半导体光谱和光学性质(精装,作者:沈学础)

发布:cyqdesign 2010-01-30 21:53 阅读:4281
半导体光谱光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和电子效应、激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。 S#Q0aG j  
《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。 \no6]xN;  
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第一章 半导体的光学常数 4*Uzomb?q  
1.1 半导体的光学常数及其相互关系 f.)z_RyGd  
1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式 ;z2\ Q$  
1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换 Y=83r]%  
1.4 半导体光学常数的实验测量 >^:*x_a9  
参考文献 ty ESDp%  
{&dbxj-'  
第二章 半导体带间光跃迁的基本理论 w :nYsuF  
2.1 半导体的带间跃迁过程 $;iMo/  
2.2 带间跃迁的量子力学理论 d?ru8  
2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程 ml,FBBGq|-  
2.4 间接跃迁的量子力学处理 $Z|HFV{  
2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程 /aTW X  
参考文献 Q HU|aC{r  
U1ZKJ<pv  
第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程 I|n? 32F  
3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响 <?Ln`,Duk  
3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应 )2sE9G,  
3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究 O:E0htdWr  
3.4 半导体的调制光谱 {'8td^JEE  
3.5 激子吸收 |E?PQ?P  
参考文献 3#A4A0  
Iip%er%b  
第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程 ]SC|%B_*  
4.1 带内越和自由载流子吸收 cs lZ;  
4.2 自由载流子吸收的量子理论 &2,3R}B/  
4.3 杂质吸收光谱 O*7vmPy  
4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱 6,;dU-A+  
4.5 半导体的晶格振动吸收光谱 ~U r  
4.6 杂质诱发定域模和准定域模振动吸收 {=%,NwPs  
参考答献 Kpg?' !I  
6o0}7T%6  
第五章 半导体的发光光谱和辐射复合 !F:ANoaS  
5.1 引言 ,xw1B-dx  
5.2 导带-价带辐射复合跃迁 `5Bv2 wlIV  
5.3 激子符合发光 >^6|^rc  
5.4 束缚激子辐射复合发光光谱 ;~-ZN?8   
5.5 非本征辐射复合发光过程 a,|Hn  
5.6 高激发强度下半导体的辐射复合发光和半导体激光器 @cr/&  
5.7 发光光谱在半导体电子能态研究和材料检测中的应用 I A%ZCdA;  
参考答献 %*zV&H   
Qz"+M+~%&  
第六章 半导体的光电导和其他相关效应 :5sjF:@  
6.1 引言 Z;O!KsJ  
6.2 光电导现象的分类 8NkyT_\  
6.3 带间激发情况下的光电导输运方程 h2-v.Tjf  
6.4 光扩散效应 9a2[_Wy  
6.5 光电磁效应 ds9U9t  
6.6 光伏效应 7@&mGUALO  
6.7 光激发载流子的寿命 G|o O  
6.8 非本征光电导 sWmqx$  
6.9 热电子光电导 sYhHh$mwA  
参考答献 SBy{sbx4&F  
gR+P !Eow  
第七章 半导体磁光效应 Y\Z6u)  
7.1 回旋共振 CcTdLq  
7.2 法拉第旋转和沃伊特效应 3$?nzKTW\  
7.3 磁光效应的量子力学解释 @HzK)%@  
7.4 磁场中半导体的能级、K.P微扰法及三带模型 9Af nMD  
7.5 窄禁带半导体的回旋共振和其他磁光效应 `Ez8!d{MD8  
7.6 半导体空间电荷层准二准电子体系的回旋共振及相关效应 #Iu "qu  
7.7 半导体中局域能级的塞曼分裂和有关效应 J&Db-  
7.8 磁场下的浅质能级,杂质电子-电子互作用的电子-声子互作用 ch2m Ei(  
参考文献 {)iiu  
OMW]9E  
第八章 半导体的拉曼散射 E-%$1=;  
8.1 概述 1s~rWnhVv  
8.2 晶体拉曼散射的基本理论 %+ nM4)h  
8.3 半导体的一级拉曼散射谱 ;m7~!m)  
8.4 半导体的二级拉曼散射 2 OV$M~  
8.5 半导体的共振拉曼散射 1`1jSx5}.  
参考文献 ?V}ub>J/=  
]x).C[^  
第九章 半导体量子阱和超晶格的光学性质 ^OV!Q\j.q  
9.1 半导体超晶格、量子阱的量子态和带间光跃迁过程 %K+hG=3O  
9.2 量子阱中的激子及其光跃迁过程 <ne?;P1L  
9.3 量子阱中导带子带和价带子带间的带间跃迁及激光谱 ,SPgop'  
9.4 超晶格结构中的声子行为和拉曼散射 *s#6e}  
9.5 量子阱中的浅杂质光谱 3ZC@q #R A  
9.6 半导体单量子结构的带间跃迁光谱 ZbiC=uh  
9.7 量子阱同一带内子带间跃迁吸收光谱和发光光谱 <"K2t Tg.  
参考文献 ]cv/dY#  
pTaC$Ne  
第十章 代表团量子线和量子点的光谱 /Xj{]i3{  
10.1 一维半导体量子线和电子态和光跃迁过程 Wy\^}  
10.2 半导体量子线光谱 Rp;"]Q&b  
10.3 半导体量子点中的量子态和光跃迁过程 7O8 @T-f+2  
10.4 半导体量子点的带间跃迁光谱 w:9`R<L  
参考文献 ePZ Ai"k  
英汉对照主题索引 .Tm.M7  
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