光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 !XjvvX"j  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 ^(ks^<}  
光学特征 CPq{M.B  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） G Q&9b_  
l  超大接受角度范围（+/-20°） iSTr;>A  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） R5LzqT,/N:  
l  高损伤阈值 e&dE>m  
l  可精确控制相位延迟 ; 6Wlu3I  

[Rh[Z#6   光学头规格
?^i$} .%W   型号	%?^T^P   材料	V:h-K`~/   频率	相位延迟范围		GS|sx   通光孔径
			@Taj++ua   1/4 波长	7<Fp3N 3   1/2波长
kJ6=T6s   I/FS50	!FweXFl   Fused Silica	-Iz&/u*}f   50 kHz	hWK}] gF   170nm - 2μm	`nccRy<l   170nm-1μm	wiWpzJz   16mm
DpIv <m]   I/FS20	>;',U<Wd   Fused Silica	**rA /*Oc   20 kHz	U^4 /rbQ   170nm - 2μm	 ^o+}3=   170nm-1μm	^(I4Do~}   22mm
-bHQy:   I/CF50	CW k#Amt.   Calcium Fluoride	:>to?~Z1   50kHz	@sly-2{e1   130nm - 2μm	o+W5xHe^1   130nm-1μm	@psyO]D=j%   16mm
-;_`>OU{   II/FS20A	G#/} _P   Fused Silica	G l+[|?N   20kHz	@SA*7[?P   170nm - 2μm	*>!O2c   170nm-1μm	<@FOqi{o{   56mm
O=}4?Xv   II/FS20B	g(t"+ P   Fused Silica	<,d.`0:y   20kHz	HlqvXt\   1.6μm- 2.6μm	'v^CA}   800nm-2.5μm	2Yt#% bj7^   56mm
\P]w^   II/FS42A	v_f8zk   Fused Silica	3jPua)=p   42kHz	J#B% #X   170nm- 2μm	<=8REA?   170nm- 1μm	Zrp`91&I   27mm
[-!    II/FS42B	x[7jm"Pz   Fused Silica	ghm5g/   42kHz	!=@Lyt)_b   1.6μm- 2.6μm	v4!zB9d   800nm-2.5μm	hK9Trrwau   27mm
e{8z1t20:   II/FS47A	!YL|R[nDH|   Fused Silica	Pl<r*d)h   47kHz	{g}!M^|   170nm-2μm	%3scz)4$   170nm-1μm	an^"_#8DA@   24mm
GHeJpS   II/FS47B	/*g3TbUs   Fused Silica	`O(ec   47kHz	SCE5|3j   1.6μm-2.6μm	\|nF55W [   800nm-2.5μm	f>ohu^bd   24mm
mh]'/C_*<w   II/FS84	Rkm1fYf   Fused Silica	-4`Wkkhu   84kHz	#}L75   800nm-2.5μm	^D\1F$AjC   400nm-2.5μm	#+HLb   13mm
xRYL{+   II/IS42B	4k_&Q?1   Fused Silica	sfi.zuG   42kHz	V%'`nJ!   1.6μm-3.5μm	Qk<W(   800nm-2.5μm	"P HkbU   27mm
W-q2|N K   II/IS84	1C\OL!@L   Fused Silica	Y~Y-L<`I   84kHz	?>5[~rMn   800nm-3.5μm	t m?[0@<s   400nm-1.8μm	zF6R\w   27mm
ES!$JWK|   II/CF57	c^vPd]Ed   Calcium Fluoride	By{zX,6'   57kHz	qPZ'n=+   2μm - 8.5μm	}]_/:KUt   1μm - 5.5μm	Wr Ht   23mm
XJy~uks,   II/ZS37	r2}u\U4>   Zinc Selenide	=gS?atbX   37kHz	Ig75bZz    2μm - 18μm	$&/JY   1μm - 9μm	GZ0? C2\   19mm
w naP?|/   II/ZS50	tFt56/4   Zinc Selenide	=r"8J5[f   50 kHz	)o)<5Iqh   2μm - 18μm	 ;q]Jm   1μm - 10μm	[ qt hn[3   14mm
RY'f%c   II/SI40	b/'{6zn   Silicon	hc OT+L>   40kHz	AE`X4q   FIR - THz	`s5<PCq   FIR - THz	CsHHJgx   36mm
tJ[yx_mf   II/SI50	-SZXUN   Silicon	a5=8zO#%g   50 kHz	<WFA3   FIR - THz	0+MNu8t   FIR - THz	q/U(j&8W{   29mm

ST$~l7p  
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