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技术背景 =@ R VLml
随着极紫外光刻（EUV）、空间激光通信等领域的精度需求逼近物理极限，传统接触式加工已难满足需求。本文对比两种前沿工艺： Dbd5d]]n3 1. 反应离子束刻蚀（RIBE） = $ J2 - 优势： y+<HS]vyV
各向异性刻蚀（纵横比>10:1），适合微棱镜阵列加工 - 原子级去除（0.1nm/cycle），理论面型精度可达λ/50
C5?M/xj 瓶颈： - 设备成本高（>200万美元）
- 大曲率元件边缘刻蚀均匀性控制（需动态束流校正）
2. 飞秒激光诱导等离子体加工（FLIP） Qmn5-yiw1d - 创新点： 2q bpjm
利用非线性吸收效应（阈值~2J/cm²），实现亚波长结构直写 - 加工热影响区（HAZ）<50nm，避免晶格相变
U^I'X7`r 挑战： - 重复定位精度需达±0.1μm（对运动平台要求极高）
- 表面粗糙度Ra>1nm，需后续辅助抛光
技术路线投票 w0SgF/"@ - 您更看好哪种技术方向？ j/\XeG >
A) RIBE的确定性去除更适合量产
|\ L2q/u
B) FLIP的多功能性适应复杂微结构 wq#3f# 3V
C) 其他（请回帖说明）
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