《
LED照明应用技术》首先介绍了LED照明的原理,并对面临的问题与挑战进行了讨论;接着详述了LED制造中的几个关键问题,包括衬底、外延、工艺和封装;随后论述了LED的光电特性、LED照明、色彩品质的提高;最后对OLED(即有机LED)技术进行了介绍。
NB@TyU 《LED照明应用技术》可供LED制造业从业人员和相关专业人员阅读,还可作为
材料物理、材料化学等专业教师和学生的参考书。
MjrI0@R 《LED照明应用技术》发光二极管(LED)的应用不再局限于商业性标志,目前正以无可争议的优势转向商用和家用照明领域。LED照明技术兴起于20世纪80年代,当时市售LED还不能发出蓝色
波长的光,而蓝光LED的发明为LED白光照明的实现开辟了道路。从那时起,LED的性能(包括能量效率)得到显著提高,目前已经赶超了荧光灯,且仍有很大的提升空间。
-l2aAK1M 《LED照明应用技术》首先介绍了LED照明的原理,对面临的问题与挑战进行了讨论;接下来的几章内容介绍了LED制造中的几个关键问题,包括衬底、外延、工艺和封装;随后几章的内容包括LED的光电特性、LED照明、色彩品质的提高;最后详述了OLED(即有机LED)技术,它具有当前照明领域中最吸引入的重要的特殊性能。
|tVWmm^m 2]i>kV/,0 WNo",Vc vk>EFm8l 定价:¥ 48.00
=o? Q0 价格:¥ 36.00 可以享受免费送货,货到付款!
5k]xi)% >r8$vQ Gj
S`?L\R.: m_;<7W&p] 目录
CG397Y^ 者序
YZllfw$9 原书序
\fjr`t] 前言
LF?MO1!M 第1章 LED:原理与挑战1
<{"Jy)Uf 1.1
光源领域的革新历史1
3l?-H|T 1.2 LED和照明3
7!kbe2/]' 1.3 LED的工作原理、颜色、效率、寿命和质量8
:.J]s<J(F 1.3.1 LED发出白光:原理与挑战11
8-clL\bm 1.3.2 寿命13
fHc/5uYW 1.3.3 LED的品质15
=E~)svl6g 1.4 LED面临的挑战16
4w<4\zT_U} 1.5 参考文献18
j7u\.xu9 6f^q >YP 第2章 III族氮化物电致发光二极管的衬底20
23_\UTM}1 2.1 简介20
fk!P# 2.2 晶体结构及其与6HSiC和Al2O3的外延关系22
WPXLN'w+ 2.3 异质外延的缺点和约束25
*v6 j7<H 2.3.1 位错25
*s[bq;$ 2.3.2 衬底的解取向27
=T3O; i 2.3.3 外延应力28
?x-:JME0 2.3.4 热应力29
*$/!.e 2.4 GaN在蓝宝石上的MOVPE生长30
n `Ry! 2.4.1 GaN生长30
iLR^ V! 2.4.2 标准2D外延32
/GUbc 2.4.3 3D外延生长33
ckCb)r_ 2.4.4 外延的横向过生长(ELO1S)34
DwBKqhu 2.4.5 各向异性生长35
]Ac&h
aAP 2.4.6 两级ELOGaN生长(ELO2S)36
yD\[`!sWk 2.4.7 使用悬空外延技术的GaN生长38
^`<
%Pk 2.4.8 纳米外延38
=,WW#tD 2.5 大块氮化物衬底40
uL1$yf' 2.5.1 制造结晶GaN的HNPS(高氮压溶液法)41
=(%+S<} 2.5.2 GaN的氨热合成42
aNxq_pRb 2.5.3 GaN的卤化物气相外延(HVPE)42
}
0^wJs 2.6 结论44
WAWy3i 2.7 参考文献44
3<vw#]yL BH+@!H3hf 第3章 III族氮化物高亮度LED51
qQ=\R1l
3.1 简介51
%"{jNC? 3.2 GaN的pn结52
`fm^#Nw 3.3 有源区:InGaN/GaN量子阱54
ujH ^ ML 3.3.1 生长和结构55
Dqh
rg; 3.3.2
光学性质56
cZd{K[fuK 3.4 辐射效率61
$u-yw1FT 3.5 结论与展望63
f.X<Mo 3.6 参考文献64
v$_YZm{!< z&@O\>Q 第4章 二极管工艺设计67
hErO.ad1o 4.1 简介67
n(.U>_
P 4.2 数量级68
,]* MI" 4.3 二极管结构70
p#DJow 4.3.1 常规
芯片(CC)71
s+RSAyU 4.3.2 倒装芯片(FC)71
p;k7\7 4.3.3 垂直薄膜(VTF)72
XA4miQn& 4.3.4 薄膜倒装芯片(TFFC)72
:i8B'|DN5 4.4 晶片级光提取73
LRa^x44 4.5 二极管工艺设计、蚀刻、接触沉积75
cQOc^W 4.5.1 n型接触76
,rZp(moj 4.5.2 p型接触76
,ag:w<km 4.6 蚀刻78
y^xEZD1X6- 4.7 移除衬底79
G$T#ql 4.8 发展趋势79
[ _Nw5_ 4.9 参考文献80
^_C]?D? $lYy `OuC 第5章 封装83
I&lb5'6D 5.1 简介83
N~]
4,~ 5.2 各种封装工艺84
l*(Ml=
O{ 5.2.1 历史背景84
m(6SiV=D9 5.2.2 从晶片到芯片84
~[H+,+XLY+ 5.2.3 带连接引脚的器件86
h:qt?$]J 5.2.4 SMT有引脚器件86
{@tqeu%IM 5.2.5 SMT无引脚器件90
brXLx+H8 5.2.6 其他技术90
DE659=Tq 5.2.7 小结91
rm"C|T4:V 5.3 热管理92
<[W41{ 5.3.1 目的92
+T|M U 5.3.2 散热方式92
qzbpLV| 5.3.3 LED内的散热93
@_
Q 5.3.4 各种封装工艺的比较95
~0 5p+F) 5.3.5 小结97
aUVJ\;V 5.4 LED的光提取97
7F!(60xY 5.4.1 LED的横向光提取97
%n7Y5|Uh 5.4.2 利用
透镜实现垂直光提取98
F
)|0U~ 5.4.3 透镜和密封材料100
S(nZ]QEG 5.4.4 透镜和密封的实现102
rr;p; 5.5 LED器件的特性102
+&j