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BI|BfO%F$j BdMmeM2h 元件内部场分析器:FMM允许用户可视化和研究微
结构和
纳米结构内部的电磁场分布。为此,使用傅立叶模态法/严格耦合波分析(FMM/RCWA)计算周期性结构(透射或反射、电介质或金属)内部的场。还可以指定场的哪一部分应该可视化:正向模式、反向模式或两者同时显示。
+KcD Y1[ F]qX} 元件内部场分析仪:FMM M= ]]kJ:I H
Z)an 03)R_A 元件内部场分析器:FMM是
光栅光学装置的独有功能,可提供光栅结构内部电磁场的可视化。
)8,) &F pBR9)T\n 评估模式的选择 ^7p>p8 :nLhg$wMs q@@C|oqEX 为了更容易地区分入射场、反射场和透射场,可以仅评估正向或反向传播模式,或者评估两者的总和。
Zqp<8M2 `i"7; _HoV 评价区域的选择 !et[Rdbu XX9u%BZ~
n !oxwA! [t{ed)J 元件内部场分析器:FMM可以输出整个元件(包括基板)内部的场,或者只输出一个堆栈或基块(基板)中的场。
MJ%gF=$X e/J|wM9Ak 不同光栅结构的场分布 Vi:<W0: w(6(Fze 任意形状的光栅结构可以通过元件内部场分析仪进行分析。以下是几个例子:
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s ^ "TQ3{=j{ {E3329t|' 光栅结构的采样 9$iDK$% .I1k+
虽然分析仪为输出数据提供了一些采样选项,但
系统中定义的光栅表面必须正确采样(例如,分解点和过渡点的层数足够)。
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dH[T nqJn 97L|IZ s) 分解预览展示了如何根据当前采样因子对光栅结构进行采样。
%=G*{mK %Jb/HWC[ 光栅结构的充分采样意味着已经实现了收敛,即进一步增加采样不会显著影响产生的场。例如,如果层分解过于粗糙,则可能会由于纵断面中的大台阶而产生其他影响。
.$s>b#m O 2<X.kM?N{B Z{p)rscX 输出数据的采样:一维周期光栅(Lamellar) \|wUxijJ*, p2)563#RS YB?5s`vr9d 对于1D周期性(片状)光栅,分析仪使用对话框“采样”部分中指定的
参数生成2D横截面
图像。
{wS)M [(d))(M$| 输出数据的采样:二维周期光栅 loR,f&80=O e^ ZxU/e 当分析的光栅设置为2D Periodic时,Field Inside Component Analyzer:FMM将通过结构生成一系列二元截面,z方向的采样参数决定执行的切割次数。
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