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    [技术]元件内部场分析仪:FMM [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 02-24
    摘要 K=Q<G:+&V  
    8d|/^U.w~V  
    "~V|p3  
    ''p7!V?  
    元件内部场分析器:FMM允许用户可视化和研究微结构纳米结构内部的电磁场分布。为此,使用傅立叶模态法/严格耦合波分析(FMM/RCWA)计算周期性结构(透射或反射、电介质或金属)内部的场。还可以指定场的哪一部分应该可视化:正向模式、反向模式或两者同时显示。 0c{-$K}  
    W20qn>{z  
    元件内部场分析仪:FMM n1Ic[cM}  
    `1xJ1 z#  
    le7!:4/8  
    元件内部场分析器:FMM是光栅光学装置的独有功能,可提供光栅结构内部电磁场的可视化。 ,a6Oi=+>/U  
    &];:uYmMU  
    评估模式的选择 (~k{aO  
      
    c]Z@L~WW  
    Nbyc,a[o  
    为了更容易地区分入射场、反射场和透射场,可以仅评估正向或反向传播模式,或者评估两者的总和。 {tKi8O^Rb  
    N6R0$Br  
    评价区域的选择 yb/v?q?Fk  
       K^6fg,&  
    1r:i'cW h  
    mMt~4(5  
    元件内部场分析器:FMM可以输出整个元件(包括基板)内部的场,或者只输出一个堆栈或基块(基板)中的场。 +uqP:z  
    b^s>yN  
    不同光栅结构的场分布 l|jb}9(J  
    A?zxF5rfp  
    任意形状的光栅结构可以通过元件内部场分析仪进行分析。以下是几个例子: ,qUOPW?=  
    rCH? R   
    Lb=4\ _  
    光栅结构的采样 "e;wN3/bF  
    wJ>.I<F6B  
    虽然分析仪为输出数据提供了一些采样选项,但系统中定义的光栅表面必须正确采样(例如,分解点和过渡点的层数足够)。 (@(rz/H  
    -dO9y=?t  
    -~+Y0\%E  
    >Y)FoHa+/  
    分解预览展示了如何根据当前采样因子对光栅结构进行采样。 1RU+d.&D  
    8GKqPS+  
    光栅结构的充分采样意味着已经实现了收敛,即进一步增加采样不会显著影响产生的场。例如,如果层分解过于粗糙,则可能会由于纵断面中的大台阶而产生其他影响。 .dw;b~p  
    sry`EkS  
    hsJS(qEh.'  
    输出数据的采样:一维周期光栅(Lamellar) 8|2I/#F}]  
    #Zq[.9!q{  
    n&fV^ x  
    对于1D周期性(片状)光栅,分析仪使用对话框“采样”部分中指定的参数生成2D横截面图像 %CaF-m=Pq  
    0s2@z5bfX  
    输出数据的采样:二维周期光栅 #U ?=D/  
    d@QC[$qXj  
    当分析的光栅设置为2D Periodic时,Field Inside Component Analyzer:FMM将通过结构生成一系列二元截面,z方向的采样参数决定执行的切割次数。
    L=v"5)m2R  
     
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