光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 0s)B~  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 ;ELQIHnD"  
光学特征 bL*;6TzRK  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） 6!P];3&o\A  
l  超大接受角度范围（+/-20°） U7O]g'BP  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） bU'{U0lM  
l  高损伤阈值 M7z>ugk"  
l  可精确控制相位延迟 +bK[3KG4F5  

iC- ?F cA   光学头规格
8was/^9;   型号	Ch-56    材料	c*MSd   频率	相位延迟范围		F jdh&9Zc   通光孔径
			L-ans2?   1/4 波长	/?X1>A:*   1/2波长
uV1H iv-   I/FS50	E-h`lDoJ   Fused Silica	w6tb vhcmU   50 kHz	QYDTb=h~   170nm - 2μm	<<F#Al   170nm-1μm	1o)Vzv   16mm
<jdS0YT   I/FS20	*;A I0   Fused Silica	G"!YV#"~   20 kHz	- bL 7M5   170nm - 2μm	^$3 ~;/|   170nm-1μm	L8-    22mm
[{3WHS.   I/CF50	]P/eg$u'I   Calcium Fluoride	G#V5E)Dx   50kHz	VuTH"br6   130nm - 2μm	7kpCBLM(}   130nm-1μm	FI@2KM   16mm
dIv/.x/V   II/FS20A	!ZP1?l30   Fused Silica	$t5 0<1   20kHz	y$@d%U*rW^   170nm - 2μm	.XM3oIaW   170nm-1μm	L^PZ\OC   56mm
 I0ycLx   II/FS20B	n0 :+D R   Fused Silica	3}O.B r|   20kHz	rC]jz$sle   1.6μm- 2.6μm	#|^7{TN    800nm-2.5μm	(zkh`8L   56mm
[o&Vr\.$   II/FS42A	WH :+HNl1d   Fused Silica	e2w$ ":6>   42kHz	2L.UEAt   170nm- 2μm	5n;|K]UW   170nm- 1μm	S8j;oJ2d   27mm
g-xbb&]   II/FS42B	&B3Eq1A   Fused Silica	><iEVrpN   42kHz	X?$Eb   1.6μm- 2.6μm	}|f\'S   800nm-2.5μm	xD#PM |I   27mm
'T[=Uuj"   II/FS47A	%kD WUJZ   Fused Silica	YlOYgr^   47kHz	g92M\5 x9   170nm-2μm	xMg&>}5   170nm-1μm	aA%$<ItH   24mm
9\ TvX!)h   II/FS47B	_J&u{   Fused Silica	Y">tfLIL_   47kHz	18w[T=7)   1.6μm-2.6μm	pPCxa#OV   800nm-2.5μm	~bT0gIc   24mm
uR)itm c?   II/FS84	3hR7 ./   Fused Silica	9<<$uf.B   84kHz	[ K13Jy+   800nm-2.5μm	M4M 4*o   400nm-2.5μm	`{I,!to   13mm
H_;Dq*   II/IS42B	WlP@Tm5g/   Fused Silica	Ndi'b_Sh\   42kHz	fh$U "   1.6μm-3.5μm	F~a5yW:R=)   800nm-2.5μm	k_V1x0 sZ   27mm
=YA%= d_   II/IS84	A4';((OXy   Fused Silica	DS>s_3V   84kHz	y=9a2[3Dz   800nm-3.5μm	cv:nlq)   400nm-1.8μm	KGi@H %NN   27mm
2 T{PIJg3   II/CF57	SfJ/(q   Calcium Fluoride	<!X'- >i%q   57kHz	#CV(F$\1{   2μm - 8.5μm	^1,]?F^   1μm - 5.5μm	dG7sY O@U   23mm
4)2*|w   II/ZS37	%9mB4Fc6b)   Zinc Selenide	0x^$q? \A   37kHz	d;lp^K M   2μm - 18μm	TOMvJ>bF   1μm - 9μm	c}Z,xop<P{   19mm
1I3u~J3]/   II/ZS50	yF0,}   Zinc Selenide	Si]Z`_   50 kHz	~R)w 9uq   2μm - 18μm	rF~q"9   1μm - 10μm	'4Z%{.;   14mm
G&C)`};   II/SI40	86%weU/*   Silicon	~ezCE4^&   40kHz	cIM5;"gLP   FIR - THz	(-dJ0!   FIR - THz	:Yz.Bfli   36mm
WtRy~5A2   II/SI50	Arp4$h   Silicon	[&3"kb   50 kHz	Cc Ni8Wg_   FIR - THz	njUM>E,'   FIR - THz	8-?n<h%8E   29mm

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