半导体制造技术,作者:(美国)Michael Quirk,(美国)Julian Serda

半导体制造技术,作者:(美国)Michael Quirk,(美国)Julian Serda,译者:韩郑生,合著者:海潮和徐秋霞等. Jk_}y  
《半导体制造技术》详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料，学术界和工业界对《半导体制造技术》的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 &H:2TL!  
半导体制造技术》旨在介绍半导体集成电路产业中的新工具和技术，以便提高读者在工作过程中理解与使用相同或类似工具的能力。全书在细节上覆盖了用于亚0.25um（O.18um及以下）工艺的新技术，通过描述早期的工具和工艺来阐明现代技术的发展。书中包括铜互连、化学机械平坦化（CMP）、低K介质工艺、浅槽隔离（STl）、深紫外化学放大光刻胶、步进与扫描系统、具有双大马士革的铜金属化等。书中还解释了产业变化漫长历史中的所有工艺和设备，以及工艺需求和设备性能的技术关系，并给出了设备潜在性能与最佳制造所需工艺参数之间的折中。 !CUX13/0  
《半导体制造技术》主要特点： c3!YA"5  
在工艺章节（第10章至第18章）中讨论了关于设备和工艺的质量测量及故障排除等问题，在硅片制造中会遇到这些问题 qrkJ:  
全书通过大量生动的图表和具体翔实的数据来解释技术性内容，为读者提供了视觉支持，以掌握抽象的概念和原理 @2/xu  
每章最后有小结、关键术语、相关设备供应商网站和复习题 >*"1`vcxF  
附录中给出了关于安全性和技术信息等颇有价值的内容 {(_>A\zi  

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第1章 半导体产业介绍 =S<E[D{V`  
目标
sG:tyvln  
1.1 引言 C o,"  
1.2 产业的发展 !w{(}n2Wq  
1.3 电路集成 [zr2\(  
1.4 集成电路制造 J9q[u[QZ9O  
1.5 半导体趋势 A9kn\U92  
1.6 电子时代 \PM5B"MDZ  
1.7 在半导体制造业中的职业 ^$~&e :{  
1.8 小结 MxLi'R=  
r(p@{L185  
第2章 半导体材料特性 yBnUz"  
目标 UsnIx54D3  
2.1 引言 RFT`r  
2.2 原子结构 zTW)SX_O  
2.3 周期表 68nBc~iAm  
2.4 材料分类 @0fiui_  
2.5 硅 _)-y&  
2.6 可选择的半导体材料 %^}|HG*i??  
2.7 小结 7qEc9S@
 
Km!~zG7<  
第3章 器件技术 /(?,S{]  
目标 b =R9@!  
3.1 引言 P"<,@Mn  
3.2 电路类型 hDD]Kc;G^1  
3.3 无源元件结构 #jT=;G7f2  
3.4 有源元件结构 I@l }%L  
3.5 CMOS器件的闩锁效应 -b'a-?  
3.6 集成电路产品 /<)kI(gf  
3.7 小结 Bw4 _hlm  
ebIRXUF}>  
第4章 硅和硅片制备 'I5~<"E  
目标 z~\Y*\f^Y3  
4.1 引言 2M*84oh8P  
4.2 半导体级硅 y9X1X{  
4.3 晶体结构 x|U[|i,;  
4.4 晶向 1wt(pkNk  
4.5 单晶硅生长 xv~E
wT)  
4.6 硅中的晶体缺陷 7R=A]@  
4.7 硅征制备 Tm
UN@h  
4.8 质量测量 TRku(w1f  
4.9 外延层 !z|a+{  
4.10 小结 m 4V0e~]  
q*d@5  
第5章 半导体制造中的化学品 `m=u2kxY  
目标 S%2qX"8  
5.1 引言 _>(qQ-Px  
5.2 物质形态 2PG= T/  
5.3 材料的属性 M}qrF~   
5.4 工艺用化学品 qL/XGIxL?  
5.5 小结 ),&tF_z:  
OE5JA8/H  
第6章 硅片制造中的沾污控制 ?/FCq6o  
目标 GCv*a[8?n  
6.1 引言 31`Eq*Y)4  
6.2 沾污的类型 9
5b65f  
6.3 沾污的源与控制 kC=h[<'  
6.4 硅片湿法清洗 kqt.?iJw  
6.5 小结 6/l{e)rX2o  
3B3l)eX  
第7章 测量学和缺陷检查 l@<yC-Xd  
目标 (sL!nRw  
7.1 引言 =`KV),\  
7.2 集成电路测量学 prCr"y` M  
7.3 质量测量 Q4QF_um  
7.4 分析设备 ]97`=,OUg  
7.5 小结 hWfC"0  
:JfT&YYi"  
第8章 工艺腔内的气体控制 $p~X"f?0  
目标 V jZx{1kCR  
8.1 引言 {5J: ]{p  
8.2 真空 rLJjK$_x  
8.3 真空泵 P=PVOt@ b  
8.4 工艺腔内的气流 bYB:Fe=2  
8.5 残气分析器 xI,7ld~  
8.6 等离子体 $x|4cW2  
8.7 工艺腔的结构 HG:9yP<,o  
8.8 小结 K %Qj<{)  
I>(-&YbC  
第9章 集成电路制造工艺概况 8D1+["&  
目标 k!= jO#)Rd  
9.1 引言 vu=`s|R  
9.2 CMOS工艺流程 3iv;4e ;  
9.3 CMOS制作步骤 bbAJ5EqL  
9.4 小结 jp viX#\S_  
>cRE$d?  
第10章 氧化 ^:64(7  
目标 +-OnO7f  
10.1 引言 I%gDqfdL  
10.2 氧化膜 $hE,BeQ  
10.3 热氧化生长 E6_.Q `!ll  
10.4 高温炉设备 c/ s$*"  
10.5 卧式与立式炉 PDtLJt$  
10.6 氧化工艺 -:
NFF'  
10.7 质量测量 bZ_vb? n  
10.8 氧化检查及故障排除 J~(M%] &k^  
10.9 小结 {*Tnl-m~  
|8s45g>  
第11章 淀积 &HIG776  
目标 ?TEdGe\*  
11.1 引言 i\94e{uty[  
11.2 膜淀积 #(f- cK  
11.3 化学气相淀积 l>iE1`iL<  
11.4 CVD淀积系统 <[w>Mbqj_  
11.5 介质及其性能 uszH1@g'  
11.6 旋涂绝缘介 kNDN<L  
11.7 外延 OF/DI)j3  
11.8 CVD质量测量 z4iZE*ZS  
11.9 CVD检查及故障排除 aH+n]J] =)  
11.1 0小结 `6BjNV  
``9`Xq
  
第12章 金属化 AW<z7BD  
目标 t)h{ w"v  
12.1 引言 =!Ce#p?h,  
12.2 金属类型 H<wrusRg  
12.3 金属淀积系统 xXn2M*g  
12.4 金属化方案 @A;Ouu(  
12.5 金属化质量测量 G$_=rHt_%  
12.6 金属化检查及故障排除 pJ;4rrSK  
12.7 小结 MTUJsH\  
?)i`)mu'  
第13章 光刻：气相成底膜到软烘 t$yt8#Tk  
目标 NP< {WL#  
13.1 引言 HMr
l!;:  
13.2 光刻工艺 %jRqrICd  
13.3 光刻工艺的8个基本步骤 t!JD]j>q
 
13.4 气相成底膜处理 Y[WL}:"93  
13.5 旋转涂胶 3D*vNVI  
13.6 软烘 c"x-_Uk  
13.7 光刻胶质量测量 %}x$YDO  
13.8 光刻胶检查及故障排除 cJ#|mzup  
13.9 小结 T>\r}p  
bX*c-r:  
第14章 光刻：对准和曝光 s!Y`1h{  
目标 mw,\try  
14.1 引言 m#kJ((~  
14.2 光学光刻 vh">Z4  
14.3 光刻设备 4kqgZtg.  
14.4 混合和匹配 D^jyG6Ch  
14.5 对准和曝光质量测量 byB ESyV!O  
14.6 对准和曝光检查及故障排除 #HF;yAc  
14.7 小结 u#sbr8Y  
SB}0u=5  
第15章 光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术 z=/xv},  
目标 9u2Mra  
15.1 引言 k6mC_  
15.2 曝光后烘焙 ="Sa>-do,  
15.3 显影 >L{s[pLJ  
15.4 坚膜 Q@"mL  
15.5 显影检查 u^NZsuak  
15.6 先进的光刻技术 e"]*^Q  
15.7 显影质量测量 {YzRf S  
15.8 显影检查及故障排除 oiL^$y/:;z  
15.9 小结 pcl'!8&7  
^:F |2
 
第16章 刻蚀 T~"T%r  
目标 1deNrmp%  
16.1 引言 <!qv$3/7  
16.2 刻蚀参数 IS9}@5`'  
16.3 干法刻蚀 VM[U&g<8n  
16.4 等离子体刻蚀反应器 !W3bHy:C"  
16.5 干法刻蚀的应用 )of?!>'S[  
16.6 湿法腐蚀 \gE6KE<?p  
16.7 刻蚀技术的发展历程 WUnmUW[/  
16.8 去除光刻胶 X;D"}X4(E  
16.9 刻蚀检查 Pm*N!:u  
16.1 0刻蚀质量测量 K9 tuiD+j  
16.1 1干法刻蚀检查及故障排除 \vR&-+8dk  
16.1 2小结 Y::I_6[eV  
vsU1Lzna6@  
第17章 离子注入 gPrIu+|F  
目标 t:?8I9d  
17.1 引言 bw\a\/Dw  
17.2 扩散 },@1i<Bb  
17.3 离子注入 NrrnG]#p1  
17.4 离子注入机 +zz\*  
17.5 离子注入在工艺集成中的发展趋势 vUa&9Y  
17.6 离子注入质量测量 /v^1/i  
17.7 离子注入检查及故障排除 aOr'OeG(=e  
17.8 小结 ^Cm9[1p  
"\]NOA*  
第18章 化学机械平坦化 !L)~*!+Gf  
目标 lNw8eT~2
 
18.1 引言 kUp[b~  
18.2 传统的平坦化技术 RIDzNdM>U  
18.3 化学机械平坦化 GVaIZh<  
18.4 CMP应用 ~
VqDh*0  
18.5 CMP质量测量 ;Uxr+,x~  
18.6 CMP检查及故障排除 L-}6}5[  
18.7 小结 #ARQ
B2V  
$&!i3#FF  
第19章 硅片测试 ",hPy[k  
目标 MI,b`pQ  
19.1 引言 N7b+GqYpF>  
19.2 硅片测试 v[O}~E7'  
19.3 测试质量测量 !&k}YF  
19.4 测试检查及故障排除 86BY032H  
19.5 小结 ?^< E#2a  
x=%p~$C  
第20章 装配与封装 #J
,?oe=<4  
目标 2{sx"/k\A  
20.1 引言 A=z+@b6  
20.2 传统装配 RzOs,  
20.3 传统封装 g2&%bNQ-5  
20.4 先进的装配与封装 yi*2^??` 1  
20.5 封装与装配质量测量 dV( "g],  
20.6 集成电路封装检查及故障排除 *QIlh""6  
20.7 小结 _8f? H#&  
附录A 化学品及安全性 zP
8a=Iv  
附录B 净化间的沾污控制 ~KW|<n4m  
附录C 单位 ]hPu  
附录D 作为氧化层厚度函数的颜色 ka^sOC+Y  
附录E 光刻胶化学的概要 :&{:$-h!  
附录F 刻蚀化学 [K\Vc9  
术语表 fXV+aZ  
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