红外光电探测器

我公司可提供以下光电探测器（光电二极管）： +g1+,?cU  
1.紫外，可见光，红外光电探测器（点元）: xu]Kt+QnSk  
a.德国IFW：SiC材料日盲型紫外探测器，响应200-400nm； Gf~^Xv!T  
b.美国Judson，美国EOS：：Si/UVSi探测器，红外探测器0.5-26um（InGaAs，Ge，InAs，PbS，PbSe，InSb，HgCdTe），位置传感器，四象限探测器； ,N_V(Cx5pt  
c.波兰VIGO：高性能HgCdTe探测器，响应波段2-13um； - ?  i  
d.美国InfraRed：HgCdTe和InSb红外探测器； "~Kph0-  
2.面阵探测器： |XQ\c.A  
a.氧化钒材质，响应8-14um。（1）像素160*120-25um；（2）像素160*120-35umTEC；（3）384×288-25umTEC；（4）像素384×288-25um。 J5f}-W@  
b.铟钾砷（InGaAs）材质，响应波段0.8-1.7um，像素320*240/640*512。 ?%Q=l;W.  
c.硒化铅（PbSe）材质，非制冷32*32，有机芯和组件可选。 QR-pji y  
3.线阵探测器： Ya<V@qd  
铟钾砷（InGaAs）材质，像元256*1和512*1。 a>Aq/=  
4.高速探测器： eAQ-r\h'2  
主要材质紫外硅（UN Si）、铟钾砷（UV InGaAs）、砷化镓（GaAs），有BNC何SMA两种接口，两种接口之间可以转换，速度可达pa级别，有配套前放、电源灯附件。 D^t:R?+  
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