Ex33e1: 相干注入,偏心光输入(1) 36 l|;]"&|_]c
Ex33e2: 相干注入,偏心光输入(2) 36 7?);wh 7`
Ex33f: 半共焦腔的全局定义 37 T#[#w*w/
Ex33g: 线型遮光触发TEM10 37 PY&mLux%
Ex33h: 带有旋转末镜的半共焦腔 37 ::-*~CH)
Ex33i: 两种波长的平行平面腔 37
\]dvwN3x
Ex33j: 多光束在同一个谐振腔中传输 37 hf7[<I,jov
Ex33k: 拓展腔与伪反射 38 >t%@)]*N
Ex33l: 谐振腔耦合 39 vkeZ!klYB
Ex33m: 通过正交化确定高阶模 41 Y.#fpG'
Ex34: 单向稳定腔 41 \BO6.;jA
Ex35: 分布式传输通过一个折射面 43 +/" \.wYv
Ex35a: 分布式传输,孔径划分方法 46 ;krIuk-
Ex35b: 分布式传输,入射光中添加相位光栅 48 &VG
Ex35c: 分布式传输,折射面上添加相位光栅 49 q0NToVo@
Ex35d: 光束传播到带有相位光栅的倾斜表面上 50 I8YCXh
Ex35e: 光束传播到带有圆形孔径的倾斜表面上 50 "^Y zHq6
Ex36: 有限差分传播函数 51 \5Y<UJKi
Ex36a: FDP与软孔径 52 }02(Y!Gh
Ex36b: FDP与FFT算法的硬孔径 52 K6|R ;r5e{
Ex37: 偏振和琼斯矩阵 53 7<Y aw,G
Ex37a: 偏振与琼斯矩阵 53 O%px>rdkY
Ex37b: 偏振,表面极化效应 54 jX^_(Kg
Ex37c: 以布儒斯特角入射时透射和反射系数 55 O{Z${TC[
Ex37d: 偏振,古斯-汉欣位移(1) 55 wz BI<0]z
Ex37e: 偏振,采用jsurf/goos命令的古斯-汉欣位移(2) 55 sa"}9IE*8
Ex37f: 采用三维偏振片寻址的双折射楔 56 J93xxj
Ex37g: 通过达夫棱镜之后光束的偏振性质 56 {kr14l*2
Ex38: 剪切干涉仪 56 w"?RbA
Ex39: 传输中的高斯相位因子与古伊位移 57 2IUd?i3~l
Ex40: 相位共轭,有限相互作用长度 58 MV07RjeS
Ex41: 空间滤波对偏振的影响 58 q;7DH4;t
Ex42: 波导光栅耦合器与模式匹配输入 59 Fh|{ib
Ex43: 波导光栅耦合器与反向模式输入 60 +d(|Jid
Ex44: 波导光栅耦合器与带有像差的反向模式输入 60 e^$JGh2
Ex45: 环形非稳腔,工作物质具有聚焦性质 60 yT~x7,
Ex46: 光束整形滤波器 61 yqB!0)
<
Ex47: 增益片的建模 62 R'" c
Ex47a: 满足比尔定律增益的非稳加载腔谐振器 63 Xg*](>/\,
Ex47b: 带有增益片的非稳加载腔谐振器 63 g!9|1z
Ex47c: 带有增益片的非稳加载腔谐振器,单步骤 63 C2\zbC[qm
Ex47d: 点对点控制增益与饱和 63 NB+/S ;`
Ex47e: 点对点控制增益与饱和,多光束的饱和 64 C7DwA/$D
Ex48: 倍频 64 |=MhI5gsx
Ex49: 单模的倍频 64 /'b7q y
Ex50: TE与TM波导模式的外耦合偏振 64 "fW
}6pS
Ex51: 诱导偶极子的TE与TM外耦合计算 65 OkfxX&n
Ex51a: TE模的波导光栅内耦合 65 l@ (:Q!Sk
Ex51b: TM模的波导光栅内耦合 65 +_+j"BT
Ex52: 锥像差 65 6CSoQ|c{
Ex53: 厄米高斯函数 67 8m=O408Q
Ex53a: 厄米高斯多项式 67 0G0(g,3p
Ex53b: 径向偏振光的建构,HG(1,0)和HG(0,1)正交偏振得到 67 EdkIT|c{
Ex54: 拉盖尔函数 68 jL'`M%8O
Ex55: 远场中的散斑效应 68 S4'<kF0z
Ex56: F-P腔与相干光注入 68 b&dv("e
4
Ex56a: 确定理想高斯模式的古伊相位 69 * ^V?u
Ex56b: 在古伊相位附近对注入信号光进行扫面,峰值出现在140° 69 d325Cw?
Ex56c: 通过正交化确定损耗第二小的模式的古伊相位及其建立过程 69 x":o*(rSQ
Ex56d: 相关光注入调制高斯模式(实际孔径) 69 3!vzkBr
Ex56e: 相关光注入调制高斯模式(实际孔径)(续) 69 1X&jlD?
Ex56f: 在纵模空间对注入信号光进行扫描 69 s~9n13z
Ex57: 稳定谐振腔中利用遮光来产生高阶模式 69 Vzo<ma^
Ex58: 高斯光束的吸收和自聚焦效应 70 5t"FNL
<(M
Ex58a: 比尔定律吸收器中的趋肤深度,无吸收情况 71 c&FOt
Ex58b: 比尔定律吸收器中的趋肤深度,有吸收情况 71 MU(I#Prpe
Ex58c: 比尔定律吸收器中的趋肤深度,比尔定律与自聚焦 71 (<8}un
Ex58d: 比尔定律吸收器中的趋肤深度,吸收、自聚焦、像差 71 c+ByEP4EG