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技术背景 k{d)'\FM
随着极紫外光刻（EUV）、空间激光通信等领域的精度需求逼近物理极限，传统接触式加工已难满足需求。本文对比两种前沿工艺： oCR-KR>{Q 1. 反应离子束刻蚀（RIBE） HE>sZ; - 优势： $ H2H VJ
各向异性刻蚀（纵横比>10:1），适合微棱镜阵列加工 - 原子级去除（0.1nm/cycle），理论面型精度可达λ/50
*m 9,_~t 瓶颈： - 设备成本高（>200万美元）
- 大曲率元件边缘刻蚀均匀性控制（需动态束流校正）
2. 飞秒激光诱导等离子体加工（FLIP） ? bnhx - 创新点： 7l|D!`BS
利用非线性吸收效应（阈值~2J/cm²），实现亚波长结构直写 - 加工热影响区（HAZ）<50nm，避免晶格相变
:c ^9\8S
挑战： - 重复定位精度需达±0.1μm（对运动平台要求极高）
- 表面粗糙度Ra>1nm，需后续辅助抛光
技术路线投票 _$YT*o@0J - 您更看好哪种技术方向？ Gp5=cV'k
A) RIBE的确定性去除更适合量产 _/%,ZoZ2
B) FLIP的多功能性适应复杂微结构 'q9='TOk
C) 其他（请回帖说明）
ECF \/12
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