出售、供应Silicon Sensor光电二极管

德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商，具有很强的研发和制造能力，提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管，在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 *{)[:;  
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 Silicon Sensor公司成立于1991年，总部位于柏林，并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部，目前有超过300名雇员。 lWd)(9Kj  
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    顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 MS_&;2  
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图片:PIN响应曲线.jpg

图片:APD响应曲线.jpg

图片:1.jpg

图片:3.jpg

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    PIN光电二极管 #fzvK+  
型号    特性    特性参数    应用领域 WFjNS'WI_  
PIN2    紫外/蓝光增强    光谱范围200~1100nm    紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 L!3{ASIN0  
PIN5    高速    上升沿时间<5ns    脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 Y^2`)':  
PIN5t    高速、低压应用    上升沿时间<5ns    脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 +}I[l,,xy  
PIN6    低暗电流    暗电流<1nA    脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 o3
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PIN6b    蓝光增强（保持低暗电流）    蓝光响应强，暗电流<0.5nA    荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 |\XjA4j  
PIN7    低结电容    结电容和其它款相比小一半以上    高速光测定、医疗设备 *~lD;{2  
PIN Q    红外1064nm优化    红外响应强    高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 42Tjbten_u  
     7iLm_#M  
PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 +T"kx\<  
Order number    Type No.    Active Area    Dark current (nA)    Rise time (ns)     Zo-E0[9  
    Chip    Package    Size (mm)    Area (mm&sup2;)    5 V     410 nm | 5 V | 50 Ω     g4oFUyk{  
500981    PS1-2    LCC6.1    1.0 x 1.0    1    0.01    50     gTH1FR8$y  
i"F'n0*L  
501103    PS1-2    TO52    1.0 x 1.0    1    0.01    50     |pqLwnOu  
e ! 6SJ7xC  
500041    PC10-2    TO5    Ø 3.57    10    1    300     ^G~W}z?-  
n
&r-  
501261    PS100-2    BNC    10 x 10    100    10    2000     TEh]-x`  
 !|9$  
500047    PS100-2    CERpin    10 x 10    100    10    2000     5w@
;B  
b+OLmd  
501231    PS13-2    TO5    3.5 x 3.5    13    1    400     uQ vW@Tt  
Hm-+1Wx  
501232    PS33-2    TO8    5.7 x 5.7    33    2    800     I{_St8  
>#$(M5&}-  
500046    PC5-2    TO5    Ø 2,52    5    0.3    150     c1jHg2xim  
7B"J x^  
500045    PC50-2    BNC    Ø 7.98    50    5    1000     f0IljY!.  
m{JiF-=u  
501230    PS7-2    TO5    2.66 x 2.66    7    0.4    200     _-o*3gmbQ  
wf=#w}f  
雪崩二极管（APD） v@XQ)95]F  
APD型号    特征    特性参数    应用领域 >tr_Ypfv,c  
APD8    高速、高增益    上升沿时间ps量级    激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 r{YyKSL1*K  
APD9    近红外波段增强    近红外响应增强    激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 &VY;Al  
APD10    1064nm波段增强    1064nm波段响应增强    1064nm光追踪、测距、荧光探测 9x;/q7  
APD11    蓝光增强    蓝光波段响应增强    分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 T!"<Kv]J  
APD12    红光增强    蓝光响应强，暗电流<0.5nA    激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 ojs&W]r0Z  
Zj<oh8  
APD系列-8 高速/高增益 JjfNH ~  
Order number    Type No.    Active Area    Dark current (nA)    Breakdown voltage (V)    Rise time (ns)     d;mQ=k 1  
    Chip    Package    Size (mm)    Area (mm&sup2;)    M = 100        M = 100     #_2V@F+,  
501810    AD100-8    LCC6.1    Ø 0,1    0,008    0,05    80 - 200*    max. 0,18     Jtd@8fVi  
\S=!la_T@m  
501811    AD100-8    LCC6.1f    Ø 0,1    0,008    0,05    80 - 200*    max. 0,18     j /)cdP  
yz9`1R2c  
500011    AD100-8    TO52S1    Ø 0,1    0,008    0,05    80 - 200*    <0,180      ,H1J$=X'  
}E*d)n|  
501171    AD100-8    TO52S3    Ø 0,1    0,008    0,05    80 - 200*    <0,180     !Ya 
+  
>:W)9o  
501078    AD230-8    LCC6.1    Ø 0,23    0,04    0,3    80 - 200*    typ. 0,18     JEdtj1v{O  
\CUxGyu  
501079    AD230-8    LCC6.1f    Ø 0,23    0,04    0,3    80 - 200*    typ. 0,18     7KRc^ *pZs  
$C9<{zX
 
500019    AD230-8    TO52S1    Ø 0,23    0,04    0,3    80 - 200*    0,18     K[~Wj8W0  
@ RTQJ+ms  
500022    AD230-8    TO52S3    Ø 0,23    0,04    0,3    80 - 200*    0,18     XhWMvme  
mH;Z_ME"  
501077    AD500-8    LCC6.1    Ø 0,5    0,2    0,5    80 - 200*    typ. 0,35     g_0"T}09(  
X-:Ni_O\ty  
501076    AD500-8    LCC6.1f    Ø 0,5    0,2    0,5    80 - 200*    typ. 0,35     Mky$#SI11  
zesEbR)j  
500030    AD500-8    TO52S1    Ø 0,5    0,2    0,5    80 - 200*    0,35     <Ks?g=K-  
/D1Bf:'(  
500305    AD500-8    TO52S2    Ø 0,5    0,2    0,5    80 - 200*    0,35     zHb<YpU  
*9j9=N?  
500155    AD500-8    TO52S3    Ø 0,5    0,2    0,5    80 - 200*    0,35     "sT`Dhr  
:Jhx4/10  
500947    AD800-8    TO52S1    Ø 0,8    0,5    2    80 - 240*    0,7     II>X6  
qgI Jg6x/}  
501117    AD1100-8    TO52S1    Ø 1,13    1    4 - 6    80 - 240*    1     U|{WtuR  
M?[lpH3  
500160    AD5000-8    TO8i    Ø 5    19,63    60    80 - 200*    3     P%ZWm=lg
 
ni2H~{]z  
500015    AD1900-8    TO5i    Ø 1,95    3    15    80 - 200*    1,4     &sS k~:  
t$l[ 4 R-  
501194    AD3000-8    TO5i    Ø 3    7,07    30    80 - 200*    2