300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm luf5-XT
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm &ry*~"xoh
780~1200 nm T ave <1% C:J;'[,S
`uMEK>b
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) ]5Uuz?:e
LW]fme<V?
H: Ta2O5 L:SiO2 '9V/w[mI
%PYl
該如何設計