光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 ml\2%07  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 VyWPg7}e  
光学特征 Jh!'"7
 
l  大通光孔径（15到30mm，标准） %K7wScz7  
l  超大接受角度范围（+/-20°） R^ &nBwp  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） 4 /Q4sE~<  
l  高损伤阈值 G ;fc8a[X  
l  可精确控制相位延迟 lJ$j[Y  

Ks_B%d   光学头规格
MF]EX   型号	W1;u%>Uh   材料	ccm(r~lhJ   频率	相位延迟范围		F* h\#?   通光孔径
			\\{+t<?J   1/4 波长	j]5mzz~   1/2波长
lOJ3_8   I/FS50	WO<a^g {   Fused Silica	B>XfsZS   50 kHz	g+  P   170nm - 2μm	-lDAxp6p   170nm-1μm	3wf&,4`EX   16mm
7v{s?h->$   I/FS20	qrxn%#\XP   Fused Silica	hCFgZiH2   20 kHz	I {&8iUN   170nm - 2μm	[t}\8^y   170nm-1μm	Yp(F}<f?   22mm
%UnL,V9)   I/CF50	SE;Yb'   Calcium Fluoride	unZYFA}(   50kHz	>jH%n(TcC   130nm - 2μm	K|^'`FpPO   130nm-1μm	NPY\ >pf   16mm
# BLmT-cl   II/FS20A	(W'.vEl   Fused Silica	L^><APlX   20kHz	dw"{inMf   170nm - 2μm	.{ +Obi   170nm-1μm	4k4 d%   56mm
hiBZZ+^[   II/FS20B	l Taw6;   Fused Silica	*uG!U%jY)   20kHz	Ap)[;_9BD   1.6μm- 2.6μm	jSc!"Trl]   800nm-2.5μm	uW4wTAk;qh   56mm
4_&+]S   II/FS42A	Z?"f#   Fused Silica	|b^+= "   42kHz	#ssSs]zl   170nm- 2μm	>xB[k-C4   170nm- 1μm	.`@)c/<0   27mm
_G0_<WH6   II/FS42B	T_3JAH e   Fused Silica	uzgQ_   42kHz	s.]<r5v7   1.6μm- 2.6μm	8DLj?M>N   800nm-2.5μm	RF$2p4=[   27mm
"J(0J   II/FS47A	C(@#I7G   Fused Silica	,C97|6rC   47kHz	g*]/HS>e<G   170nm-2μm	CaE1h9   170nm-1μm	6#gS`X23Y   24mm
]qpLaBD   II/FS47B	TG^?J`   Fused Silica	8 ;\   47kHz	R q |,@   1.6μm-2.6μm	1~aP)q   800nm-2.5μm	::`#qa4!   24mm
u(W+hdTap=   II/FS84	cM 5V%w   Fused Silica	kfj)`x   84kHz	uw>O|&!   800nm-2.5μm	%<]4]h   400nm-2.5μm	[@;q#.}Z   13mm
#ExNiFZ   II/IS42B	5x?YFq6k   Fused Silica	{a9( Qi   42kHz	~;S   1.6μm-3.5μm	50jZu'z:   800nm-2.5μm	>K;DBy*   27mm
$s]vZ(H   II/IS84	)sZJH9[K   Fused Silica	c$P68$FB   84kHz	tN1xZW:   800nm-3.5μm	MP_LdJM1E   400nm-1.8μm	+S6(Fvp   27mm
}5]2tH${   II/CF57	h ]6:`5-   Calcium Fluoride	xNOArb5e5   57kHz	+oevNM   2μm - 8.5μm	Kg6[   1μm - 5.5μm	i9koh3R\   23mm
/nWBol,   II/ZS37	?RQ_LA;   Zinc Selenide	(|9t+KP   37kHz	/N9ct4 {^   2μm - 18μm	;_p$5GVR|   1μm - 9μm	Rl{e<>O\^   19mm
v8 l3{qq   II/ZS50	c]%~X&Tg`   Zinc Selenide	N@#,YnPI   50 kHz	'4ip~>3?w   2μm - 18μm	W+Q^u7K   1μm - 10μm	|}><)}   14mm
rt0_[i   II/SI40	 <BiSx   Silicon	\k 6'[ln   40kHz	lc[)O3,,B   FIR - THz	363KU@`   FIR - THz	*$Z,kZ^^   36mm
.]w=+~h   II/SI50	Qg]+&8!*   Silicon	Mz6PH)e;   50 kHz	b.j$Gna>Q   FIR - THz	D/YMovH%   FIR - THz	{n\ Ai3F-   29mm

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