光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 !UHWCJ< <w  
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光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： 709/'#- ^  
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    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 ,bTpD!  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） _43'W{%  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） P^'TI[\L9  
    高损伤阈值 'Fq+\J#%  
    可精确控制相位延迟 $'*q]]  
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L5[{taZ,  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 vJ,r}$H3  
W kP`qD3  
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需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 z]+&kNm  
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应用举例： .9NYa|+0  
216=7O2F  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf B,S~Idr}  
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Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： )4#YS$B$@)  
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Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 WAt=T3  
]?G|:Kx$y%  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 Ce/l[v  
q0C%">>1#  
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Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 X$2f)
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TABLE 1 [XE\2Qa8e  
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   1/f{1k  
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SPECTRAL REGION !,|-{":  
SERIES NDUH10Y:[  
MATERIAL hd*GDjmRQ/  
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Vacuum UV, UV B[3u,<opFU  
I Vq
UCcT  
Lithium Fluoride Xub*i^(]  
L} "bp  
Vacuum UV to mid-IR $cWt^B'  
I,II _\.4ofK(  
Calcium Fluoride s:k?-u@  
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Vacuum UV to near-IR G?v!Uv8O  
I,II 7gcR/HNeF  
Fused Silica c@2a)S8Y]  
D;
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Mid-visible to mid-IR *_Vv(
H&  
II ypgM&"eR  
Zinc Selenide jddhX]>I  
]$uC~b   
Near- to mid-IR f^-ot@w  
II mW$Oi++'d  
Silicon 7},oY""8  
DcNp-X40I  
^RJ@9`P&t  
tI@aRF=p]2  
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相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 1>uAVPa  
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3%+!qm  
GM8Q#vc  
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八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 8_E(.]U  
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'A>?aUq]:  
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Oi'y0
S~g  
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可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） Zs]n0iwM'@  
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8k3y"239t  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 R`Fgne$4  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 `#'j3,\6  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 Q5}XD
 
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 2{.g7bO  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH Yn[>Y)  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 Z;V(YK(WO.  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds H[nco#  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 v)T# i
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基本指标 8h0CG]  
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Model ;<q2  
Optical Material Z1jxu;O(  
Nominal ii_kgqT^  
bZ1*
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Frequency Pjk2tf0j`  
Retardation Range Q 8Hl7__^  
Useful m5i
CvOP  
#Lpw8b6  
Aperture1 +WAkBE/  
mW4Cc1*  
Quarter Wave i%!<6K6UT  
Half Wave =3c?W&:  
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I/FS50 y%ij)vQY  
Fused Silica .SjJG67OyA  
50 kHz D h;5hu2"  
170nm - 2μm _qR?5;v  
170nm - 1μm >G8I X^*sG  
16mm bS;_xDXd  
41Z@_J|&  
I/FS20 Cyd/HTNh<  
Fused Silica bJetqF6n  
20 KHz :P}3cl_  
170nm - 2μm b6 %m*~  
170nm - 1μm !p/SX>NJ  
22mm @]%eL  
x;)I%c  
I/CF50 Fy"M 4;7  
Calcium Fluoride 7tXy3-~biz  
50 kHz bwzx_F/  
130nm - 2μm <wk  
130nm - 1μm [:{ FR2*x  
16mm wv\K  
=X?fA,  
II/FS20A iq*im$9J  
Fused Silica s[{[pIH  
20 kHz \KnRQtlI  
170nm - 2μm B;eka[xU  
170nm - 1μm )`rD]0ua;  
56mm F|eWHw?t  
TL2E|@k1]  
II/FS20B 9tJ0O5  
Fused Silica !nSa4U,$w<  
20 kHz n!4\w>h  
1.6μm - 2.6μm {6H[[7i  
800nm - 2.5μm >Xk42zvqn  
56mm sko7,&  
Q__CW5&'u  
II/FS42A F*[E28ia&  
Fused Silica v1 8<~  
42 kHz x6`mv8~9Db  
170nm - 2μm a~7D4G  
170nm - 1μm #+1|O;PB#  
27mm gZ4' w`4r  
RFL* qd4  
II/FS42B -}%J3j|R:  
Fused Silica VkFh(Br<{  
42 kHz G<e+sDQ2  
1.6μm - 2.6μm dhtH&:J<;  
800nm - 2.5μm KMwV;r  
27mm E`oA(x7l  
oj djy#:  
II/FS47A U0_)J1Y
p  
Fused Silica zuLW'a6F-
 
47 kHz t
|iNSy3  
170nm - 2μm K>DN6{hnV;  
170nm - 1μm FE\E%_K'n7  
24mm zbxW U]<S?  
zG#5lzIu,  
:')[pO_FW*  

Y${'  
II/FS47B wnokP  
Fused Silica H7X-\K 1w  
47 kHz P`lv_oV  
1.6μm - 2.6μm D`JBK?~  
800nm - 2.5μm {KWVPeh  
24mm A4tk</A  
wtek5C^  
II/FS84 'Tm1Mh0Fso  
Fused Silica R'v~:wNTNs  
84 kHz =sYILe[  
800nm - 2.5μm fs ufYIf  
400nm - 2.5μm zvV&Hks-  
13mm I1fpX |  
lD,2])>  
II/IS42B - Z,Qj"V  
Fused Silica L~6%Fi&n4  
42 kHz j9NF|  
1.6μm - 3.5μm Ljd`)+`D  
800nm - 2.5μm EbILAJ  
27mm k4ti#3W5eG  
]j3>=Jb;  
II/IS84 Dx-P]j)4x  
Fused Silica wD9K\%jIr!  
84 kHz >R F|Q  
800nm - 3.5μm E
H|+S  
400nm - 1.8μm v1:.t  
27mm Vu5?;|^:  
-$Z1X_~;)<  
II/CF57 u(f  
Calcium Fluoride >1sa*Wf  
57 kHz 6HY): M&?  
2μm - 8.5μm =npE?wK  
1μm - 5.5μm z;qDl%AF  
23mm [KK |_  
z
+"$G  
II/ZS37 4EqThvI{  
Zinc Selenide h0PDFMM<  
37 kHz gI^&z  
2μm - 18μm -%`~3*L  
1μm - 9μm 0zr27ko  
19mm { ptdOrN  
eg;7BZim{  
II/ZS50 lMY\8eobcB  
Zinc Selenide !UT'4Fs  
50 kHz 8o5[tl ?w  
2μm - 18μm FHOw ]"#  
1μm - 10μm t$!zgUJ  
14mm ]pR?/3  
)7 p" -  
II/SI40 Ce}`z L  
Silicon c<$<n  
40 kHz WN'AQ~qA  
FIR - THz ws0qwv#  
FIR - THz r{R-X3s
 
36mm vywB{%p  
Wu][A\3D1  
II/SI50 64/ZfXD  
Silicon D^[l~K  
50 KHz A 6S0dX  
FIR - THz /z-rBfdy^  
FIR - THz -$Fj-pO\  
29mm s>>&3jfM  
?Q]&;5o