzM?lK-  
+&4@HHU{G  
rM`z2*7%d  
m^o?{ (K  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 fP/;t61Z  
jpkKdQX)  
v[\GhVb  
n+1`y8dy  
A\})H  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 2t;3_C  
7po;*?Ox  
u)[i'ceQZ:  
2<E@f0BVAy  
%F87
"v~  
%x8vvcO^t  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） q\/xx`L  
]$!7;P  
[M2xF<r6t  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 OyQ[}w3o|  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 KP_7h/e  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 wAo6:)  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 ao"Z%#Jb~  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH 7|k2~\@q  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 bQ-n<Lx  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds T>irW(  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 N>w+YFM  
^ f[^.k$3d  
I2gSgv%  
>@EwfM4[e  
基本指标
{S`Rr/E|%  
|fY#2\)Yx  
5&_R+g  
Model `('NH]^  
Optical Material P! P` MX  
Nominal R@KWiV  
SC--jhDZ  
Frequency +hcJ!$J7  
Retardation Range Of#"nu  
Useful v8TNBsEL  
`)NTJc$):  
Aperture1 1ZXRH;J40  
:BF WX  
Quarter Wave jGYl*EBx  
Half Wave Li+|%a  
e 8^%}\F  
I/FS50 1[-RIN;U8  
Fused Silica |!J_3*6$>*  
50 kHz ;x&3tN/I  
170nm - 2μm ?4t~z 1.f  
170nm - 1μm GL^ j |1  
16mm @ev^e!B  
}OSfC~5P  
I/FS20 yMOYTN@]  
Fused Silica KP!7hJhw  
20 KHz g`,(O  
170nm - 2μm u1|v3/Q-  
170nm - 1μm ?sxf_0*  
22mm +A%zFF3  
F#o{/u?T  
I/CF50 iig&O(,  
Calcium Fluoride Q;@w\_OR  
50 kHz J?Rp  
130nm - 2μm fN 1:'d  
130nm - 1μm DvTbt?i[  
16mm hDbZ62DDN  
V3_qqz}`r  
II/FS20A =|d5V%mK  
Fused Silica 
<JZa  
20 kHz w$749jGx  
170nm - 2μm 7KtgR=-Lb  
170nm - 1μm
fVq,?  
56mm Koz0Xy  
{9hhfI#3_  
II/FS20B ">s0B5F7  
Fused Silica %Ip=3($Ku[  
20 kHz <4;f?
eu  
1.6μm - 2.6μm tOPkx(  
800nm - 2.5μm B,Jn.YX  
56mm d_98%U+u  
wDs#1`uTq  
II/FS42A }J=zO8OL  
Fused Silica 7.C]ZcU  
42 kHz !Tu.A@  
170nm - 2μm vw` '9~  
170nm - 1μm -Q!?=JNtQ  
27mm ,7e 2M@=  
*oIKddZh  
II/FS42B qche7kg!a  
Fused Silica E eCgV{9B  
42 kHz U7G|4(  
1.6μm - 2.6μm z<BwV /fH}  
800nm - 2.5μm )sapUnqrlR  
27mm '`p0T%w  
B^1Io9  
II/FS47A n6*; ~h5  
Fused Silica A3zNUad;  
47 kHz Iq47^  
170nm - 2μm %;G!gJeE  
170nm - 1μm y] ~X{v  
24mm x[%% )[d  
{K2F(kz?T  
j0jam:.p  
~K|o@LK  
II/FS47B JDC,]  
Fused Silica 14\!FCe)!  
47 kHz WTh|7&  
1.6μm - 2.6μm o6 [i0S  
800nm - 2.5μm yM34GS=,J  
24mm '?!2h'  
bRAf!<3  
II/FS84 wmPpE_{  
Fused Silica ^F1zkIE  
84 kHz o=(>#iVM  
800nm - 2.5μm Bb/aeLv  
400nm - 2.5μm =j~}];I  
13mm Th*mm3D6  
HjN )~<j  
II/IS42B <kor;exeJ  
Fused Silica {EupB?  
42 kHz ~9ILN~91  
1.6μm - 3.5μm r,dxW5v.  
800nm - 2.5μm }(XvI^K[^  
27mm =;xlmndT,  
]H<C Rw  
II/IS84 L9U<E $%#  
Fused Silica kLqFh<  
84 kHz <`m.Vbvm"  
800nm - 3.5μm 'C*NyHc  
400nm - 1.8μm P^LOrLmo8  
27mm f:g<Bz=u)*  
-nT+!3A8  
II/CF57 2jx+q  
Calcium Fluoride zR3Z(^]v  
57 kHz O"9f^y
*  
2μm - 8.5μm J0|}u1?l  
1μm - 5.5μm L=}U
ApK  
23mm L7%'Y}1e.  
;h3*MR  
II/ZS37
4/U]7Y  
Zinc Selenide Q<``}:y|>  
37 kHz |,&!Q$<un  
2μm - 18μm 7"JU)@ U]  
1μm - 9μm Fk(0q/b  
19mm [%nG_np  
=-pss 47  
II/ZS50 z?"5="D  
Zinc Selenide pN]Hp"v  
50 kHz MgMLfgt"V  
2μm - 18μm Pjb9FCA'  
1μm - 10μm a\m10Ih:  
14mm gkk<-j'  
/9w}[y*E  
II/SI40 W@$p'IBwm  
Silicon 6eK^T=  
40 kHz 83l)o$S  
FIR - THz {Rj'=%h  
FIR - THz FVQWz
[N  
36mm D#t5*bwK  
EJtU(HmW  
II/SI50 A#  M  
Silicon ^]R0d3
?>\  
50 KHz fp![Pbms.  
FIR - THz M<~F>(wxA  
FIR - THz G[>-@9_b  
29mm hy)RV=X  
#=.h:_9