直流磁控溅射制备a-Si:H膜工艺及其在激光器腔面膜上的应用摘要：利用直流(DC)磁控溅射方法制备氢化非晶硅(a2Si∶ H)薄膜。研究了氢气流量、 溅射源功率对膜的沉积速率、 氢含量 ( CH ) 以及光学性能的影响。通过傅里叶变换红外( FTIR)吸收光谱计算氢含量 ,其最大原子数分数为11 %。用椭偏仪测量了膜的折射率 n和消光系数k , 发现 a2Si∶ H 薄膜的 k值和 n值都随 CH 的增加而减小。 将优化的实验结果用于半导体激光器腔面高反镜的镀制 ,a2Si∶ H 薄膜在808 nm波长处的 n和 k 分别为3. 2和 8 ×10 - 3,获得了良好的激光输出特性。 .4Ny4CMHZ
]czy8n$+
关键词：薄膜；氢化非晶硅；半导体激光器；椭偏仪；折射率；消光系数
