研究人员采用热氧化法提升对石墨烯光电性能的调控
美国西北大学研究人员采用一种新的热氧化方法,可在不损害石墨烯晶格结构的前提下提升对其光电性能的调控,向今后制备更快速、轻薄、柔性的电子产品迈进了一步。相关研究成果刊登在2月19日的《自然—化学》杂志上。 石墨烯是由碳原子形成的原子尺寸蜂巢晶格结构材料,硬度超过钻石,同时又像橡胶一样可以伸展。其导电和导热性能超过任何铜线,重量几乎为零。由此,科学家对其能够在众多领域广泛应用寄予厚望。在其应用较多的电子产品方面,许多专家认为它比硅更具竞争力,如转换集成电路和超高速电脑、手机和相关便携式电子设备。 而如何掌握调控石墨烯的电子性能,对于研究人员来说并非易事,这也正是这种材料所固有的一个重大挑战。与半导体硅不同,石墨烯的价带和导带之间为零带隙,而带隙是电学应用的关键,能使材料实现电子流的开与关。如果其很难“关闭”通过的电流,就不适于大量集成电路构成的数字线路。 为了克服这个难点,使石墨烯更能施展本领,世界上很多研究人员都在研发检测各种能够改变该材料的化学方法。由此产生的石墨烯氧化物通常被看作是一种缺陷态的材料,正因为其固有的缺陷及丰富的官能团,为通过化学途径来调控其光电性能提供了可能。最普遍的是自20世纪40年代开发的Hummers方法氧化石墨烯,但其使用的强酸会对石墨烯晶格结构造成不可挽回的损害。 |