Dear各位大大................. ++\s0A(e
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我在做led模擬,目前遇到些瓶頸,請各位大大為我解答一下....... vFwhe!
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以下是我的模擬資料,其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ gkhmQd
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1.LED Chip:由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ #n_t5 O[
m;p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 aE(DNeG-H
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2.基板:Sapphire substrate (藍寶石基板),Index=1.7。 pL5Bz!_r
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3.材料:GaN (氮化鎵),Index=2.4。 M.qE$
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4.光源:p-n junction上下面各1 流明,共2流明。 I+eKuWB
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5.光束:p-n junction上下面各1000 rays,共2000 rays。 &0x;60b
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6.監視面:10mm*10mm之正方面。 zD@RW<M
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7.距離:LED Chip與監視面之間距離為15mm。 j6GR-WQ]t
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8.模擬光源假設條件: JuDadIrd{
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(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部無任何設定,下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。
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(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部與下部無任何設定。 R+# g_"1@p
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9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7,設定為不發光,其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm,但我做研究的結果,其厚度改變,但結果卻是不變,也就是說光強度並未改變,我有設important sampling,target center z為15.003,如果薄膜厚度改變,其光強度不變的話,與光學原理不符,請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? tq=7HM