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    [求助]AR膜中间脱膜 [复制链接]

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    在线飞奔的牛
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2025-01-22
    6层膜，GE/ZNS/  GE/ZNS/  GE/ZNS,膜层在ZNS之后镀GE脱膜，晶圆经过划成小片，边缘出现中间膜层脱膜。想求助一下是什么原因 ;IZwTXu!S  
    目前怀疑是ZNS+GE之间膜层结合力不好 . QBF`Rz  
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    只看该作者 1楼 发表于: 2025-02-20
    真空度，温度，镀膜速率都有关系的。另外你是用什么镀的？阻蒸还是电子枪？
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    离线nailiang
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    只看该作者 2楼 发表于: 07-16
    楼主问题有解决吗？我们倒数第二层用的ybf3。超声过后最外层的zns出现了整块脱膜，脱膜范围是基片边缘一圈。
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    在线飞奔的牛
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    只看该作者 3楼 发表于: 07-17
    回 nailiang 的帖子
    nailiang:楼主问题有解决吗？我们倒数第二层用的ybf3。超声过后最外层的zns出现了整块脱膜，脱膜范围是基片边缘一圈。 (2026-07-16 13:12)  ,8U &?8l  
    [=6]+V83M  
    建议做完加个退火处理，我是修改了离子源的参数解决的
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    只看该作者 4楼 发表于: 07-17
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:真空度，温度，镀膜速率都有关系的。另外你是用什么镀的？阻蒸还是电子枪？ (2025-02-20 11:33)  2V- 16Q'%  
    k^3>Y%^1  
    基本都试验了，最后改的离子源参数，增加退火处理，怀疑应力没释放掉
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    离线nailiang
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    只看该作者 5楼 发表于: 07-17
    回 飞奔的牛 的帖子
    飞奔的牛:建议做完加个退火处理，我是修改了离子源的参数解决的 (2026-07-17 14:18)  k$4y9{  
    td(li.,  
    你们的离子源是全程开启的吗？我们只是打底层使用离子源辅助
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    在线飞奔的牛
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    只看该作者 6楼 发表于: 07-20
    回 nailiang 的帖子
    nailiang:你们的离子源是全程开启的吗？我们只是打底层使用离子源辅助 (2026-07-17 15:23)  [u =+3b  
    DHy q^pJ  
    不算全程开启，中间层1-2层没加
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