半导体制造技术,作者:(美国)Michael Quirk,(美国)Julian Serda,译者:韩郑生,合著者:海潮和徐秋霞等.
B#9rqC 《半导体制造技术》详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料,学术界和工业界对《半导体制造技术》的评价都很高。全书共分20章,根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节,包括与半导体制造相关的基础技术信息;总体流程图的工艺
模型概况,用流程图将硅片制造的主要领域连接起来;具体讲解每一个主要工艺;集成
电路装配和
封装的后部工艺概况。此外,各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题,这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。
g!;k$`@{E' 半导体制造技术》旨在介绍半导体集成电路产业中的新工具和技术,以便提高读者在工作过程中理解与使用相同或类似工具的能力。全书在细节上覆盖了用于亚0.25um(O.18um及以下)工艺的新技术,通过描述早期的工具和工艺来阐明现代技术的发展。书中包括铜互连、化学机械平坦化(CMP)、低K介质工艺、浅槽隔离(STl)、深紫外化学放大光刻胶、步进与扫描系统、具有双大马士革的铜
金属化等。书中还解释了产业变化漫长历史中的所有工艺和设备,以及工艺需求和设备性能的技术关系,并给出了设备潜在性能与最佳制造所需工艺
参数之间的折中。
x2(!r3a 《半导体制造技术》主要特点:
sS/#)/B 在工艺章节(第10章至第18章)中讨论了关于设备和工艺的质量测量及故障排除等问题,在硅片制造中会遇到这些问题
~$-Nl 全书通过大量生动的图表和具体翔实的数据来解释技术性内容,为读者提供了视觉支持,以掌握抽象的概念和原理
20h|e+3 每章最后有小结、关键术语、相关设备供应商网站和复习题
]:m>pI*z. 附录中给出了关于安全性和技术信息等颇有价值的内容
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/^v?Q9=Y m`l3@Z E~Eh'>Y(B 第1章 半导体产业介绍
R{uq8NA- W 目标
gmkD'CX*A 1.1 引言
eJFGgJRIvF 1.2 产业的发展
I%.KFPV 1.3 电路集成
t>p!qKrE'J 1.4 集成电路制造
chv0\k"' 1.5 半导体趋势
S(<r-bV< 1.6
电子时代
jsL\{I^> 1.7 在半导体制造业中的职业
ij&_> 1.8 小结
!m)P*Lw pcwkO 第2章 半导体材料特性
*<?or"P 目标
4X,fb` 2.1 引言
ENW>bS8e` 2.2 原子结构
J`}5bnFP
2.3 周期表
`vs=
CYs 2.4 材料分类
(%*CfR:> 2.5 硅
<$!^LKKzA 2.6 可选择的半导体材料
Mr'P0^^ 2.7 小结
QB p`r#{I{ foY=?mbL 第3章
器件技术
<8Y;9N|94! 目标
)f(.{M 3.1 引言
ljg2P5 3.2 电路类型
.1R:YNx{/ 3.3 无源元件结构
<j" }EEb^ 3.4 有源元件结构
mv9k_7< 3.5 CMOS器件的闩锁效应
wO:!B\e 3.6 集成电路产品
$OOZ-+8 3.7 小结
,Y
1&[ ivL}\~L 第4章 硅和硅片制备
~xI1@^r 目标
H{Tt>k 4.1 引言
nk.m Gny 4.2 半导体级硅
Omy4Rkj8bh 4.3
晶体结构
g}HB|$P7 4.4 晶向
oL?(;
`"& 4.5 单晶硅生长
) wkh 4.6 硅中的晶体缺陷
bH+x `]{A 4.7 硅征制备
=*EIe z*.x 4.8 质量测量
Fr{u=0 X 4.9 外延层
Ckd=tvL 4.10 小结
c"qaULY Exir?G} \ 第5章 半导体制造中的化学品
90JD`Nz 目标
0uX"KL]Elf 5.1 引言
.KiJq:$H 5.2 物质形态
Q(@/,%EF 5.3 材料的属性
01v7_*'R 5.4 工艺用化学品
K"~Tk`[0Q 5.5 小结
Kjbt1n O:02LHE 第6章 硅片制造中的沾污控制
o+(>/Ou 目标
ke.{wh\0 6.1 引言
H:9Z.|{Gv 6.2 沾污的类型
!]c]:ed\C 6.3 沾污的源与控制
v@zpF)| 6.4 硅片湿法清洗
\~V
ZY 6.5 小结
d&S4`\g?8 @oC# k< 第7章 测量学和缺陷检查
lZT9 SDtS 目标
Hg8n`a;R 7.1 引言
[NQ\(VQ1c 7.2 集成电路测量学
yn&AMq
]o 7.3 质量测量
X r7pFw 7.4 分析设备
Q y(Gy'q~ 7.5 小结
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