光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 vbB
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PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 O#k6' LN?  
光学特征 2hkRd>)&
5  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） % !>I*H  
l  超大接受角度范围（+/-20°） "a"]o  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） WKIoS"?-F  
l  高损伤阈值 7:3$Ey  
l  可精确控制相位延迟 &LVn6zAba  

ayD}r#7   光学头规格
kg3EY<4i   型号	<$~mE9a6   材料	0_"fJ~Y^J   频率	相位延迟范围		M:3h e   通光孔径
			?5cI'   1/4 波长	xAe~]k_D   1/2波长
"WK{ >T   I/FS50	?1$fJ3   Fused Silica	z3M6V}s4   50 kHz	rKf-+6Na   170nm - 2μm	Z->p1xkX   170nm-1μm	l 0c A6b   16mm
[tA;l+Q\&   I/FS20	[P7N{l=I   Fused Silica	9Z'8!$LYg   20 kHz	uYil ?H{kH   170nm - 2μm	R>"OXFaE   170nm-1μm	qt 2d\f   22mm
D]~MC   I/CF50	K7Wk6Aw   Calcium Fluoride	Z%Zd2 v   50kHz	#x3ujJ   130nm - 2μm	`poE6\   130nm-1μm	?Poq2   16mm
'07P&g-   II/FS20A	sWblFvHqrU   Fused Silica	HnCzbt@   20kHz	:2-pjkhiwY   170nm - 2μm	)Ocl=H|=   170nm-1μm	/BV03B   56mm
mAW,?h   II/FS20B	H0SQ"?   Fused Silica	}HYjA4o\A   20kHz	%v7[[U{T   1.6μm- 2.6μm	uDSxTz{   800nm-2.5μm	G0;XaL:   56mm
e-*.Ca   II/FS42A	| j a-   Fused Silica	'ao"9-c   42kHz	e|D;OM   170nm- 2μm	w MP   170nm- 1μm	y>|{YWbp?   27mm
mzc 4/<th   II/FS42B	[.*;6y3   Fused Silica	aKJQm'9Ks   42kHz	1`9xIm*9w   1.6μm- 2.6μm	k`p74MWu   800nm-2.5μm	BC;:   27mm
z)=+ F]   II/FS47A	@L:>!<   Fused Silica	JA_BKA   47kHz	SdwS= (e6   170nm-2μm	^e>Wo7r   170nm-1μm	] $\|ktY!   24mm
=)` p_W   II/FS47B	-"[<ek   Fused Silica	&gE 75B   47kHz	STw#lU) %(   1.6μm-2.6μm	^3FE\V/=   800nm-2.5μm	BEgV^\u   24mm
.eO?Z^   II/FS84	-+em!g'   Fused Silica	pdEiqLhH   84kHz	fiN3xP]V   800nm-2.5μm	{E0z@D)U-   400nm-2.5μm	[e4]"v`N   13mm
3#45m+D   II/IS42B	zb Z4|_   Fused Silica	z>06hBv(?Y   42kHz	D\YE^8/   1.6μm-3.5μm	5rV((   800nm-2.5μm	ulJX1I=|p   27mm
2',w[I   II/IS84	?kz+R'   Fused Silica	EmT`YNuc   84kHz	wB{;bB{   800nm-3.5μm	1uk0d`JL   400nm-1.8μm	(x$9~;<S*d   27mm
R1W}dRE}   II/CF57	v^7LctcVm   Calcium Fluoride	e~T@~(fft   57kHz	s{4\xAS>   2μm - 8.5μm	b]JI@=s?   1μm - 5.5μm	W Qc>   23mm
LR,7,DH$9'   II/ZS37	e%>b+Sv   Zinc Selenide	CCGV~e+   37kHz	PSmfiaThwo   2μm - 18μm	@MK"X}3   1μm - 9μm	=_8Tp~j   19mm
@i3bgx>_o   II/ZS50	"uPy,<l   Zinc Selenide	M#@aB"@J>   50 kHz	.\qj;20 W   2μm - 18μm	9ElCg"   1μm - 10μm	VNtPKtx\   14mm
Sj(F3wY   II/SI40	1Fi86   Silicon	g3%t8O/M   40kHz	-gz0md|Y   FIR - THz	JkA|Qdj~Mr   FIR - THz	z K+52jhi   36mm
pNE(n4v   II/SI50	N|2y"5   Silicon	-)y%~Zn   50 kHz	Pu>N_^ C   FIR - THz	Ut)r& ?   FIR - THz	jAsO8   29mm

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