扬州大学：大功率高亮度LED芯片取得重要进展

近日，由扬州大学物理学院承担的江苏省科技攻关项目大功率高亮度LED芯片取得重要进展，首批试制样品已上线接受1000小时的性能测试。这款由我国自主研发的新光源芯片，将用于替代国外同类产品。 8F?6Aq1B  
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据了解，LED是目前世界各国加紧开发的节能光源产品，用于替代传统的电力光源，芯片则是LED的“大脑”。但目前国产LED芯片在寿命、亮度、性价比等方面均弱于进口芯片，从而造成最终产品成本高，难以在一般消费者中普及，且高端产品的芯片需依赖进口。 ID/=YG@  
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据课题负责人扬大物理学院曾祥华教授介绍，由该院光电研究中心 10名科研人员组成的研究团队，与扬州华夏光电联合开展校企合作，对国产芯片的结构进行重新设计，着力解决发热量大、衰减快等稳定性问题，以提高其使用寿命。曾祥华表示，目前首批新型芯片样品已经试制成功，并已经获得三项国家专利，经过1000小时连续带电测试后，研究人员还将对细节进行改进，新芯片的稳定使用寿命约能提高到5万小时以上。据悉，新芯片因由我国自主研发，这将大大缩减LED制造成本，最终可用于替代进口芯片。