[讨论][抛砖引玉] 基于LED的CPC聚光模拟 [复制链接]

前面shogun提出了一些CPC的理论。在这里，我用新一代光源LED和作为非成像光学器件的CPC完成一个模拟，目的是探讨一种设计简化：在不用计算环带光通的前提下，基于标准的Lamber分布型LED的模拟输出分布同理论（string method）设计的差异。希望有经验的朋友指教。 u~uz=Yse  
这个设定的目标，是将LED视为一个发光面（按LED的实际尺寸），要求系统在1M外形成一个0.2M半径的光斑。 9*I[q[>9  
现在就要看这个想法和实际结果差异是什么。 7I w^  
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反射面简化：（整个模拟采用单色光） +3.9)w  
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光源及其设定： H.l0kBeG  
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光源Lamber分布（实际模型）： wry`2_c  
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组合图： I(VqtC:K.  
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raytrace： *c4OhMU(  
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实际光斑照度分布： <$?#P#A  
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问题和结论：从照度图上来看，光斑均匀度是比较好的（没有具体计算-_-，麻烦）； b~fl,(sZp  
      当初设定CPC的接收角满足1M外光斑半径0.2M，现在看来只有0.1M。。。。后来发现，这个结果之所以差异那么大，是因为我在这里把此CPC的exit port半径设定为LED透镜的半径了~也就是说，我已经默认LED的发光面半径是透镜半径。 ,?m@Ko7Y  
    后来把光源换掉，用一个真正适合CPC exti port大小的平板光源，也是Lamber分布，来模拟，结果： *%jXjTA0D  
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光斑就是0.2M半径，比较准确 。 3"Oipt+  
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所以这里就发现了一个和LED模拟有关的问题：LED（大功率）的发光模型，当要把它视为发光面时，其大小不应该是透镜，可能应该是芯片。 66>X$nx(z  
<FkaH8,7  
CPC在处理平面光源时，其输出光斑均匀度是有希望达到照明要求的，具体现在还没有计算出来。 dY$nw  
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疑惑： RvA "ug.*  
象这样的CPC，纵然在聚光率上表现不错（C=5），截止角大（78.7度）。但是其加工工艺，特别是镀膜、阳极氧化上有没有特别的难度？希望大家展开讨论。

正在尝试当中，特别是CREE   XR-E的光源，很难做出理想的光杯，在CREE官网下载的IES文件，应用于TP中，是不是在芯片的表面，如果是，那没LED的透镜又如何设置，如果像前几位所讨论的，用配光曲线，设置在透镜上，那么抛物线的焦点如何与发光点重合？达到聚光效果，希望前辈们多给点指导，qq：179212561

这块砖抛的好，我得好好研究下。。。

这个设计看起来不错的

谢谢谢谢   这是我想要的

对于远场说定义晶片还是透镜半径大小为发光面都是一样的 ，但是对于反光杯和透镜的模拟就有不同，这一点大家可以自己验证一下（同一反光杯，同一位置，改变发光面大小）。 'Q7t5v@FF  
   k_^ 4NU  
我在模拟时发现有的LED,比如说灏天和亿光的LED，荧光粉要比晶片大，这时用晶片大小模拟就会有偏差，所以总体感觉应该以荧光粉的大小作为发光面的大小。并且晶片或荧光粉的高度都会对模拟有影响。 bjj F{T  
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以上纯属个人经验，不保证一定准确...

谢谢谢谢 找的就是这个

好....

再请教斑主一个问题，望赐教： lm'.G99{  
在tracepro里，CPC的焦点和长度是如何定的，特别是有角度偏宜和边缘焦距的时候？

1. 我覺得把LED看成一個發光面，尺寸为透镜大小，配光用远场的配光分布，比较准确，因为以芯片为光源，配光哪怕为理想的lembertian分布，你模拟的LED透镜和真实的LED封装系统还是有差异的，所以打到CPC上的光线走向与真实是有差异的，这正是版主为什么第一次模拟出来的结果不是很准确的原因。 [9p@uRE  
2. 至于发光面的位置位于何处，我觉得应该从LED配光测试时候的原点定位入手，如果给出的配光是为LED的基座作为原点测试的，仿真是发光面的位置就应该是LED基座的位置，如果配光测试以透镜作为原点的，发光面的位置就应该是LED透镜的位置。 n;dWb$:  
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本人初进LED领域，发表愚见，望高手指教，谢谢！！