光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 SefF Ci%4  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 07qjWo/t  
光学特征 )RFY2}  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） FDF DB  
l  超大接受角度范围（+/-20°） \COoU("  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） 1)}hzA  
l  高损伤阈值 8rJf2zL  
l  可精确控制相位延迟 6&i])iH  

u*\QVOF   光学头规格
TG?>;It&   型号	$pP c}M[h   材料	iX2exJto   频率	相位延迟范围		zGd[sjL   通光孔径
			evE:FiDm(j   1/4 波长	oP7)   1/2波长
'%|Um3);0p   I/FS50	&!:mL],   Fused Silica	X/%!p<}:'   50 kHz	(O:&RAkk7   170nm - 2μm	v8\_6}*I   170nm-1μm	H Ydt3GtJ?   16mm
k;Qm%B   I/FS20	vfDX~_N   Fused Silica	'SE5sB   20 kHz	l9%ckC*q   170nm - 2μm	m(xyEU   170nm-1μm	l:~ >P[   22mm
dZkKAK:v   I/CF50	IWddJb~hu   Calcium Fluoride	R S Ww4}   50kHz	_Nz?fJ:$@   130nm - 2μm	btC<>(kl&   130nm-1μm	ER!s   16mm
6~!7?FK   II/FS20A	k^q~2   Fused Silica	=` MQKh,   20kHz	#K-O<:s=y   170nm - 2μm	>Wd=+$!I   170nm-1μm	FgP{   56mm
1D"EF   II/FS20B	=td(}3|D Y   Fused Silica	{A MAQ   20kHz	Wb^g{F!W   1.6μm- 2.6μm	XGnC8Be{4   800nm-2.5μm	5}9rp N{y   56mm
F CfU=4O   II/FS42A	L?(1 [jB4G   Fused Silica	.zW.IM}Z   42kHz	1TN+pmc}@   170nm- 2μm	Rh@UxNy\,   170nm- 1μm	}&Xf<6   27mm
V22Br#+   II/FS42B	i94)DWZ^   Fused Silica	pug;1UZ   42kHz	.'1]2/ad   1.6μm- 2.6μm	uF*tlaV6   800nm-2.5μm	]INt9Pvqm   27mm
m0U k*~Gz   II/FS47A	XPi5E"   Fused Silica	51s3hX$   47kHz	kkT=g^D9j   170nm-2μm	mFC9\    170nm-1μm	Pf<BQ*n   24mm
OOz;/kay   II/FS47B	&xFs0Ri(   Fused Silica	c<)O#i@3/   47kHz	%SMP)4Y/R   1.6μm-2.6μm	ARB ^]   800nm-2.5μm	gEq";B%?   24mm
te3\MSv;O   II/FS84	4Z{ r   Fused Silica	+\ B.3%\-   84kHz	ALR`z~1   800nm-2.5μm	`=W#owAF   400nm-2.5μm	kqS_2[=]   13mm
d+7Dy3i|g=   II/IS42B	2s`~<EF N   Fused Silica	wcDb| H&   42kHz	w}(Ht_6q{   1.6μm-3.5μm	HO8x:2m   800nm-2.5μm	Oufdi3 h   27mm
 B}h8c   II/IS84	>D$NEO^   Fused Silica	='.G,aJ9   84kHz	lz0'E'%{P   800nm-3.5μm	[iG4qI   400nm-1.8μm	lHo V>k   27mm
EDGAaN*Q   II/CF57	&G!2T!xx   Calcium Fluoride	Ha!]*wg#   57kHz	bdyE9t    2μm - 8.5μm	5sF?0P;ln   1μm - 5.5μm	_sNJU   23mm
JI~@H /j   II/ZS37	- z"D_5   Zinc Selenide	sJcwN.s   37kHz	(L8z<id<z   2μm - 18μm	I/w=!Ih   1μm - 9μm	*}NJ   19mm
9y&&6r<I   II/ZS50	y{uN+QS   Zinc Selenide	}?z_sNrDk   50 kHz	3ES3,uR   2μm - 18μm	gPM<LO`;i   1μm - 10μm	4>8'.8S   14mm
-MH~1Tw6Z   II/SI40	08 aZU   Silicon	' +[fJ>Le   40kHz	J*'#! xIa   FIR - THz	YumHECej   FIR - THz	ye1h cQ   36mm
7<3eB)S   II/SI50	|R$/oq   Silicon	G~Mxh,aD$>   50 kHz	1W2hd!J7C   FIR - THz	"G @(AE(   FIR - THz	){{]3r   29mm

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