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半导体光谱和
光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和
光电子效应、
激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视
物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。
bC mhlSNi 《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。
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W]v[Xm$q X[cSmkp7 第一章 半导体的光学常数
vG<JOxP 1.1 半导体的光学常数及其相互关系
GAlAFsB 1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式
9N[vNg<n 1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换
]o(&J7Z6- 1.4 半导体光学常数的实验测量
5[Ryc[ 参考文献
S>]Jc$ 3psCV=/z 第二章 半导体带间光跃迁的基本理论
<Dr*^GX>? 2.1 半导体的带间跃迁过程
;NrkX?Y 2.2 带间跃迁的量子力学理论
xwH+Q7O&l 2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程
QrP$5H{[E 2.4 间接跃迁的量子力学处理
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P=eu3 2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程
T1y,L<7? 参考文献
s'V8PN+- ~[i,f0O, 第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程
<N %8"o 3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响
l.i"Z pik 3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应
`O5kI#m)L* 3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究
}[u 9vZL 3.4 半导体的调制光谱
|f^/((:D 3.5 激子吸收
Hy<4q^3$G 参考文献
<:u)C; W"rX$D[Le 第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程
6/9h=-w& 4.1 带内越和自由载流子吸收
g#V3u=I8~ 4.2 自由载流子吸收的量子理论
=GQ?P*x|$ 4.3 杂质吸收光谱
j~G^J 4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱
&Z+a ( 4.5 半导体的晶格振动吸收光谱
[UI4YZu} 4.6 杂质诱发定域模和准定域模振动吸收
[)`9euR% 参考答献
!}()mrIlP xa#:oKF3 第五章 半导体的发光光谱和辐射复合
P'D~Y#^ 5.1 引言
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