半导体材料与器件表征技术,作者:(美国)施罗德,译者:大连理工半导体研究室

《半导体材料与器件表征技术》详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术，基本上覆盖了所有的电学与光学测试方法，以及非常专业的与半导体材料相关的物理和化学测试方法。作者不但论述了测量中的相关物理问题及半导体材料与器件的参数的物理起源和物理意义，还将自己和他人的经验凝结其中，并给出了具体测量手段，同时指出不同手段的局限性和测量注意事项。 Q1x15pVku/  
本版经修订及扩展，增加了许多逐渐成熟起来的表征技术，如从探测硅晶圆中金属杂质的扫描探针到用于无接触式电阻测量的微波反射技术。本版特色如下： ]0[ot$Da6  
增加了可靠性和探针显微技术方面的全新内容；增加了大量例题和章后习题；修订了500幅图例；更新了超过1200条参考文献；采用了更合适的单位制，而不是严格的MKS单位制。 g!o2vTt5  
《半导体材料与器件表征技术》可作为硕士、博士研究生的教材，也可供高校教师、半导体工业研究人员参考使用。 >oaL-01i  
DIETER K.SCHRODER是亚利桑那州立大学电子工程系教授，亚利桑那州立大学工程学院教学杰出贡献奖获得者，曾著《现代MOS器件》一书。 TCIbPsE  
全书共分电学表征、光学表征和物理表征三个部分，主要对半导体材料和器件表征技术作了介绍，具体内容包括电阻率、载流子和掺杂浓度、载流子寿命、光学表征、物理化学特性的表征等。《半导体材料与器件表征技术》在国外被广泛选用为研究生专业课教材及工程技术人员的参考书，并在文献中被大量引用。 ULgp]IS  

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第1章 电阻率 >3&V"^r(|  
1.1 简介 KmM:V2@A$  
1.2 两探针与四探针 TIR Is1  
练习1.1 O6ugN-d>  
1.2.1 修正因子 +Z
86Qz_  
练习1.2 {MTtj4$  
练习1.3 };EB  
练习1.4 UI%4d3   
1.2.2 任意形状样品的电阻率 K5\l (BB  
1.2.3 测量电路 :^xNHMp!  
1.2.4 测量偏差和注意事项 M)AvcZNs  
1.3 晶片映像 &A`,hF8  
1.3.1 二次注入 fakad#O  
1.3.2 调制光反射 3(vm'r&5n>  
1.3.3 载流子发射（CI） bd% M.,  
1.3.4 光密度测定法 *!{&n*N  
1.4 电阻率分布 `&xdSH  
1.4.1 微分霍耳效应（DHE） 9zrTf%mF  
练习1.5 q^n LC6q  
1.4.2 扩展电阻剖面分布（SRP） n2Mpo\2  
1.5 非接触方法 }gB^C3b6  
1.5.1 涡流 %y*'bS  
1.6 电导率类型 $b2~H+u(  
1.7 优点和缺点 V0&7MY*  
附录1.1 以掺杂浓度为函数的电阻率 kC6Y?g  
附录1.2 本征载流子浓度 Y6d~hLC  
习题 W}}ZP];  
参考文献 p~""1m01,D  
第2章 载流子和掺杂浓度 G;ZN>8NB  
2.1 简介 D ] n|d+  
2.2 电容-电压测量 Fp[49  
2.2.1 微分电容 ^N 4Y*NtV7  
2.2.2 带差 QnS#"hc\a  
2.2.3 最大-最小MOS-C电容 |W@Ko%om  
练习2.1 wL^x9O|`p9  
2.2.4 积分电容 CdPQhv)m  
2.2.5 汞探针接触 a?PH`5O  
2.2.6 电化学Cy剖面分析 PMW@xk^<Y  
2.3 电流-电压测量 E|SmvIV-  
2.3.1 MOSFET衬底电压-栅电压 JO&RuAq  
2.3.2 MOSFET阈值电压 p=Leoc1  
…… o{n#f?EA  
第3章 接触电阻、肖特基势驿及电迁移 s*Z yr%R  
第4章 串联电阻、沟道长度与宽度、阈值电压及热载流子 p>:.js5.a  
第5章 缺陷 {4f%UnSz(  
第6章 氧化物、界面陷阱电茶及气化物完整性 TcJJ"[0  
第7章 载流子寿命 8}4.x3uw  
第8章 迁移率 @PhAg  
第9章 光学表征 6Yt3Oq<U  
…… :,j^ei  
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