光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 2t%)d9r32  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 !+U.)u9 '  
光学特征 +=v|kd  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） W%x#ps5%  
l  超大接受角度范围（+/-20°） p*G_$"KpP  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） Rp1OC  
l  高损伤阈值 7O j9~3o4  
l  可精确控制相位延迟 oUH\SW8?  

?*HlAVDcFT   光学头规格
/on p<u   型号	0td;Ag   材料	u Wtp2]A   频率	相位延迟范围		.x&>H   通光孔径
			)yJjJ:re   1/4 波长	) PtaX|U   1/2波长
1JY4E2Q   I/FS50	1'iRx,   Fused Silica	|?8wyP   50 kHz	HD|5:fAqA   170nm - 2μm	1=>$c    170nm-1μm	(s*}=   16mm
9;jfg|x1[   I/FS20	Nz8iU@!a   Fused Silica	E[y?\{   20 kHz	s<{c?4T   170nm - 2μm	'5IJ;4k   170nm-1μm	GY >0v   22mm
-kkXyO8js   I/CF50	!eW<4jYB   Calcium Fluoride	%(i(ZW "   50kHz	IkupW|}rc   130nm - 2μm	({)_[dJ'   130nm-1μm	/dO&r'!:   16mm
RZ -w,~   II/FS20A	DZvpt%q   Fused Silica	Jv5G:M5+~   20kHz	 K_xn>   170nm - 2μm	.Xr_BJ _   170nm-1μm	U6{ RHS[   56mm
yy9Bd>   II/FS20B	`g#\ Ws   Fused Silica	'lWNU   20kHz	D/U o?,>8   1.6μm- 2.6μm	E-RbFTVBA   800nm-2.5μm	H _x35|"   56mm
zMDR1/|D   II/FS42A	^b4o 0me   Fused Silica	q.*qZ\;K   42kHz	{KR/ TQ?A   170nm- 2μm	8`*(lKiL   170nm- 1μm	$.`(2   27mm
ivt\| >   II/FS42B	#df Aqg'   Fused Silica	CnO$xE|{   42kHz	]UM wpL&rY   1.6μm- 2.6μm	yfV{2[8ux   800nm-2.5μm	c$p1Sovw   27mm
OuX/BMG   II/FS47A	0DN:{dJz   Fused Silica	/wmJMX   47kHz	W2REwUps   170nm-2μm	[QeKT8   170nm-1μm	3b|.L Jz+   24mm
}D0j%~&"e   II/FS47B	]J~5{srq:   Fused Silica	#Qkl| h   47kHz	a"~W1|JC"   1.6μm-2.6μm	z8A`BVqI   800nm-2.5μm	ow+ NT   24mm
IUzRE?Kzf   II/FS84	i2y?CI   Fused Silica	m|p}Jf!   84kHz	LV`- eW   800nm-2.5μm	t #kmtJC   400nm-2.5μm	7/Ew(X8Fs   13mm
wd u>3Ch"y   II/IS42B	dNIY`u   Fused Silica	XfB;^y=u8   42kHz	&H*F   1.6μm-3.5μm	Y8Mo.v   800nm-2.5μm	K?P.1H`   27mm
qbB.Z#w   II/IS84	x`a@h\n   Fused Silica	Il!iqDHz3   84kHz	ucTkWqG   800nm-3.5μm	x!S8'   400nm-1.8μm	594$X@!v   27mm
!5x"d7   II/CF57	3<B{-z   Calcium Fluoride	&u$l2hSS   57kHz	 c,x2   2μm - 8.5μm	u{8Wu;   1μm - 5.5μm	?jy^ WF`   23mm
ZN ^9w"A   II/ZS37	3"%:S_[   Zinc Selenide	{d=y9Jb^   37kHz	vw3%u+Z&   2μm - 18μm	)07M8o!^l   1μm - 9μm	df}B:?Ew.   19mm
vrh}X[JEw'   II/ZS50	uPb9j;Q?   Zinc Selenide	;9d(GP}eE   50 kHz	%$Mvq&ZZ   2μm - 18μm	))u$j4V   1μm - 10μm	;sb0,2YyP   14mm
lkB ab$S)   II/SI40	v^JyVf>   Silicon	!i{@B   40kHz	}?"f#bI   FIR - THz	CEt_wKzf   FIR - THz	HH8a"Hq)   36mm
S =eP/   II/SI50	 5Gg`+o   Silicon	UIbVtJ   50 kHz	to+jQ9q8   FIR - THz	7J##IH+z35   FIR - THz	o"K{^ L~u   29mm

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